一种膜层厚度控制装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种膜层厚度控制装置，包括：蒸镀基板；至少一个蒸镀点源，用于对蒸镀材料进行加热蒸发，以使气化的蒸镀材料粒子在蒸镀基板面向蒸镀点源的一面形成蒸镀膜层；遮挡板，设置在蒸镀基板与蒸镀点源之间；其中，遮挡板与蒸镀基板之间具有间隔，遮挡板在蒸镀基板上的正投影位于蒸镀基板内，且覆盖蒸镀点源在蒸镀基板上的正投影；旋转机构，连接蒸镀基板，用于带动蒸镀基板旋转，蒸镀基板在旋转过程中，遮挡板遮挡靠近蒸镀点源的蒸镀材料粒子形成到遮挡板，以在蒸镀基板上形成膜厚均匀的蒸镀膜层。旨在提供一种控制蒸镀基板上蒸镀材料粒子量的沉积量，以使在蒸镀基板上形成膜厚均匀的蒸镀膜层的控制装置。匀的蒸镀膜层的控制装置。匀的蒸镀膜层的控制装置。

【技术实现步骤摘要】
一种膜层厚度控制装置


[0001]本专利技术涉及蒸镀
，特别是涉及一种膜层厚度控制装置。

技术介绍

[0002]有机发光二极管器件(OLED)较传统的液晶显示器件(LCD)相比，具有自发光、轻薄、对比度高、视角广、色彩艳丽等特点。此外，OLED器件厚度远小于LCD器件厚度，可制成弯折、曲面、卷曲等多种形态，突破屏幕的传统形式，广泛应用于穿戴设备。
[0003]OLED器件为多膜层结构组成，制造时普遍采用真空蒸镀工艺，使有机、金属材料一层一层地沉积在基板上。
[0004]目前常用的蒸镀设备为点源蒸镀设备，然而蒸发或升华的有机材料气态粒子在空间中分布不均匀，这就导致基板上沉积的膜厚存在差异。

技术实现思路

[0005]有鉴于此，本专利技术旨在提出一种膜层厚度控制装置，以解决目前的基板蒸镀膜层厚度不均匀的问题。
[0006]为达到上述目的，本专利技术的技术方案是这样实现的：
[0007]一种膜层厚度控制装置，包括：
[0008]蒸镀基板；
[0009]至少一个蒸镀点源，用于对蒸镀材料进行加热蒸发，以使气化的蒸镀材料粒子在所述蒸镀基板面向所述蒸镀点源的一面形成蒸镀膜层；
[0010]遮挡板，设置在所述蒸镀基板与所述蒸镀点源之间；其中，所述遮挡板与所述蒸镀基板之间具有间隔，所述遮挡板在所述蒸镀基板上的正投影位于所述蒸镀基板内，且覆盖所述蒸镀点源在所述蒸镀基板上的正投影；
[0011]旋转机构，连接所述蒸镀基板，用于带动所述蒸镀基板旋转，所述蒸镀基板在旋转过程中，所述遮挡板遮挡靠近所述蒸镀点源的蒸镀材料粒子形成到所述遮挡板，以在所述蒸镀基板上形成膜厚均匀的蒸镀膜层。
[0012]进一步地，所述遮挡板为扇形遮挡板；
[0013]其中，所述扇形遮挡板的宽度与所述扇形遮挡板在所述蒸镀基板上的正投影处的蒸镀膜层厚度之间满足负相关的关系，所述扇形遮挡板的宽度为两个侧边上分别与顶点的直线距离相同的两点连线所构成的多个弦长。
[0014]进一步地，所述蒸镀基板和所述至少一个蒸镀点源位于蒸镀腔室内，在所述蒸镀点源有多个的情况下，多个所述蒸镀点源在所述蒸镀腔室的底部均匀分布；
[0015]其中，所述遮挡板与所述旋转机构连接，并随所述旋转机构的带动而旋转，以使所述遮挡板依次旋转至多个所述蒸镀点源的正上方，以依次对所述蒸镀点源所蒸发的蒸镀材料粒子进行遮挡。
[0016]进一步地，在所述蒸镀点源为一个的情况下，所述蒸镀点源在所述蒸镀基板上的
正投影位于所述蒸镀基板所在的旋转圆周面的圆心处，或偏离圆心处；所述旋转圆周面为所述蒸镀基板进行旋转的圆形轨迹。
[0017]进一步地，所述遮挡板设置于以所述蒸镀点源为端点的第一连线与第二连线之间的区域内；
[0018]其中，所述第一连线为所述蒸镀点源与所述蒸镀基板所在的旋转圆周面的圆心之间的连线，所述第二连线为所述蒸镀点源与所述蒸镀基板所在的旋转圆周面的边缘之间的连线。
[0019]进一步地，所述遮挡板的尺寸与所述遮挡板到所述蒸镀点源的垂直距离之间满足正相关关系；
[0020]其中，所述遮挡板的尺寸包括所述遮挡板的半径长度和多个弦长宽度，所述弦长为所述遮挡板的两个侧边上分别与顶点的直线距离相同的两点连线的长度。
[0021]进一步地，所述遮挡板为空心遮挡板，所述遮挡板的厚度为1mm～5mm。
[0022]进一步地，所述装置还包括
[0023]蒸镀托盘；
[0024]所述蒸镀基板位于所述蒸镀托盘面向所述蒸镀点源的一侧上；
[0025]所述蒸镀托盘与所述旋转机构连接，以在所述旋转机构的带动下进行旋转。
[0026]进一步地，所述蒸镀托盘包括多个容置槽，每个所述容置槽用于容纳一个所述蒸镀基板；
[0027]其中，所述遮挡板的宽度与其在所述蒸镀托盘上的正投影处的蒸镀膜层厚度之间满足负相关的关系，所述遮挡板的宽度为两个侧边上分别与顶点的直线距离相同的两点连线所构成的多个弦长。
[0028]进一步地，所述蒸镀基板为含有电极的玻璃基板。
[0029]相对于现有技术，本专利技术所提供的膜层厚度控制装置具有如下所述优势：
[0030]本专利技术通过一种膜层厚度控制装置，包括：蒸镀基板；至少一个蒸镀点源，用于对蒸镀材料进行加热蒸发，以使气化的蒸镀材料粒子在所述蒸镀基板面向所述蒸镀点源的一面形成蒸镀膜层；遮挡板，设置在所述蒸镀基板与所述蒸镀点源之间；其中，所述遮挡板与所述蒸镀基板之间具有间隔，所述遮挡板在所述蒸镀基板上的正投影位于所述蒸镀基板内，且覆盖所述蒸镀点源在所述蒸镀基板上的正投影；旋转机构，连接所述蒸镀基板，用于带动所述蒸镀基板旋转，所述蒸镀基板在旋转过程中，所述遮挡板遮挡靠近所述蒸镀点源的蒸镀材料粒子形成到所述遮挡板，以在所述蒸镀基板上形成膜厚均匀的蒸镀膜层。
[0031]由于在蒸镀点源与蒸镀基板之间设置遮挡板，遮挡板在蒸镀基板上的正投影覆盖蒸镀点源在蒸镀基板上的正投影，以使遮挡板对蒸镀点源喷发出的蒸镀材料粒子起到部分遮挡的作用，如此，控制蒸镀基板上蒸镀材料粒子量的沉积量，以使在蒸镀基板上形成膜厚均匀的蒸镀膜层。
附图说明
[0032]构成本专利技术的一部分的附图用来提供对本专利技术的进一步理解，本专利技术的示意性实施例及其说明用于解释本专利技术，并不构成对本专利技术的不当限定。在附图中：
[0033]图1示出了蒸镀腔室内部蒸镀材料粒子分布示意图；
[0034]图2示出了本专利技术实施例一的一种膜层厚度控制装置的结构示意图；
[0035]图3示出了本专利技术实施例的扇形遮挡板形状示意图；
[0036]图4示出了本专利技术实施例的蒸镀点源在蒸镀基板上的正投影位于蒸镀基板的旋转圆周面的圆心处的示意图；
[0037]图5示出了本专利技术实施例的蒸镀点源在蒸镀基板上的正投影在蒸镀基板的旋转圆周面内且偏离圆心处的示意图；
[0038]图6示出了本专利技术实施例的以蒸镀点源在蒸镀基板上的正投影为原点的坐标系示意图；
[0039]图7示出了本专利技术实施例的以蒸镀点源在蒸镀基板上的正投影为原点的坐标系示意图；
[0040]图8示出了本专利技术实施例不同q值下点C的蒸镀膜层厚度示例图；
[0041]图9示出了本专利技术实施例的蒸镀膜层厚度变化曲线图；
[0042]图10示出了本专利技术实施例的蒸镀点源在蒸镀基板上的正投影位于蒸镀基板旋转圆周面外的示意图；
[0043]图11示出了本专利技术实施例的不同q值下点C的蒸镀膜层厚度示例图；
[0044]图12示出了本专利技术实施例的蒸镀膜层厚度变化曲线图；
[0045]图13示出了本专利技术实施例的遮挡板位置设置示意图；
[0046]图14示出了本专利技术实施例的扇形遮挡板结构示意图。
[0047]附图标记：
[0048]101
‑
蒸镀基板；102
‑
至少一个蒸镀点源；103
‑
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种膜层厚度控制装置，其特征在于，所述装置包括：蒸镀基板；至少一个蒸镀点源，用于对蒸镀材料进行加热蒸发，以使气化的蒸镀材料粒子在所述蒸镀基板面向所述蒸镀点源的一面形成蒸镀膜层；遮挡板，设置在所述蒸镀基板与所述蒸镀点源之间；其中，所述遮挡板与所述蒸镀基板之间具有间隔，所述遮挡板在所述蒸镀基板上的正投影位于所述蒸镀基板内，且覆盖所述蒸镀点源在所述蒸镀基板上的正投影；旋转机构，连接所述蒸镀基板，用于带动所述蒸镀基板旋转，所述蒸镀基板在旋转过程中，所述遮挡板遮挡靠近所述蒸镀点源的蒸镀材料粒子形成到所述遮挡板，以在所述蒸镀基板上形成膜厚均匀的蒸镀膜层。2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述遮挡板为扇形遮挡板；其中，所述扇形遮挡板的宽度与所述扇形遮挡板在所述蒸镀基板上的正投影处的蒸镀膜层厚度之间满足负相关的关系，所述扇形遮挡板的宽度为两个侧边上分别与顶点的直线距离相同的两点连线所构成的多个弦长。3.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述蒸镀基板和所述至少一个蒸镀点源位于蒸镀腔室内，在所述蒸镀点源有多个的情况下，多个所述蒸镀点源在所述蒸镀腔室的底部均匀分布；其中，所述遮挡板与所述旋转机构连接，并随所述旋转机构的带动而旋转，以使所述遮挡板依次旋转至多个所述蒸镀点源的正上方，以依次对所述蒸镀点源所蒸发的蒸镀材料粒子进行遮挡。4.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，在所述蒸镀点源为一个的情况下，所述蒸镀点源在所述蒸镀基板上的正投影位于所述蒸镀基板所在的...

【专利技术属性】
技术研发人员：张坤，卿万梅，陈林，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：