本发明专利技术涉及基板处理装置和基板处理方法。本发明专利技术的示例性实施方案提供了一种基板处理方法，该基板处理方法包括通过连续地执行如下工艺去除在基板上形成的颗粒：将包括聚合物和溶剂的处理液供应到该基板上；通过使该处理液中的溶剂挥发，形成固化的液膜；通过将剥离液供应到该基板上，从该基板去除该固化的液膜；以及将冲洗液供应到该基板上。以及将冲洗液供应到该基板上。以及将冲洗液供应到该基板上。
【技术实现步骤摘要】
基板处理装置和基板处理方法
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2021年12月28日提交韩国知识产权局的、申请号为10
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2021
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0189942的韩国专利申请的优先权和权益，其全部内容通过引用结合在本申请中。
[0003]本专利技术涉及一种用于处理基板的装置，并且更特别地涉及一种通过将液体供应到基板用该液体来处理基板的基板处理装置和基板处理方法。
技术介绍
[0004]一般地，为了制造半导体设备，执行各种工艺，诸如光刻工艺、蚀刻工艺、离子注入工艺和沉积工艺。此外，在执行这些工艺之前和之后，执行对残留在基板上的颗粒进行清洁的清洁工艺。
[0005]清洁工艺包括将化学品供应到由支承单元支承并旋转的基板的工艺、通过将诸如去离子水(deionized water，DIW)等清洁液供应到基板来从基板去除化学品的工艺、将诸如异丙醇(isopropyl alcohol，IPA)等有机溶剂(其具有比清洁液更低的表面张力)供应到基板以用该有机溶剂替换基板上的清洁液的工艺、以及去除基板上的替换后的有机溶剂的工艺。
[0006]当执行上述清洁工艺时，残留在基板上的特定尺寸或更大尺寸的颗粒容易被去除，但是具有精细尺寸的颗粒的去除效率低。此外，沉积在基板上形成的图案的边缘区域上的颗粒不容易被去除。
技术实现思路
[0007]本专利技术致力于提供一种能够有效地处理基板的基板处理装置和基板处理方法。
[0008]本专利技术也致力于提供一种能够有效地去除沉积在基板上的颗粒的基板处理装置和基板处理方法。
[0009]本专利技术也致力于提供一种基板处理装置和基板处理方法，其中，处理液可以容易地渗透到在基板上形成的图案中。
[0010]本专利技术的目的不限于此，并且本领域普通技术人员将从以下描述清楚地理解未提及的其他目的。
[0011]本专利技术的示例性实施方案提供了一种基板处理方法，该基板处理方法包括通过连续地执行如下工艺去除在基板上形成的颗粒：将包括聚合物和溶剂的处理液供应到该基板上；通过使该处理液中的溶剂挥发，形成固化的液膜；通过将剥离液供应到该基板上，从该基板去除该固化的液膜；以及将冲洗液供应到该基板上。
[0012]根据示例性实施方案，该工艺可以被执行两次。
[0013]根据示例性实施方案，在第二次工艺中，该处理液可以在该基板涂覆有冲洗液的状态下被供应到该基板上。
[0014]根据示例性实施方案，在第一次工艺中，该处理液可以被供应到以第一速度旋转的该基板，并且在该第二次工艺中，该处理液可以被供应到以低于该第一速度的第二平均速度旋转的该基板。
[0015]根据示例性实施方案，在该处理液在该第二次工艺中被供应到该基板的情况下，该基板的旋转速度可以从低于该第二平均速度的第三速度变化到该第一速度。
[0016]根据示例性实施方案，该第二次工艺中的该剥离液可以被提供有过氧化氢溶液、或者过氧化氢溶液和去离子水的混合溶液。
[0017]根据示例性实施方案，该第一次工艺中的该剥离液可以被提供有去离子水。
[0018]根据示例性实施方案，该第一次工艺中的该剥离液和该第二次工艺中的该剥离液可以被不同地提供。
[0019]根据示例性实施方案，该冲洗液可以是异丙醇。
[0020]根据示例性实施方案，该基板可以在去除该颗粒的工艺期间旋转。
[0021]本专利技术的另一示例性实施方案提供了一种基板处理方法，该基板处理方法包括：去除基板上形成的污染物的在先去除操作(prior removal operation)；以及进一步去除在该在先去除操作之后残留在该基板上的残余污染物的在后去除操作(post removal operation)，其中，该在先去除操作和该在后去除操作中的每一者均包括：将包括聚合物和溶剂的处理液供应到该基板上的处理液供应操作；通过使该处理液中的溶剂挥发而形成液膜的液膜形成操作；将剥离液供应到该基板上以从该基板去除固化的液膜的剥离操作；以及将冲洗液供应到该基板以清洁该基板的冲洗操作。
[0022]根据示例性实施方案，该在先去除操作中的该剥离液可以被提供有去离子水，并且该在后去除操作中的该剥离液可以被提供有过氧化氢溶液、或者过氧化氢溶液和去离子水的混合溶液。
[0023]根据示例性实施方案，该在后去除操作的该处理液供应操作可以包括：将该处理液供应到涂覆有在该在先去除操作中供应的该冲洗液的该基板。
[0024]根据示例性实施方案，在该在先去除操作的该处理液供应操作中，该处理液可以被供应到以第一速度旋转的该基板，并且在该在后去除操作的该处理液供应操作中，该处理液可以被供应到以低于该第一速度的第二平均速度旋转的该基板，并且在该处理液被供应到该基板的情况下，该基板的旋转速度从低于该第二平均速度的第三速度变化到该第一速度。
[0025]根据示例性实施方案，该冲洗液可以是异丙醇。
[0026]本专利技术的又一示例性实施方案提供了一种基板处理装置，该基板处理装置包括：壳体，该壳体具有处理空间；支承单元，该支承单元用于支承并旋转该处理空间中的该基板；支承单元，该支承单元用于支承并旋转该处理空间中的该基板；以及控制器，该控制器用于控制该支承单元和该液体供应单元，其中，该液体供应单元包括：处理液供应喷嘴，该处理液供应喷嘴用于将包括聚合物和溶剂的处理液供应到该基板；第一剥离液供应喷嘴，该第一剥离液供应喷嘴用于将第一剥离液供应到该基板；第二剥离液供应喷嘴，该第二剥离液供应喷嘴用于将第二剥离液供应到该基板；以及冲洗液供应喷嘴，该冲洗液供应喷嘴用于将冲洗液供应到该基板，并且该控制器控制该液体供应单元，以便将该处理液、该第一剥离液、该冲洗液、该处理液、该第二剥离液和该冲洗液依序地供应到该基板，并且将该处
理液供应到残留有该冲洗液的该基板。
[0027]根据示例性实施方案，该控制器可以控制该支承单元，使得在供应该冲洗液的情况下，由该支承单元支承的该基板以第一速度旋转，并且在将该处理液供应到供应了该冲洗液的该基板的情况下，由该支承单元支承的该基板以低于该第一速度的第二平均速度旋转。
[0028]根据示例性实施方案，该控制器可以控制该支承单元，使得在该处理液被供应到供应了该冲洗液的该基板的情况下，该基板的旋转速度从低于该第二平均速度的第三速度变化到该第一速度。
[0029]根据示例性实施方案，该第一速度可以为1500rpm，并且该第三速度可以为100rpm。
[0030]根据示例性实施方案，该第一剥离液可以被提供有去离子水，并且该第二剥离液可以被提供有过氧化氢溶液、或者过氧化氢溶液和去离子水的混合溶液。
[0031]根据本专利技术的示例性实施方案，能够有效地处理基板。
[0032]进一步地，根据本专利技术的示例性实施方案，能够有效地去除在基板上沉积的颗粒。
[0033]进一步地，根据本专利技术的示例性实施方案，处理液可以容易地渗透到在基板上形成的图本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种基板处理方法，所述基板处理方法包括：通过连续地执行如下工艺去除在基板上形成的颗粒：将包括聚合物和溶剂的处理液供应到所述基板上；通过使所述处理液中的所述溶剂挥发，形成固化的液膜；通过将剥离液供应到所述基板上，从所述基板去除所述固化的液膜；以及将冲洗液供应到所述基板上。2.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，所述工艺被执行两次。3.根据权利要求2所述的基板处理方法，其中，在第二次工艺中，所述处理液在所述基板涂覆有所述冲洗液的状态下被供应到所述基板上。4.根据权利要求3所述的基板处理方法，其中，在第一次工艺中，所述处理液被供应到以第一速度旋转的所述基板，并且在所述第二次工艺中，所述处理液被供应到以低于所述第一速度的第二平均速度旋转的所述基板。5.根据权利要求4所述的基板处理方法，其中，在所述处理液在所述第二次工艺中被供应到所述基板的情况下，所述基板的旋转速度从低于所述第二平均速度的第三速度变化到所述第一速度。6.根据权利要求5所述的基板处理方法，其中，所述第二次工艺中的所述剥离液被提供有过氧化氢溶液、或者过氧化氢溶液和去离子水的混合溶液。7.根据权利要求6所述的基板处理方法，其中，所述第一次工艺中的所述剥离液被提供有去离子水。8.根据权利要求1至6中任一项所述的基板处理方法，其中，所述第一次工艺中的所述剥离液和所述第二次工艺中的所述剥离液被不同地提供。9.根据权利要求1至7中任一项所述的基板处理方法，其中，所述冲洗液是异丙醇。10.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，在去除所述颗粒的工艺期间，旋转所述基板。11.一种基板处理方法，所述基板处理方法包括：去除基板上形成的污染物的在先去除操作；以及进一步去除在所述在先去除操作之后残留在所述基板上的残余污染物的在后去除操作，其中，所述在先去除操作和所述在后去除操作中的每一者均包括：将包括聚合物和溶剂的处理液供应到所述基板上的处理液供应操作；通过使所述处理液中的溶剂挥发而形成液膜的液膜形成操作；将剥离液供应到所述基板上以从所述基板去除固化的液膜的剥离操作；以及将冲洗液供应到所述基板以清洁所述基板的冲洗操作。12.根据权利要求11所述的基板处理方法，其中，所述在先去除操作中的所述剥离液被提供有去离子水，并且所述在后去除操作中的所述剥离液被提供有过氧化氢溶液、或者过氧化氢溶液和去离子水的混合溶液。13.根据权利要求12所述的基板处理方法，其中，所述在后去除操作的所述处理液供应操作包括：将所述处理...
【专利技术属性】
技术研发人员：赵旼熙，李炅珉，姜元荣，金康卨，金兑根，
申请(专利权)人：细美事有限公司，
类型：发明
国别省市：
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