本发明专利技术公开的一种提高单wafer晶圆规划多种不同block的制作方法，包括以下步骤：步骤S1，规划多个block；步骤S2，设置多个不同的修正值；步骤S3，确定修正值的连线方式，在物理版图实现的过程中，把布线层引到金属布线顶层；步骤S4，样片测试，分别对不同block进行测试，测试完成后挑选出最符合设计目标的block；步骤S5，整个晶圆只需在原来的数据基础上，改动顶层金属mask光罩就可以进行芯片大规模的量产，这样制作方法不仅节省了大量的宝贵时间，有效提高单wafer晶圆成功率和缩短芯片设计周期、降低成本，而且也避免了产能紧张的问题。而且也避免了产能紧张的问题。而且也避免了产能紧张的问题。
【技术实现步骤摘要】
一种提高单wafer晶圆规划多种不同block的制作方法
[0001]本专利技术涉及晶圆的流片技术，尤其涉及一种提高单wafer晶圆规划多种不同block的制作方法。
技术介绍
[0002]现有技术中，通常独立流片晶圆为单项目晶圆，但特殊情况下，为了节省流片费用，同时生产数量较多的芯片，采用单片wafer上安排多种芯片的流片形式，即多项目晶圆独立流片。
[0003]对于单项目晶圆，由于整个wafer上只有一个项目，版图拼版形式较为简单规整，所有芯片大小相同，所有的划片道均相同；一个wafer上只有一种相同的block，也即意味着当这个block出现了问题，那么整片wafer晶圆就出现了问题，在全球wafer晶圆产能紧张的情况下，无疑是一种资源的浪费也增加了芯片设计的周期。从而降低芯片设计企业在行业内的竞争力。
[0004]对于多项目晶圆来说，单片wafer上包含2种或者2种以上的芯片，且各个芯片的大小有可能不相同；因此，在多项目晶圆中，各种芯片的版图拼版方式则存在多样性。
[0005]同时，在流片完成之后，单项目晶圆和多项目晶圆均需要进行探针台的中测测试。为了顺利完成多项目晶圆的中测测试，且在中测之后map文件可以应用于后续加工工艺，这就需要多项目晶圆的拼版必须满足一定的规则。
[0006]以上情况，造成在多项目晶圆的生产制造过程中，需要对晶圆进行缺陷分析，多项目晶圆中产品种类增多，无法实现每一种产品的缺陷水平都可以监控，即需要将同一平台的多种产品组合分析缺陷水平，但是每种产品的晶粒大小及晶粒数量上存在很大差异，在执行缺陷扫描时，晶粒多的产品有效的扫描面积要少于晶粒少的产品，假如随机撒落n颗颗粒物，由于扫描面积的差异，在晶粒多的产品上检测到的缺陷数量少于晶粒少的产品(缺陷随机分布)，如果以目前的分析方法，无法精准将不同晶粒数的产品混合到一起分析缺陷的水平。
[0007]因此，现有多项目晶圆的分析方法，同样增加了芯片设计的周期，从而降低芯片设计企业在行业内的竞争力，迫切需要对现有多项目晶圆的制作方法进行改进，以提高后续工艺的检测效率。
技术实现思路
[0008]本专利技术提供一种提高单wafer晶圆规划多种不同block的制作方法，有效提高单wafer晶圆成功率，缩短芯片设计周期和降低成本。
[0009]本专利技术解决其技术问题所采用的技术方案是：
[0010]一种提高单wafer晶圆规划多种不同block的制作方法，用于在单个wafer晶圆上规划出多个不同block，该制作方法包括以下步骤：
[0011]步骤S1，规划多个block
[0012]在单个wafer晶圆上规划出多个不同block，所述不同的block大小形状相同而仅仅只是最高n层金属metal的连线不同，n为大于等于1的正整数，如果n为1即不同的block只有最高一层金属metal的连线不同，n为2即不同的block有最高两层金属metal连线不同；依此类推，n为m即不同的block有最高m层金属metal连线不同；
[0013]步骤S2，设置多个不同的修正值
[0014]当n＝1时，不同的block只有最高层金属metal连线不同，当n＝2时，不同的block最高2层金属metal连线不同，依此类推，n＝m时，不同的block最高m层金属metal连线不同；
[0015]然后，运用工艺金属线光罩选择方式(metal option)得到不同block所对应相关参数不同的修正值(trim)；
[0016]具体为，根据电路的特点，设计出多个带有可供修正的重要参数，每个参数是0或者是1，然后根据不同的参数，按照BCD码方式进行编码，得到不同block所对应相关参数不同的修正值；
[0017]步骤S3，确定修正值的连线方式
[0018]在物理版图实现的过程中，把布线层引到金属布线顶层，在参数编码后，修正值对应为1的通过版图物理连线连接到电源线VDD或者高电平钳位单元，修正值对应为0的通过物理版图连线、连接到顶层地线VSS或者低电平钳位单元，形成一个按照工艺金属线光罩选择方式的设计；
[0019]步骤S4，样片测试
[0020]芯片生产完成后，进行样片测试，分别对不同block进行测试，测试完成后挑选出最符合设计目标的block，在不额外增加流片的情况下，在原来的数据里面直接改动最高层金属mask光罩，即把其他block的修正值改成和最符合设计目标的block的修正值一样；
[0021]实现在版图数据上，修正值1改成0的，即把原来最高层金属连接到电源线VDD或者高电平钳位单元改成连接到地线VSS或者低电平钳位单元上；修正值0改成1的，即把原来最高层金属连接到地线VSS或者低电平钳位单元改成连接到电源线VDD或者高电平钳位单元上；
[0022]步骤S5，整个晶圆只需在原来的数据基础上，改动最高金属层mask光罩就可以进行芯片大规模的量产。
[0023]进一步地，所述步骤S2中的BCD(Binary
‑
Coded Decimal)码包括8421 BCD码、2421 BCD码或5421 BCD码。
[0024]进一步地，所述步骤S2中还包括：
[0025]在步骤S2中，对于芯片控制电路中的多个重要的参数设置多个不同的修正值(trim)，该多个重要的参数包括输出电压U、信号调制模式M和充电模式P，然后，从多个不同的修正值(trim)里面选取一个符合设计要求的值。
[0026]进一步地，所述步骤S2中还包括：
[0027]当在晶圆上规划出A模块、B模块、C模块、D模块、E模块、F模块、G模块和H模块八个模块时，将A模块block的电压U、信号调制模式M及充电模式P分别设置为000；依此类推，
[0028]将B模块block的电压U、信号调制模式M及充电模式P分别设置为001；
[0029]将C模块block的电压U、信号调制模式M及充电模式P分别设置为010；
[0030]将D模块block的电压U、信号调制模式M及充电模式P分别设置为011；
[0031]将E模块block的电压U、信号调制模式M及充电模式P分别设置为100；
[0032]将F模块block的电压U、信号调制模式M及充电模式P分别设置为101；
[0033]将G模块block的电压U、信号调制模式M及充电模式P分别设置为110；
[0034]将H模块block的电压U、信号调制模式M及充电模式P分别设置为111；
[0035]在步骤S2、步骤S3基础上，所述步骤S4中还包括：
[0036]分别对A模块、B模块、C模块、D模块、E模块、F模块、G模块和H模块分别对应的不同blockA、block B、block C、block D、block E、block F、block G、block H进行测试，测试完成后挑选出最符合设计目标的blockA本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种提高单wafer晶圆规划多种不同block的制作方法，用于在单个wafer晶圆上规划出多个不同block，其特征在于，该制作方法包括以下步骤：步骤S1，规划多个block在单个wafer晶圆上规划出多个不同block，所述不同的block大小形状相同而仅仅只是最高n层金属metal的连线不同，n为大于等于1的正整数，如果n为1即不同的block只有最高一层金属metal的连线不同，n为2即不同的block有最高两层金属metal连线不同；依此类推，n为m即不同的block有最高m层金属metal连线不同；步骤S2，设置多个不同的修正值当n＝1时，不同的block只有最高层金属metal连线不同，当n＝2时，不同的block最高2层金属metal连线不同，依此类推，n＝m时，不同的block最高m层金属metal连线不同；然后，运用工艺金属线光罩选择方式得到不同block所对应相关参数不同的修正值；具体为，根据电路的特点，设计出多个带有可供修正的重要参数，每个参数是0或者是1，然后根据不同的参数，按照BCD码方式进行编码，得到不同block所对应相关参数不同的修正值；步骤S3，确定修正值的连线方式在物理版图实现的过程中，把布线层引到金属布线顶层，在参数编码后，修正值对应为1的通过版图物理连线连接到电源线VDD或者高电平钳位单元，修正值对应为0的通过物理版图连线、连接到顶层地线VSS或者低电平钳位单元，形成一个按照工艺金属线光罩选择方式的设计；步骤S4，样片测试芯片生产完成后，进行样片测试，分别对不同block进行测试，测试完成后挑选出最符合设计目标的block，在不额外增加流片的情况下，在原来的数据里面直接改动最高层金属mask光罩，即把其他block的修正值改成和最符合设计目标的block的修正值一样；实现在版图数据上，修正值1改成0的，即把原来最高层金属连接到电源线VDD或者高电平钳位单元改成连接到地线VSS或者低电平钳位单元上；修正值0改成1的，即把原来最高层金属连接到地线VSS或者低电平钳位单元改成连接到电源线VDD或者高电平钳位单元上；步骤S5，整个晶圆只需在原来的数据基础上，改动最高金属层mask光罩就可以进行芯片大规模的量产。2.根据权利要求1所述的一种提高单wafer晶圆规划多种不同block的制作方法，其特征在于：所述步骤S2中的BCD码包括8421 BCD码、2421 BCD码或5421 BCD码。3.根据权利要求1所述的一种提高单wafer晶圆规划...
【专利技术属性】
技术研发人员：沈志春，陈勇坚，夏玥，张清贵，刘心舸，吴欣延，
申请(专利权)人：珠海晶通科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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