基板处理装置及方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供在对基板执行蚀刻工艺时能够改善图案粗糙度的基板处理装置及方法。所述基板处理方法包括：向基板处理装置内搬入基板的步骤；向基板处理装置内投入第一工艺气体，并利用第一工艺气体对基板进行第一等离子体处理的步骤；以及向基板处理装置内投入第二工艺气体，并利用第二工艺气体对基板进行第二等离子体处理的步骤，其中，第二工艺气体的至少一部分成分与第一工艺气体不同。部分成分与第一工艺气体不同。部分成分与第一工艺气体不同。

【技术实现步骤摘要】
基板处理装置及方法


[0001]本专利技术涉及基板处理装置及方法。更详细地，涉及可应用于制造半导体元件的基板处理装置及方法。

技术介绍

[0002]图像传感器(Image Sensor)是将光学信息转换为电信号的半导体元件之一。这种图像传感器可以包括CCD(Charge Coupled Device，电荷耦合器件)图像传感器和CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor，互补金属氧化物半导体)图像传感器，CCD图像传感器具有画质优良且对噪声或余像的处理效果卓越的优点，CMOS图像传感器具有电耗低且价格比CCD图像传感器低廉的优点。

技术实现思路

[0003]当制造CMOS图像传感器时，可以对应用于图像传感器的透镜(Lens)执行回蚀刻(Etch Back)工艺(或空白蚀刻(Blank Etch)工艺)。
[0004]然而，在回蚀刻工艺中，图案粗糙度对像素光干扰的减小、图像传感器精细化等产生影响，因此在制造CMOS图像传感器的工艺中，图案粗糙度的改善是非常重要的技术问题。
[0005]本专利技术要解决的技术问题是提供在对基板执行蚀刻工艺时能够改善图案粗糙度的基板处理装置及方法。
[0006]本专利技术的技术问题不限于以上提及的技术问题，本领域的技术人员将可以通过下面的记载明确地理解未提及的其它技术问题。
[0007]用于解决上述技术问题的本专利技术的基板处理方法的一方面(Aspect)包括：向基板处理装置内搬入基板的步骤；向所述基板处理装置内投入第一工艺气体，并利用所述第一工艺气体对所述基板进行第一等离子体处理的步骤；以及向所述基板处理装置内投入第二工艺气体，并利用所述第二工艺气体对所述基板进行第二等离子体处理的步骤，其中，所述第二工艺气体的至少一部分成分与所述第一工艺气体不同。
[0008]在所述第二等离子体处理步骤中，也可以一起利用所述第一工艺气体。
[0009]所述第二工艺气体可以包含与所述第一工艺气体共同包含的第一成分和不包含在所述第一工艺气体中的第二成分。
[0010]所述第一成分可以是氟成分，且所述第二成分可以是氢成分。
[0011]所述第二工艺气体可以比所述第一工艺气体更大量地投入。
[0012]所述第二工艺气体的投入量可以是所述第一工艺气体的投入量的1.5倍至2倍。
[0013]所述第一工艺气体可以是蚀刻气体且所述第二工艺气体可以是沉积气体，或者所述第一工艺气体和所述第二工艺气体可以是蚀刻气体。
[0014]所述第一工艺气体可以是CF4气体，且所述第二工艺气体可以是CHF3气体。
[0015]所述第二工艺气体可以在与所述第一工艺气体混合之后被投入到所述基板处理装置内。
[0016]所述第二工艺气体可以与所述第一工艺气体分开地被投入到所述基板处理装置内。
[0017]所述基板处理装置可以包括：工艺气体供应源，提供所述第一工艺气体和所述第二工艺气体；以及工艺气体供应线，连接所述工艺气体供应源和所述基板处理装置，其中，所述第二工艺气体可以在所述工艺气体供应源内与所述第一工艺气体混合。
[0018]所述基板处理装置可以包括：第一工艺气体供应源，提供所述第一工艺气体；第二工艺气体供应源，提供所述第二工艺气体；以及工艺气体供应线，其一端与所述基板处理装置连接，并且其另一端分支并分别连接到所述第一工艺气体供应源和所述第二工艺气体供应源，其中，所述第二工艺气体可以在通过所述工艺气体供应线移动时与所述第一工艺气体混合。
[0019]所述第一工艺气体和所述第二工艺气体中的任一种气体可以通过贯通所述基板处理装置的上盖而形成的第一孔提供，且所述第一工艺气体和所述第二工艺气体中的另一种气体可以通过贯通所述基板处理装置的侧壁而形成的第二孔提供，或者所述第一工艺气体和所述第二工艺气体可以通过所述第一孔和所述第二孔中的任一个孔提供。
[0020]所述基板处理方法可以包括回蚀刻工艺(Etch Back Process)。
[0021]所述基板处理方法可以应用于制造CMOS图像传感器的透镜模块的情况。
[0022]用于解决上述技术问题的本专利技术的基板处理方法的另一方面包括：向基板处理装置内搬入基板的步骤；向所述基板处理装置内投入第一工艺气体，并利用所述第一工艺气体对所述基板进行第一等离子体处理的步骤；以及向所述基板处理装置内继续投入所述第一工艺气体，并且向所述基板处理装置内另外投入第二工艺气体，并利用所述第一工艺气体和所述第二工艺气体对所述基板进行第二等离子体处理的步骤，其中，所述第二工艺气体包含与所述第一工艺气体共同包含的第一成分和不包含在所述第一工艺气体中的第二成分，所述第一成分是氟成分，且所述第二成分是氢成分，以及所述第二工艺气体比所述第一工艺气体更大量地投入。
[0023]用于解决上述技术问题的本专利技术的基板处理装置的一方面包括：壳体；基板支承单元，设置在所述壳体的内部，并且支承基板；等离子体生成单元，包括设置在所述壳体的上部的第一电极、与所述第一电极相对布置并且包括在所述基板支承单元中的第二电极、向所述第一电极提供RF电力的第一高频电源以及向所述第二电极提供RF电力的第二高频电源；以及工艺气体供应单元，通过贯通所述壳体的上盖或侧壁而形成的孔与所述壳体的内部连接，并且向所述壳体的内部提供用于处理所述基板的工艺气体，其中，所述工艺气体包括第一工艺气体和第二工艺气体，所述第二工艺气体的至少一部分成分与所述第一工艺气体不同。
[0024]所述工艺气体供应单元可以首先提供所述第一工艺气体，然后一起提供所述第一工艺气体和所述第二工艺气体。
[0025]所述工艺气体供应单元可以提供比所述第一工艺气体更大的量的所述第二工艺气体。
[0026]所述工艺气体供应单元可以提供CF4气体作为所述第一工艺气体，并且可以提供CHF3气体作为所述第二工艺气体。
[0027]其它实施例的具体事项包括在详细的说明及附图中。
附图说明
[0028]图1是示例性地示出根据本专利技术一实施例的基板处理装置的内部结构的剖视图。
[0029]图2是示例性地示出根据本专利技术另一实施例的基板处理装置的内部结构的剖视图。
[0030]图3是用于说明根据本专利技术一实施例的构成基板处理装置的工艺气体供应单元的各种实施方式的第一示例图。
[0031]图4是用于说明根据本专利技术一实施例的构成基板处理装置的工艺气体供应单元的各种实施方式的第二示例图。
[0032]图5是用于说明根据本专利技术一实施例的构成基板处理装置的工艺气体供应单元的各种实施方式的第三示例图。
[0033]图6是用于说明根据本专利技术一实施例的基板处理装置的基板处理工艺的流程图。
[0034]图7是对根据现有的基板处理工艺处理的基板的表面进行放大的图。
[0035]图8是对根据本专利技术的基板处理工艺处理的基板的表面进行放大的图。
[0036]图9是用于说明根据本发本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基板处理方法，包括：向基板处理装置内搬入基板的步骤；向所述基板处理装置内投入第一工艺气体，并利用所述第一工艺气体对所述基板进行第一等离子体处理的步骤；以及向所述基板处理装置内投入第二工艺气体，并利用所述第二工艺气体对所述基板进行第二等离子体处理的步骤，其中，所述第二工艺气体的至少一部分成分与所述第一工艺气体不同。2.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，在所述第二等离子体处理步骤中，也一起利用所述第一工艺气体。3.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，所述第二工艺气体包含与所述第一工艺气体共同包含的第一成分和不包含在所述第一工艺气体中的第二成分。4.根据权利要求3所述的基板处理方法，其中，所述第一成分是氟成分，且所述第二成分是氢成分。5.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，所述第二工艺气体比所述第一工艺气体更大量地投入。6.根据权利要求5所述的基板处理方法，其中，所述第二工艺气体的投入量是所述第一工艺气体的投入量的1.5倍至2倍。7.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，所述第一工艺气体是蚀刻气体且所述第二工艺气体是沉积气体，或者所述第一工艺气体和所述第二工艺气体是蚀刻气体。8.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，所述第一工艺气体是CF4气体，且所述第二工艺气体是CHF3气体。9.根据权利要求2所述的基板处理方法，其中，所述第二工艺气体与所述第一工艺气体混合之后被投入到所述基板处理装置内。10.根据权利要求2所述的基板处理方法，其中，所述第二工艺气体与所述第一工艺气体分开地被投入到所述基板处理装置内。11.根据权利要求9所述的基板处理方法，其中，所述基板处理装置包括：工艺气体供应源，提供所述第一工艺气体和所述第二工艺气体；以及工艺气体供应线，连接所述工艺气体供应源和所述基板处理装置，其中，所述第二工艺气体在所述工艺气体供应源内与所述第一工艺气体混合。12.根据权利要求9所述的基板处理方法，其中，所述基板处理装置包括：第一工艺气体供应源，提供所述第一工艺气体；第二工艺气体供应源，提供所述第二工艺气体；以及工艺气体供应线，所述工艺气体供应线的一端与所述基板处理装置连接，并且所述工艺气体供应线的另一端分支并分别连接到所述第一工艺气体供应源和所述第二工艺气体供应源，其中，所述第二工艺气体在通过所述工艺气体供应线移动时与所述第一工艺气体混合。
13.根据权利要求1所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：崔旼贞，柳潘硕，张右硕，卓起德，
申请(专利权)人：细美事有限公司，
类型：发明
国别省市：