基板处理设备及基板处理方法技术

本公开提供了一种基板处理设备，包括：喷嘴单元，被配置成向基板排出处理液；管道，连接到喷嘴单元和供应处理液的处理液供应单元；电荷量控制单元，设置在管道处，包括带正电荷或负电荷的过滤单元，并且包括控制阀和电源单元中的至少一个，控制阀控制穿过过滤单元内部的处理液的流量，电源单元向过滤单元施加电压，以控制处理液的电荷量；以及控制单元，连接到电荷量控制单元。电荷量控制单元。电荷量控制单元。

【技术实现步骤摘要】
基板处理设备及基板处理方法
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2021年12月31日向韩国知识产权局提交的第10
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2021
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0193592号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的公开通过引用以其整体并入本文中。


[0003]本专利技术涉及基板处理设备和基板处理方法，并且更具体地，涉及可以通过控制穿过过滤单元的处理液的电荷量并排出处理液来调整基板的荷电状态的基板处理设备和基板处理方法。

技术介绍

[0004]在制造半导体的工艺中使用基板处理设备。基板处理设备向待处理的基板(诸如半导体晶片)供应处理液以执行液体处理。在这种基板处理设备中，可以使用带预定电荷的多孔过滤器来去除液体中的诸如金属材料的杂质。在基板处理期间，从喷嘴朝向基板排出的处理液或基板的静电可能造成微粒附着到基板，导致基板的污染，或者可能造成静电排出到基板，导致基板的缺陷。
[0005]通常，已经提出了各种方法来解决上述问题。作为示例，已经应用了用抗静电材料涂覆被配置成排出处理液的喷嘴部分以中和处理液本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基板处理设备，包括：喷嘴单元，被配置成向基板排出处理液；管道，连接到所述喷嘴单元和供应所述处理液的处理液供应单元；电荷量控制单元，设置在所述管道处，包括带正电荷或负电荷的过滤单元，并且包括控制阀和电源单元中的至少一个，所述控制阀控制穿过所述过滤单元内部的所述处理液的流量，所述电源单元向所述过滤单元施加电压，以控制所述处理液的电荷量；以及控制单元，连接到所述电荷量控制单元。2.根据权利要求1所述的基板处理设备，其中，所述过滤单元包括带不同电荷的至少两个过滤器。3.根据权利要求2所述的基板处理设备，其中，所述管道包括并联分支的第一分支管道和第二分支管道，以及所述过滤单元包括第一过滤器和第二过滤器，所述第一过滤器设置在所述第一分支管道处并且带正电荷，所述第二过滤器设置在所述第二分支管道处并且带负电荷。4.根据权利要求3所述的基板处理设备，其中，所述电荷量控制单元包括设置在所述第一分支管道和所述第二分支管道汇合的点处并且连接到所述控制单元以控制穿过所述第一分支管道和所述第二分支管道的处理液的流量的所述控制阀。5.根据权利要求4所述的基板处理设备，其中，所述第一过滤器包括带正电荷的多孔膜，且所述第二过滤器包括带负电荷的多孔膜。6.根据权利要求1所述的基板处理设备，其中，所述过滤单元包括带负电荷或正电荷的至少一个过滤器，以及所述电荷量控制单元包括连接到所述控制单元并且被配置成向所述至少一个过滤器施加电压的所述电源单元。7.根据权利要求6所述的基板处理设备，其中，所述管道包括并联分支的第一分支管道和第二分支管道，所述过滤单元包括第一过滤器和第二过滤器，所述第一过滤器设置在所述第一分支管道处并且带正电荷，所述第二过滤器设置在所述第二分支管道处并且带负电荷，以及所述电源单元包括第一电源单元和第二电源单元，所述第一电源单元被配置成向所述第一过滤器施加正电荷，所述第二电源单元被配置成向所述第二过滤器施加负电荷。8.根据权利要求6所述的基板处理设备，其中，所述过滤单元包括单个过滤器，并且所述电源单元向所述单个过滤器施加与所述基板的荷电状态对应的电压。9.根据权利要求1所述的基板处理设备，其中，所述喷嘴单元包括喷嘴尖端和喷嘴臂，所述喷嘴尖端被配置成向所述基板喷射所述处理液，所述喷嘴臂具有所述喷嘴尖端连接到其的一个端部，并且所述过滤单元安装在所述喷嘴臂上。10.根据权利要求1所述的基板处理设备，还包括：电压差测量单元，在所述处理液被供应的方向上连接到所述过滤单元的上游和下游，并且被配置成测量穿过所述过滤单元的上游和下游的处理液的电压差，
其中，所述控制单元被配置成考虑所述电压差测量单元的测量结果来控制所述电荷量控制单元。11.根据权利要求1所述的基板处理设备，包括：电压差测量单元，在所述处理液被供应的方向上连接到与所述处理液供应单元的出口部分连接的管道以及所述过滤单元的下游，并且被配置成测量穿过与所述处理液供应单元的所述出口部分连接的所述管道以及所述过滤单元的下游的处理液的电压差，其中，所述控制单元被配置...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙永俊，李泰勋，李晟圭，尹铉，金度延，
申请(专利权)人：细美事有限公司，
类型：发明
国别省市：