一种蒸发真空镀膜设备的腔体制造技术

本实用新型专利技术提供一种蒸发真空镀膜设备的腔体，包括反应腔体，还包括，蒸发腔体，贯通连接所述反应腔体的底部，内部安装有蒸发源，第一法兰，设于所述反应腔体的顶部中间，用于安装基片架转动系统和膜厚监控系统，真空腔体，所述真空腔体一侧与反应腔体的一侧贯通连接，本实用新型专利技术：通过由蒸发腔体、反应腔体及真空腔体三部分组成设备腔体，在既保证腔体真空效率及真空度的前提下，最大程度地提高腔体内镀膜的均匀性、一致性，对反应工艺的效率提高及设备成本的可控均有较大影响，利用反应腔体与蒸发腔体配合，同时最大程度地减小蒸发腔体的体积。体积。体积。

【技术实现步骤摘要】
一种蒸发真空镀膜设备的腔体


[0001]本技术涉及蒸发真空镀膜
，具体为一种蒸发真空镀膜设备的腔体。

技术介绍

[0002]真空蒸发镀膜，指的是采用一定的蒸发加热方式蒸发相应蒸发物质，蒸发物质如金属、化合物等置于坩埚或钨舟内作为蒸发源，待镀基片置于坩埚上方。待系统抽至高真空后，加热坩埚使其中的物质蒸发，蒸发物质的原子或分子以冷凝方式沉积在基片表面。
[0003]经过检索发现申请号为：CN202021013114.7的一种电子束蒸发台的本技术其内容涵盖有：包括箱体、旋转装置、坩埚和电子枪，所述箱体为内部具有真空腔室的腔体，所述旋转装置枢转安装于腔体的顶部，所述旋转装置放置有基片，所述坩埚设于旋转装置的下方，所述坩埚设置有多个，所述坩埚放置有靶材，所述电子枪设于腔体内，所述电子枪可对靶材施加高温，通过设置旋转装置使腔体内可以同时放置多个基片，在相同的腔体体积下本技术可以放置更多的基片，且可以通过电子枪对靶材通过电子束进行蒸发，使基片可以实现不同厚度的镀膜以及不同材质的镀膜，且不多材质的镀膜可以同时进行；且通过在相对体积的腔体内设置旋转装置，可以合理优化出合适的空间，又能满足工艺要求，产能要求，维护还方便；
[0004]但是对于上述所采用的腔体设计普遍为圆筒形，而且缺点明显：机器内部腔室体积较大，容易对真空抽速效率方面有所降低，相比来说，本方案所采用的腔体设计更为科学，通过反应腔体与蒸发腔体配合实现蒸发反应也更为合理。
[0005]进一步检索发现申请号为：CN201922155466.X的一种大型蒸发镀膜机的腔体，其内容包括：腔本体、腔体门，所述腔本体一侧开口，所述腔体门安装在腔本体的开口处，所述腔本体与腔体门的外壁上设置具有冷却功能的冷却系统；所述腔本体的顶板上设置有一个第一法兰；所述腔本体的侧壁上设置有用于安装高真空获得装置和简易挡板阀的第二法兰；所述腔本体的侧壁上还设置有第三法兰；所述腔体门的侧壁上设置有三个观察视窗；所述冷却系统包括布满腔本体与腔体门的外壁的冷却水道。本技术通过在腔体的外侧壁上布置冷却水道，使用冷却水经过冷却水道与腔体壁接触实现换热，将腔体内因蒸镀产生的大量的热带出，可以有效降低腔体的温度。
[0006]上述当中所采纳的腔体结构只设计了一个真空获得接口，并还存在以下的问题：
[0007]1)由于薄膜厚度可由数百埃至数微米，因此膜厚度，取决于蒸发源的蒸发速率和蒸发效率，并与源和基片的距离有关，因此对于大面积镀膜，常采用旋转基片或多蒸发源的方式以保证膜层厚度的均匀性，从蒸发源到基片的距离应小于蒸气分子在残余气体中的平均自由程，以免蒸气分子与残气分子碰撞引起化学作用，蒸气分子平均动能约为0.1～0.2电子伏；
[0008]2)现有的真空蒸发镀膜设备，在处理大型基片时，加热蒸发源，蒸发的气体以锥球面状向外扩散，因此对于衬底基片与蒸发源之间的距离越大，基片上生成的膜厚均匀性越好，反之则越差，而由于衬底基片与蒸发源之间距离越大，其要求的蒸发设备的腔体体积越
大，同时设备生产制作成本越高，为了解决其技术方案当中控制薄膜厚度不好控制的问题，因此迫切需要一种方案用以解决此类问题。

技术实现思路

[0009]本技术的目的在于提供一种蒸发真空镀膜设备的腔体，以解决上述
技术介绍
提出的问题。
[0010]为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：一种蒸发真空镀膜设备的腔体，包括反应腔体，还包括：
[0011]蒸发腔体，贯通连接所述反应腔体的底部，内部安装有蒸发源；
[0012]第一法兰，设于所述反应腔体的顶部中间，用于安装基片架转动系统和膜厚监控系统；
[0013]真空腔体，所述真空腔体一侧与反应腔体的一侧贯通连接；
[0014]第二法兰，设于所述真空腔体的侧壁，用于连接粗抽气系统；
[0015]蒸发腔体的体积远小于所述反应腔体的体积，通过反应腔体与蒸发腔体配合，将蒸发的气体分别依次经过蒸发腔体、反应腔体呈锥球面状向外扩散实现蒸发反应。
[0016]作为本技术一种优选方案：还包括第三法兰，设于所述反应腔体一侧，连接真空插板阀及分子泵以获得更高排气效率。
[0017]作为本技术一种优选方案：所述反应腔体的外侧壁设有腔体门，所述腔体门的门体外壁边缘均表面开设有循环式冷却水道，所述冷却水道的管口位置通过软管与外部的软管一端密封连通。
[0018]作为本技术一种优选方案：位于所述反应腔体的前端中部位置还开设有以供人工观察的透显观察窗。
[0019]作为本技术一种优选方案：位于反应腔体的内侧壁安装有腔体加强筋。
[0020]作为本技术一种优选方案：所述冷却水道为“几”字型。
[0021]作为本技术一种优选方案：设备腔体为锥形结构，设备腔体内蒸发情况模拟的蒸发气体在设备腔体内由下至上呈扇形，蒸发腔体和反应腔体均为锥形。
[0022]作为本技术一种优选方案：所述真空腔体的下端设置有机架，所述真空腔体的底部还连接有冷凝真空泵。
[0023]与现有技术相比，本技术的有益效果是：
[0024]1)通过由蒸发腔体、反应腔体及真空腔体三部分组成设备腔体，在既保证腔体真空效率及真空度的前提，最大程度地提高腔体内反应的均匀性一致性，对反应工艺的效率提高及设备成本的可控均有较大影响，利用反应腔体与蒸发腔体配合，同时最大程度地减小蒸发腔体的体积；
[0025]2)将其设计尺寸规格有效减小，从而降低对抽气真空泵的要求，在缩短抽气时间的同时降低设备制作成本，与此同时，将蒸发的气体分别依次经过蒸发腔体、反应腔体呈锥球面状向外扩散，来满足蒸发反应的要求，通过上述设计，在既保证腔体真空效率及真空度的前提，最大程度地提高腔体内反应的均匀性一致性，对反应工艺的效率提高及设备成本的可控均有较大影响，此外其处理蒸发真空镀膜的结构可以采取锥形的结构，用来进一步提高真空效率并控制成本。
附图说明
[0026]图1为本技术的结构示意图；
[0027]图2为本技术设备腔体俯视图；
[0028]图3为本技术腔体内部的结构示意图；
[0029]图4为本技术设备腔体仰视图。
[0030]图中：1、反应腔体；2、真空腔体；3、蒸发腔体；4、腔体门；5、冷却水道；6、观察窗；7、腔体加强筋；8、高真空获得区域；9、第三法兰；10、第一法兰；11、第二法兰；12、蒸发情况模拟；13、锥形蒸发腔体；14、锥形反应腔体。
具体实施方式
[0031]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0032]请参阅图1
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4，本技术提本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种蒸发真空镀膜设备的腔体，包括反应腔体(1)，其特征在于，还包括：蒸发腔体(3)，贯通连接所述反应腔体(1)的底部，内部安装有蒸发源；第一法兰(10)，设于所述反应腔体(1)的顶部中间，用于安装基片架转动系统和膜厚监控系统；真空腔体(2)，所述真空腔体(2)一侧与反应腔体(1)的一侧贯通连接；第二法兰(11)，设于所述真空腔体(2)的侧壁，用于连接粗抽气系统；蒸发腔体(3)的体积远小于所述反应腔体(1)的体积，通过反应腔体(1)与蒸发腔体(3)配合，将蒸发的气体分别依次经过蒸发腔体(3)、反应腔体(1)呈锥球面状向外扩散实现蒸发反应。2.根据权利要求1所述的一种蒸发真空镀膜设备的腔体，其特征在于：还包括第三法兰(9)，设于所述反应腔体(1)侧壁，连接真空插板阀及分子泵获得高真空，增加排气效率。3.根据权利要求2所述的一种蒸发真空镀膜设备的腔体，其特征在于：所述反应腔体(1)的外侧壁设有腔体门(4)，所述腔体门...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱大军，刘晓涵，
申请(专利权)人：泽鸿真空设备科技苏州有限公司，
类型：新型
国别省市：