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本发明公开的一种提高单wafer晶圆规划多种不同block的制作方法，包括以下步骤：步骤S1，规划多个block；步骤S2，设置多个不同的修正值；步骤S3，确定修正值的连线方式，在物理版图实现的过程中，把布线层引到金属布线顶层；步骤S4，样...
该专利属于珠海晶通科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过珠海晶通科技有限公司授权不得商用。

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