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本发明提供了光刻胶刻蚀液、微同轴光刻胶牺牲层释放方法及相关设备，该光刻胶刻蚀液包括：二甲基亚砜、四氢呋喃和异丙醇。通过二甲基亚砜作为主要的光刻胶去除剂，提高光刻胶刻蚀质量，通过四氢呋喃作为黏度调节剂和次要的光刻胶去除剂，进一步增加光刻胶刻蚀...
该专利属于赛莱克斯微系统科技（北京）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过赛莱克斯微系统科技（北京）有限公司授权不得商用。

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