一种多管脚的半导体芯片制造技术

本实用新型专利技术公开了一种多管脚的半导体芯片，包括：基板，所述基板上设有金属焊盘，底部植有金属植球；至少一层芯片，所述芯片位于基板上并与基板电连接；所述芯片的正面有一层电路层，芯片从背面打有硅孔，硅孔内壁电镀一层金属导电层；塑封体，所述塑封体位于基板上，塑封体将芯片封装在内部。本实用新型专利技术通过在芯片的背面打上硅孔可将芯片正面电路层上的部分焊点通过硅孔处引到芯片背面，使得芯片的正面、背面均可以布线，从而增大芯片的引脚数，降低堆叠封装的难度，减小封装产品的体积。减小封装产品的体积。减小封装产品的体积。

【技术实现步骤摘要】
一种多管脚的半导体芯片

：
[0001]本技术属于半导体封装
，特别涉及一种多管脚的半导体芯片。

技术介绍
：
[0002]正常情况下半导体芯片的焊点均集中在芯片的其中一个面上(熟称正面)，单面可供布线的面积有限，进而限制了芯片的引脚数，当需要堆叠封装多层芯片时，封装难度大、封装后的产品体积也较大，因此，通过增加芯片的引脚数来降低封装难度，减小封装产品的体积成为必要。
[0003]公开于该
技术介绍
部分的信息仅仅旨在增加对本技术的总体背景的理解，而不应当被视为承认或以任何形式暗示该信息构成已为本领域一般技术人员所公知的现有技术。

技术实现思路
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[0004]本技术的目的在于提供一种多管脚的半导体芯片，从而克服上述现有技术中的缺陷。
[0005]实现上述目的，本技术提供了一种多管脚的半导体芯片，包括：
[0006]基板，所述基板上设有金属焊盘，底部植有金属植球；
[0007]至少一层芯片，所述芯片位于基板上并与基板电连接；
[0008]所述芯片的正面有一层电路层，芯片从背面打有硅孔，硅孔内壁电镀本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种多管脚的半导体芯片，其特征在于，包括：基板，所述基板上设有金属焊盘，底部植有金属植球；至少一层芯片，所述芯片位于基板上并与基板电连接；所述芯片的正面有一层电路层，芯片从背面打有硅孔，硅孔内壁电镀一层金属导电层；塑封体，所述塑封体位于基板上，塑封体将芯片封装在内部。2.根据权利要求1所述的一种多管脚的半导体芯片，其特征在于，所述芯片与基板通过导线形成通路。3.根据权利要求1所述的一种多管脚的半导体芯片，其特征在于，所述芯片的正面也植有金属植球，芯片上的金属植球焊接到金属焊盘上实现...

【专利技术属性】
技术研发人员：李鹏飞，刘卫东，
申请(专利权)人：华天科技南京有限公司，
类型：新型
国别省市：