一种二氧化钼非层状二维材料及其制备和在磁性器件中的应用制造技术

本发明专利技术属于二维磁性材料领域，具体涉及一种MoO2非层状二维材料的制备方法，将MoO3粉末加热挥发，并和含氢载气中的氢气在基底表面化学沉积，形成MoO2非层状二维材料；所述的MoO3粉末的挥发温度大于或等于700℃；所述的基底的表面为二氧化硅或者TMDs；所述的化学沉积的温度为540～590℃。本发明专利技术还包括所述的制备方法制备的材料及其磁学方面的应用。本发明专利技术所述的制备方法能够成功制备MoO2非层状二维材料，且所述的制备方法制备的材料能意外地表现出线性磁阻行为，具有更优的磁学性能。具有更优的磁学性能。具有更优的磁学性能。

【技术实现步骤摘要】
一种二氧化钼非层状二维材料及其制备和在磁性器件中的应用


[0001]本专利技术属于纳米材料领域，具体涉及二氧化钼非层状二维材料制备及其磁学性能的表征。
技术背景
[0002]二维(2D)材料在电子学、光电子学、自旋电子学、谷电子学、传感器、催化等领域具有广泛的应用前景1‑8，尤其是二维材料中的铁磁性有望促进新型自旋电子器件、信息存储器件和存储器件的发展9‑
11
。一些具有本征铁磁性的二维材料已得到验证，包括Fe3GeTe
212
‑
14
、Cr2Ge2Te
615
、CrI
316
、CrTe
10
和CrSe
211
。由于本征铁磁性材料的数量有限，因此磁掺杂和缺陷工程的方法可以在非铁磁材料中引入磁性
17
‑
20
，此外，本征缺陷也可以在未掺杂的非铁磁性材料中引入磁性
21
‑
22
，表面态和表面共振态在磁性过程中也起着至关重要的作用/>23
‑本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种MoO2非层状二维材料的制备方法，其特征在于：将MoO3粉末加热挥发，并和含氢载气中的氢气在基底表面化学沉积，形成MoO2非层状二维材料；所述的MoO3粉末的挥发温度大于或等于700℃；所述的基底的表面为二氧化硅或者TMDs；所述的化学沉积的温度为540～590℃。2.如权利要求1所述的MoO2非层状二维材料的制备方法，其特征在于：MoO3粉末的挥发温度为740～790℃；优选为750～770℃。3.如权利要求1所述的MoO2非层状二维材料的制备方法，其特征在于：含氢载气为氢气或氢气
‑
保护气的混合气；优选地，所述的保护气为氮气、惰性气体中的至少一种；优选地，所述的含氢载气中的氢气含量为5～45v％。4.如权利要求3所述的MoO2非层状二维材料的制备方法，其特征在于：含氢载气的流量为20～200sccm，优选为100～120sccm。5.如权利要求1所述的MoO2非层状二维材料的制备方法，其特征在于：所述的基底为SiO2/Si基底、玻璃基底或表面沉积有二维材料的基底。6.如权利要求1所述的MoO2非层状二维材料的制备方法，其特征在于：所述的化学沉积的温度为基底所处的温度；优选地，所述的化学沉积的温度为560～590℃；优选地，化学沉积的时间为10～20min。7.如权利要求1～6任一项所述的MoO2非层状二维材料的制备方法，...

【专利技术属性】
技术研发人员：段曦东，张红梅，
申请(专利权)人：湖南大学，
类型：发明
国别省市：