量子点单元的加工方法技术

本发明专利技术公开了一种量子点单元的加工方法，量子点单元的加工方法包括：在透明基板的一侧涂第一光刻胶层；曝光显影，第一光刻胶层的一部分保留并形成第一残留部；在透明基板的曝光显影侧镀设第一透明导电层；剥离第一残留部，第一透明导电层上形成有位于剥离区域的一侧的第一凸出部；在第一透明导电层远离透明基板的一侧涂量子点层；涂第二光刻胶层；曝光显影，第二光刻胶层的一部分保留并形成第二残留部，第二残留部与第一残留部靠近透明基板的同一棱边设置；在透明基板的曝光显影侧镀设第二透明导电层；剥离第二残留部，第二透明导电层形成有位于第二残留部的一侧的第二凸出部。根据本发明专利技术的加工方法，能够实现量子体单元层的独立显示。立显示。立显示。

【技术实现步骤摘要】
量子点单元的加工方法
[0001]本案是申请号为202110701334.1、申请日为2021年06月23日、专利技术创造名称为“量子点复合体、三维显示元件及其加工方法”的分案申请。


[0002]本专利技术涉及显示
，尤其是涉及一种量子点单元的加工方法。

技术介绍

[0003]现有的固态体积式三维显示技术如基于上转换材料的三维显示技术和液晶层叠的三维显示技术存在着各自的问题，前者亮度低且对比度不高，后者纵向分辨率低且观看角度单一。此外，各个量子点单元之间的显示相互影响，降低了具有量子点单元的显示元件的显示效果。

技术实现思路

[0004]本专利技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本专利技术的一个目的在于提出一种量子点单元的加工方法，实现了对量子体单元层的电场的独立施加，从而能够实现量子体单元层的独立显示。
[0005]本专利技术的另一个目的在于提出一种采用上述的量子点单元的加工方法加工而成的量子点单元。
[0006]根据本专利技术第一方面实施例的量子点单元的加工方法，所述量子点单元包本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种量子点单元的加工方法，其特征在于，所述量子点单元包括透明基板、第一透明导电层、量子点层和第二透明导电层，所述第一透明导电层和所述量子点层位于所述透明基板的一侧、且依次远离所述透明基板设置，所述第二透明导电层位于所述透明基板的另一侧，或者位于所述量子点层的远离所述透明基板的一侧，所述量子点单元的加工方法包括：准备所述透明基板；在所述透明基板的一侧涂第一光刻胶层；曝光显影，所述第一光刻胶层的一部分保留并形成第一残留部；在所述透明基板的所述曝光显影侧镀设所述第一透明导电层；剥离所述第一残留部，所述第一透明导电层上形成有位于剥离区域的一侧的第一凸出部；在所述第一透明导电层远离所述透明基板的一侧涂所述量子点层；涂第二光刻胶层；曝光显影，所述第二光刻胶层的一部分保留并形成第二残留部，所述第二残留部与所述第一残留部靠近所述透明基板的同一棱边设置；在所述透明基板的所述曝光显影侧镀设所述第二透明导电层；剥离所述第二残留部，所述第二透明导电层形成有位于所述第二残留部的一侧的第二凸出部，所述第二凸出部与所述第一凸出部错开分布。2.根据权利要求1所述的量子点单元的加工方法，其特征在于，所述量子点层的厚度为d1，所述d1满足：0.05μm≤d1≤10μm。3.根据权利要求1所述的量子点单元的加工方法，其特征在于，所述透明基板的厚度为d2，所述d2满足：0.1mm≤d2≤0.5mm，其中，所述透明基板的上下光面的平行度和平面度的误差控制在
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【专利技术属性】
技术研发人员：张亮亮，韩成飞，
申请(专利权)人：安徽省东超科技有限公司，
类型：发明
国别省市：