一种无硅超轻离型膜制造技术

本实用新型专利技术属于离型膜技术领域，尤其涉及一种无硅超轻离型膜，包括基材层，基材层的一侧形成有无硅离型层，其特征在于，无硅离型层上形成有若干个凹槽，凹槽排布在无硅离型层远离基材层的一侧，以减少无硅离型层与产品的接触面积；凹槽的设置减少了无硅离型层与产品的接触面积，从而减小了离型膜剥离产品时的离型力，进而达到超轻的目的。进而达到超轻的目的。进而达到超轻的目的。

【技术实现步骤摘要】
一种无硅超轻离型膜


[0001]本技术属于离型膜
，尤其涉及一种无硅超轻离型膜。

技术介绍

[0002]目前电子类产品越来越高端，要求越来越高，某些特殊电子类产品对硅元素极其敏感，硅元素容易导致电子类产品的加工不良和短路风险，但是制程过程中又必须要有合适的保护膜类材料保护，这就对保护膜类产品提出了较高要求，严格控制保护膜类材料的硅含量范围，但目前传统的涂布厂商生产的超轻离型保护膜类产品都是普通有机硅离型膜，传统的非硅离型膜不能达到＜300g/in的20min离型力，而使用有机硅离型膜会导致硅转移到保护膜胶的表面，从而给材料带来硅污染的风险。目前越来越多的终端客户要求严格控制硅污染的风险，这就要求企业能够尽快开发出一款超轻离型的非硅离型膜以满足市场要求。

技术实现思路

[0003]本技术的目的在于提供一种无硅超轻离型膜，旨在解决现有技术中的传统的非硅离型膜不能达到＜300g/in的20min离型力，而使用有机硅离型膜会导致硅转移到保护膜胶的表面，从而给材料带来硅污染的风险的技术问题。
[0004]为实现上述目的，本技术实施例提供的一种无硅超轻离型膜，包括基材层，基材层的一侧形成有无硅离型层，其特征在于，无硅离型层上形成有若干个凹槽，凹槽排布在无硅离型层远离基材层的一侧，以减少无硅离型层与产品的接触面积。
[0005]进一步，所述基材层采用聚对苯二甲酸乙二醇酯材质。
[0006]进一步，所述基材层的厚度50～80μm，透光率为90～95％，雾度为1.4～2％。
[0007]进一步，基材层与无硅离型层之间还形成有电晕层。
[0008]本技术实施例提供的无硅超轻离型膜中的上述一个或多个技术方案至少具有如下技术效果之一：凹槽的设置减少了无硅离型层与产品的接触面积，从而减小了离型膜剥离产品时的离型力，进而达到超轻的目的。
附图说明
[0009]为了更清楚地说明本技术实施例中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0010]图1为本技术实施例提供的无硅超轻离型膜的结构示意图。
[0011]其中，图中各附图标记：
[0012]1—基材层2—电晕层3—无硅离型层
[0013]31—凹槽。
具体实施方式
[0014]下面详细描述本技术的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图1描述的实施例是示例性的，旨在用于解释本技术的实施例，而不能理解为对本技术的限制。
[0015]在本技术实施例的描述中，需要理解的是，术语“长度”、“宽度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术实施例和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。
[0016]此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本技术实施例的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
[0017]在本技术实施例中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本技术实施例中的具体含义。
[0018]在本技术的一个实施例中，如图1所示，提供一种无硅超轻离型膜，包括基材层1，基材层1的一侧形成有与产品表面接触的无硅离型层3，无硅离型层3上具有若干个蜂窝状的凹槽31，凹槽31阵列排布在无硅离型层3远离基材层1的一侧，凹槽31的设置减少了无硅离型层3与产品的接触面积，从而减小了离型膜剥离产品时的离型力，进而达到超轻的目的。
[0019]上述凹槽31的形状不局限于蜂窝状，也可以是圆形凹槽31，也可以是矩形凹槽31，阵列排布的圆形凹槽31和矩形凹槽31也能实现相同或近似的效果。
[0020]上述基材层1采用聚对苯二甲酸乙二醇酯材质，形成PET基材层1，厚度50～80μm，透光率为90～95％，雾度为1.4～2％，无硅离型层3为无硅离型剂固化而成，无硅离型剂使用的是烷烃共聚物，厚度为2～4μm，离型力为20
‑
50G。
[0021]进一步，在基材层1表面进行电晕处理，处理功率为12
‑
22KW，形成电晕层2，电晕层2位于基材层1与无硅离型层3之间，无硅离型剂涂覆在电晕层2上，电晕层2能增加基材层1表面的附着性，具有防止无硅离型层3从基材层1上脱离的作用。
[0022]本实施例的无硅离型膜，结构简单、合理，基材层1表面形成有电晕层2，然后再涂覆无硅离型剂，无硅离型剂使用的是烷烃共聚物，不存在残余接着力的问题，可完美的保证被贴合物的粘性。
[0023]以上所述仅为本技术的较佳实施例而已，并不用以限制本技术，凡在本技术的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本技术的保护范围之内。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种无硅超轻离型膜，包括基材层，基材层的一侧形成有无硅离型层，其特征在于，无硅离型层上形成有若干个凹槽，凹槽排布在无硅离型层远离基材层的一侧，以减少无硅离型层与产品的接触面积。2.根据权利要求1所述的无硅超轻离型膜，其特征在于：所述基材层采用聚对苯二甲酸乙二醇酯材质...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴永明，
申请(专利权)人：东莞市鑫玺源新材料科技有限公司，
类型：新型
国别省市：