一种耐候性高的偏光子、制备方法及偏光片技术

本发明专利技术提供了一种耐候性高的偏光子、制备方法及偏光片。该偏光子的含硼量不超过24％，所述含硼量为聚乙烯醇PVA膜在延伸药液槽中吸附的硼酸量。所述偏光子的制备方法，包括将聚乙烯醇PVA膜进行膨润、染色、洗净、延伸、调整、烘干处理生成。所述膨润、染色、洗净、延伸、调整处理分别在膨润槽、染色槽、洗净槽、延伸槽、调整槽等碘液或硼酸水溶液中进行，利用控制一槽或多槽药液的硼酸浓度和/或温度，调整PVA硼酸含有量，改善PVA的脆性，增强耐候性，从而改善偏光片耐候测试的裂纹问题。偏光片耐候测试的裂纹问题。偏光片耐候测试的裂纹问题。

【技术实现步骤摘要】
一种耐候性高的偏光子、制备方法及偏光片


[0001]本专利技术属于偏光片
，具体涉及一种耐候性高的偏光子、制备方法及偏光片。

技术介绍

[0002]现有偏光子的生产是将聚乙烯醇(polyvinyl alcohol，以下简称PVA)原料经过膨润(swelling)、染色(dyeing)、洗净、延伸(stretching)、调整等处理步骤，形成具有偏光功能的膜层。其中延伸处理，是在含有硼酸(boric acid，H3BO3)及碘化钾(potassium iodide，KI)的水溶液中进行。加入硼酸的目的是使之与PVA表面进行交联反应，以此进行固色并增加PVA膜的韧性从而可在水溶液中延伸，但另一方面，PVA膜的延展性因表面交联反应而受限，MD向有容易开裂的性质，如果TD方向增加拉应力时，偏光子就会开裂，产生裂纹。在偏光片进行耐候性测试时，受到(
‑
35～80℃)冷热交替冲击的影响，受到收缩、膨胀的力，偏光子作为偏光片中收缩最剧烈的材料，会产生最大的应力，从而出现裂纹，尤其在疏水性材质的偏光片架构上更为明显。随着偏光片生产幅宽的不断增大，偏光子生产槽体体积提高，保持偏光子全幅宽性能的均一性成为一大难点。此外，目前面板市场的尺寸需求逐渐增大，并且对于偏光片材质需求为疏水性材料，期望可以提高其耐湿的性能，但对于冷热冲击的耐候性是一大挑战。因此，生产疏水性材质的偏光片必须先改善冷热冲击所造成的裂纹现象。
[0003]有鉴于此，本专利技术有必要提供一种耐候性高的偏光子、制备方法及偏光片。
专利
技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于，改善偏光子在耐候性测试中出现裂纹的问题，提供了一种耐候性高的偏光子，通过调整偏光子的含硼量来改善偏光子的脆性，减少裂纹的出现，增强耐候性。
[0005]为实现以上目标，本专利技术可以通过以下技术方案来实现：
[0006]一种耐候性高的偏光子，所述偏光子的含硼量不超过24％，所述含硼量为聚乙烯醇PVA膜在延伸药液槽中吸附的硼酸量。
[0007]优选地，所述延伸药液槽包括染色槽、洗净槽、延伸槽及调整槽。
[0008]优选地，通过调整所述染色槽、洗净槽、延伸槽、调整槽中至少一槽的硼酸浓度和/或温度来调整所述含硼量。
[0009]优选地，通过调整所述延伸槽的硼酸浓度和/或温度来调整所述含硼量。
[0010]优选地，所述延伸槽中硼酸浓度不超过6％。
[0011]本专利技术还提供了一种耐候性高的偏光子的制备方法，包括如下步骤：
[0012](1)膨润：将聚乙烯醇PVA膜浸泡在膨润槽中进行表面清洁及膨润；
[0013](2)染色：将聚乙烯醇PVA膜经染色槽加入碘液染色，硼酸固定碘分子；
[0014](3)洗净：将聚乙烯醇PVA膜与碘分子在洗净槽中进行架桥；
[0015](4)延伸：将聚乙烯醇PVA膜在延伸槽中拉伸1.1～7倍；
[0016](5)调整：通过调整槽中的碘浓度调整聚乙烯醇PVA膜的光学值，修正色相，制得耐候性高的偏光子，所述偏光子的含硼量不超过24％。
[0017]优选地，所述染色槽中碘浓度0.01～10％，硼酸浓度0～6％；所述洗净槽中硼酸浓度0～6％；所述延伸槽中硼酸浓度0～6％；所述调整槽中碘浓度0.1～10％，硼酸浓度0.1～6％；所述染色槽、洗净槽、延伸槽、调整槽中硼酸浓度波动值不超过1％。
[0018]优选地，所述染色槽、洗净槽、延伸槽、调整槽中硼酸浓度波动值不超过0.4％。
[0019]优选地，所述膨润槽的温度为10～40℃，膨润时间为10～120秒；所述染色槽的温度为10～50℃，染色时间为10～100秒；所述洗净槽的温度为10～50℃，架桥时间为10～50秒；所述延伸槽的温度为40～80℃，延伸时间为10～50秒；所述调整槽的温度为0～40℃；所述膨润槽、染色槽、洗净槽、延伸槽、调整槽中温度波动值不超过2℃。
[0020]优选地，所述膨润槽、染色槽、洗净槽、延伸槽、调整槽中温度波动值不超过0.4℃。
[0021]此外，本专利技术还提供了一种耐候性高的偏光片，包括上述的耐候性高的偏光子及分别设置在所述偏光子两侧的上支撑膜和下支撑膜。
[0022]优选地，所述上支撑膜、所述下支撑膜为三醋酸纤维素膜、环戊烯膜或亚克力膜。
[0023]优选地，所述上支撑膜远离所述偏光子的一侧还设置有保护膜。
[0024]优选地，所述下支撑膜远离所述偏光子的一侧还设置有感压胶层，所述感压胶层远离所述下支撑膜的一侧设置有离型膜。
[0025]与现有技术相比，本专利技术具有以下优点：
[0026]本专利技术通过在聚乙烯醇PVA膜延伸过程中降低含硼量，制备优良耐候性，且不影响光学性能的偏光子，可以减少硼酸的使用量，增强其脆性，并且通过调整硼酸含有量，可以产生更优秀的耐候性。
附图说明
[0027]图1为本专利技术耐候性高的偏光片的剖面结构示意图，
[0028]图2为本专利技术耐候性高的偏光子的制造过程的结构示意图，
[0029]图3为本专利技术耐候性高的偏光子的硼酸自动下料机的结构示意图，
[0030]图4为本专利技术耐候性高的偏光子的线上槽体温控系统的位置结构和温度分布测定点示意图。
[0031]图中标记的含义：1
‑
保护膜，2
‑
上支撑膜，3
‑
偏光子，4
‑
下支撑膜，5
‑
感压胶层，6
‑
离型膜，7
‑
聚乙烯醇PVA膜，8
‑
膨润槽，9
‑
染色槽，10
‑
洗净槽，11
‑
延伸槽，12
‑
调整槽，13
‑
漏斗，14
‑
硼酸粉末，15
‑
PID自动控制系统，16
‑
搅拌桨一，17
‑
螺杆，18
‑
搅拌桨二，19
‑
线上槽控温系统，20
‑
温度分布测定点。
具体实施方式
[0032]以下将结合附图所示的各实施方式对本专利技术进行详细描述。但这些实施方式并不限制本专利技术，本领域的普通技术人员根据这些实施方式所做出的结构、方法、或功能上的变换均包含在本专利技术的保护范围内。
[0033]正如
技术介绍
部分所描述的，在偏光片进行耐候性测试时，受到(
‑
35～80℃)冷热
交替冲击的影响，受到收缩、膨胀的力，偏光子作为偏光片中收缩最剧烈的材料，会产生最大的应力，从而出现裂纹，尤其在疏水性材质的偏光片架构上更为明显。
[0034]为了解决上述问题，本专利技术提供了一种耐候性高的偏光子3，所述偏光子3的含硼量不超过24％，所述含硼量为聚乙烯醇PVA膜7在延伸药液槽中吸附的硼酸量。本专利技术通过调整偏光子3的含硼量来改善偏光子3的脆性，减少裂纹的出现，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种耐候性高的偏光子，其特征在于，所述偏光子的含硼量不超过24％，所述含硼量为聚乙烯醇PVA膜在延伸药液槽中吸附的硼酸量。2.根据权利要求1所述的耐候性高的偏光子，其特征在于，所述延伸药液槽包括染色槽、洗净槽、延伸槽及调整槽。3.根据权利要求2所述的耐候性高的偏光子，其特征在于，通过调整所述染色槽、洗净槽、延伸槽、调整槽中至少一槽的硼酸浓度和/或温度来调整所述含硼量。4.根据权利要求3所述的耐候性高的偏光子，其特征在于，通过调整所述延伸槽的硼酸浓度来调整所述含硼量。5.根据权利要求4所述的耐候性高的偏光子，其特征在于，所述延伸槽中硼酸浓度不超过6％。6.一种耐候性高的偏光子的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)膨润：将聚乙烯醇PVA膜浸泡在膨润槽中进行表面清洁及膨润；(2)染色：将聚乙烯醇PVA膜经染色槽加入碘液染色，硼酸固定碘分子；(3)洗净：将聚乙烯醇PVA膜与碘分子在洗净槽中进行架桥；(4)延伸：将聚乙烯醇PVA膜在延伸槽中拉伸1.1～7倍；(5)调整：通过调整槽中的碘浓度调整聚乙烯醇PVA膜的光学值，修正色相，制得耐候性高的偏光子，所述偏光子的含硼量不超过24％。7.根据权利要求6所述的耐候性高的偏光子的制备方法，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：杜双，李陵杰，黄麟智，施明志，张均铭，黄源，
申请(专利权)人：恒美光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：