包括镀覆有导电构件的外壳体的电子装置及其制造方法制造方法及图纸

一种用于制造根据本文件中公开的各种实施例的电子装置的方法可以包括：在电镀区域中形成沟槽的沟槽步骤，其中，所述电镀区域是外壳体的暴露于外部的第一表面的至少一部分，所述外壳体形成所述电子装置的外观的至少一部分；在电镀区域中形成包括第一金属材料的第一镀层的第一电镀步骤；对电镀区域进行抛光的抛光步骤；以及在外壳体的第一表面上形成涂布层的涂布步骤。各种其他实施例是可能的。各种其他实施例是可能的。各种其他实施例是可能的。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】包括镀覆有导电构件的外壳体的电子装置及其制造方法


[0001]本文件中公开的各种实施例涉及一种包括外壳体的电子装置以及制造该电子装置的方法，其中，导电构件通过电镀布置在所述外壳体上。

技术介绍

[0002]导电构件可以设置在根据各种方法制造的电子装置的壳体上，并且可以用作天线图案或用作供电子部件之间的电连接使用的电线。
[0003]为此目的，使用了可附着到壳体的柔性印刷电路板(FPCB)，或通过电镀将导电构件设置在壳体上的方法。
[0004]激光直接成型(LDS)和激光制造天线(LMA)是通过使用激光来电镀而形成天线图案的常规技术当中的代表性方法。
[0005]LDS是使用聚合物树脂的电镀方法。在此方法中，金属有机化合物由于使用激光的光化学反应而降解，并且仅激光照射部分的金属留存，使得形成了天线图案。为了使用LDS方法，壳体成型阶段需要在电镀时添加作为催化剂的重金属。
[0006]在LMA中，与LDS不同，在壳体成型阶段中不添加重金属，用激光照射壳体，然后用催化剂处理所照射的部分以对其进行电镀。
[0007]在电子装置的壳体上设置导电构件的各种其他尝试还在继续。

技术实现思路

[0008]技术问题
[0009]在使用FPCB的情况下，不利的原因在于根据装配工的技能可能发生缺陷，并且可能引起严重的偏差。另外，LDS有问题的原因在于壳体的材料受到限制并且LDS工艺用壳体具有低强度。甚至在LMA方法中制造的产品也易受高温度、高湿度和分层的影响。
[0010]另外，上述方法的受限之处在于对壳体的内表面实施上述方法。在导电构件设置在壳体的外表面上的情况下，由于在导电构件的电镀过程中设置有导电构件的部分与未设置有导电构件的部分之间的台阶，导致可能从外部看到导电构件。
[0011]本文公开的各种实施例可以提供一种包括镀覆有导电构件的外壳体的电子装置及其制造方法，其中，在导电构件稳定地设置在构成电子装置的外观的壳体的外表面上的同时，防止导电构件被从外部看到。
[0012]解决问题的方案
[0013]一种根据本文公开的各种实施例的电子装置的制造方法可以包括：沟槽操作，在电镀区域中形成沟槽，其中，所述电镀区域是所述电子装置的外壳体中的第一表面的至少部分区域，所述外壳体至少部分地构成所述电子装置的外观，所述第一表面暴露于外部；第一电镀操作，在所述电镀区域中形成包括第一金属材料的第一镀层；抛光操作，对所述电镀区域进行抛光；以及涂布操作，在所述外壳体的所述第一表面上形成涂布层。
[0014]一种根据本文公开的各种实施例的电子装置的制造方法可以包括：沟槽操作，在
电镀区域中形成沟槽，其中，所述电镀区域是外壳体的第二表面的至少部分区域，所述外壳体至少部分地构成所述电子装置的外观，所述第二表面与暴露于外部的第一表面相反；抛光操作，对所述电镀区域进行抛光；以及第一电镀操作，在所述电镀区域中形成包括第一金属材料的第一镀层。
[0015]一种根据本文公开的各种实施例的电子装置可以包括：外壳体，所述外壳体构成所述电子装置的外观；导电构件，所述导电构件设置在电镀区域中，所述电镀区域是所述外壳体的暴露于外部的第一表面的至少部分区域；以及涂布层，所述涂布层设置在所述第一表面上以覆盖设置在所述电镀区域中的所述导电构件。
[0016]一种根据本文公开的各种实施例的电子装置的制造方法可以包括：在壳体上形成孔部分的操作，所述壳体构成所述电子装置的外观的至少一部分；沟槽操作，在第一电镀区域中形成沟槽、在第二电镀区域中形成沟槽并且在第三电镀区域中形成沟槽，其中，所述第一电镀区域是所述壳体的外表面的至少部分区域，所述第二电镀区域是所述壳体的内表面的至少部分区域，所述第三电镀区域连接到所述第一电镀区域和所述第二电镀区域，并且所述第三电镀区域是在所述电子装置中形成的所述孔部分的内表面的至少部分区域；第一电镀操作，在所述第一电镀区域、所述第二电镀区域和所述第三电镀区域中的至少一者中形成包括第一金属材料的第一镀层；抛光操作，对所述第一电镀区域进行抛光；填充操作，用填料填充所述孔部分；额外抛光操作，对包括填料的以下部分的所述第一电镀区域进行抛光：所述部分由于占据所述孔部分而从所述壳体的所述外表面突出；以及额外电镀操作,对所述第一电镀区域进行电镀。
[0017]一种根据本文公开的各种实施例的电子装置可以包括：壳体，所述壳体构成所述电子装置的外观的至少一部分，并且包括孔部分；第一导电构件，所述第一导电构件通过电镀形成在所述壳体的外表面的至少部分区域中；第二导电构件，所述第二导电构件通过电镀形成在所述壳体的内表面的至少部分区域中；第三导电构件，所述第三导电构件通过电镀形成在所述孔部分的内表面的至少部分区域中，以便将所述第一导电构件与所述第二导电构件连接；以及涂布层，所述涂布层设置在所述壳体的所述外表面上。
[0018]专利技术的有益效果
[0019]根据本文公开的各种实施例，即使当导电构件设置在壳体的外表面上时，也可以防止导电构件被从外部看到。
附图说明
[0020]关于附图的描述，相同或类似的元件可以由相同或类似的附图标记来指示。
[0021]图1是根据各种实施例的网络环境中的电子装置的框图；
[0022]图2至图4示出了根据本文公开的各种实施例的包括外壳体的电子装置的各种实施例，所述外壳体包括导电构件；
[0023]图5是根据本文公开的各种实施例的制造方法的流程图；
[0024]图6a是示出了根据本文公开的各种实施例形成的沟槽的图；
[0025]图6b是示出已经执行了第一抛光操作的图6a所示的沟槽的图；
[0026]图6c是示出已经执行了第一电镀操作的图6b所示的抛光后的沟槽的图；
[0027]图6d是示出已经执行了第二抛光操作的图6c所示的第一镀层的图；
[0028]图6e是示出了根据本文公开的各种实施例的执行第二电镀操作和涂布操作的结果的图；
[0029]图7是示出了导电构件的厚度与性能之间的关系的曲线图；
[0030]图8是设置在FPCB上的天线与用作天线并根据本文公开的各种实施例形成的导电构件之间的性能比较的曲线图；
[0031]图9是在根据本文公开的各种实施例形成的导电构件用作天线的情况下的取决于涂布层的存在/不存在的性能比较的曲线图；
[0032]图10是根据本文公开的各种实施例的电子装置的壳体的图；
[0033]图11a是图10中示出的P1部分的放大图；
[0034]图11b是图10中示出的P2部分的放大图；
[0035]图12是根据本文公开的各种实施例的局部切割的孔部分的截面图；
[0036]图13a是根据本文公开的各种实施例的当在一个方向上观察时的孔部分的图；
[0037]图13b是图13a中示出的孔部在沿着A
‑
A线切割之后的截面图；
[0038]图14是根据本文公开的各种实施例本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种电子装置，所述电子装置包括：外壳体，所述外壳体至少部分地构成所述电子装置的外观；沟槽，所述沟槽包括谷和峰，所述谷相对于所述外壳体的表面凹入，所述峰相对于所述外壳体的所述表面凸出，并且所述峰具有被部分去除的端部；第一导电构件，所述第一导电构件镀覆在所述沟槽上；以及涂布层，所述涂布层层压在所述外壳体上以覆盖所述第一导电构件。2.根据权利要求1所述的电子装置，其中，所述第一导电构件包括一区域，在所述区域中，与所述沟槽的所述峰相对应的部分已被部分去除。3.根据权利要求1所述的电子装置，所述电子装置还包括：第二导电构件，所述第二导电构件设置在所述第一导电构件与所述涂布层之间。4.根据权利要求1所述的电子装置，其中，所述外壳体的第一表面的区域包括定位在所述区域中的所述沟槽、所述第一导电构件和所述涂布层，并且其中，所述外壳体的与所述第一表面相反的第二表面的区域镀覆有第二导电构件。5.根据权利要求4所述的电子装置，所述电子装置还包括：孔部分，所述孔部分设置在所述外壳体上；以及第三导电构件，所述第三导电构件镀覆在所述孔部分处，以连接所述第一导电构件与所述第二导电构件。6.根据权利要求5所述的电子装置，其中，所述第三导电构件通过电镀而镀覆在所述孔部分的内表面的一部分上，并且所述孔部分的未镀覆有所述第三导电构件的区域与占据所述孔部分的填料直接接触。7.根据权利要求5所述的电子装置，其中，所述孔部分包括第一部分和第二部分，所述第一部分以第一直径从所述外壳体的所述第二表面起在朝向所述外壳体的所述第一表面的方向上延伸，所述第二部分的直径从所述第一部分的末端起在朝向所述外壳体的所述第一表面的方向上从第二直径逐渐减小，所述第二直径小于所述第一直径。8.一种制造电子装置的方法，所述方法包括：沟槽操作，在第一电镀区域中形成沟槽，其中，所述第一电镀区域是所述电子装置的外壳体的暴露于外部的第一表面的至少部分区域，所述外壳体至少部分地构成所述电子装置的外观；第一电镀操作，在所述第一电镀区域中形成包括第一金属材料的第一镀层；抛光操作，对所述第一电镀区域进行抛光；以及涂布操作，在所述外壳体的所述第一表面上形成涂布层。9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述抛光操作包括：在所述第一电镀操作之前对所述第一电镀区域进行抛光的第一抛光操...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑忠孝，高源晙，朴惠仁，李龙摄，林宰德，赵范袗，尹治泳，金槿河，具坰河，文洪基，
申请(专利权)人：INTOPS株式会社，
类型：发明
国别省市：