光致抗蚀剂底层组合物制造技术

一种形成图案的方法，该方法包括：在衬底上施加光致抗蚀剂底层组合物以提供光致抗蚀剂底层；在该光致抗蚀剂底层上形成光致抗蚀剂层；将该光致抗蚀剂层图案化；以及将图案从该图案化的光致抗蚀剂层转移到该光致抗蚀剂底层。该光致抗蚀剂底层组合物包括包含如本文所描述的由式1表示的重复单元的聚合物、包含如本文所描述的由式2表示的取代基的化合物、以及溶剂。及溶剂。及溶剂。

【技术实现步骤摘要】
光致抗蚀剂底层组合物


[0001]本专利技术涉及电子装置的制造，并且更具体地，涉及用于半导体制造的材料。

技术介绍

[0002]光致抗蚀剂底层组合物在半导体工业中用作集成电路制造的先进技术节点中的光刻的蚀刻掩模。这些组合物通常用于三层和四层光致抗蚀剂集成方案中，其中将有机或含硅的减反射涂层和具有高碳含量的可图案化的光致抗蚀剂膜层布置在底层例如衬底上。
[0003]旋涂碳(SOC)组合物在半导体工业中用于形成抗蚀剂底层膜，其在集成电路制造的先进技术节点中用作光刻的蚀刻掩模。这些组合物通常用在三层和四层光致抗蚀剂集成方案中，其中将有机或含硅的减反射涂层和具有高碳含量SOC材料的可图案化的光致抗蚀剂膜层布置在底层上。
[0004]理想的SOC材料应具有某些特定特征：应该能够通过旋涂工艺流延到衬底上；应该在加热时热定形，伴随低脱气和升华；应该可溶于常见溶剂中用于良好的旋转筒相容性(spin bowl compatibility)；应该具有适当的n/k以结合减反射涂层起作用以赋予光致抗蚀剂成像必需的低反射率；应该充分粘附到下层例如衬底上，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种形成图案的方法，所述方法包括：在衬底上施加光致抗蚀剂底层组合物以提供光致抗蚀剂底层；在所述光致抗蚀剂底层上形成光致抗蚀剂层；将所述光致抗蚀剂层图案化；以及将图案从所述图案化的光致抗蚀剂层转移到所述光致抗蚀剂底层；其中所述光致抗蚀剂底层组合物包括包含由式1表示的重复单元的聚合物、包含由式2表示的取代基的化合物；以及溶剂；其中在式1中环A表示具有1至4个独立地取代或未取代的芳香族环的芳香族基团，其中任选地，所述芳香族环中的两个或更多个是稠合的，一个或多个芳香族环包括稠合的任选取代的环烷基或任选取代的稠合的杂环烷基，或其组合，Y是二价基团，其包括任选取代的C1‑4亚烷基、
‑
O
‑
、
‑
S
‑
、C(O)
‑
、任选取代的亚芳基、或任选取代的亚杂芳基、或其组合，以及o是从2至8的整数；其中，在式2中：R是取代或未取代的C1‑4亚烷基、
‑
CR
A
R
B
‑
Ar
‑
CH2‑
、或
‑
Ar
‑
CH2‑
，其中Ar是具有4至10个环碳的任选取代的亚芳基或亚杂芳基，并且R
A
和R
B
独立地是氢、羟基、任选取代的C1‑6烷基、任选取代的C1‑6烷氧基、或任选取代的C6‑
12
芳基；R1是氢、任选取代的C1‑4烷基、任选取代的C6‑
12
芳基、任选取代的C3‑8环烷基、或缩水甘油基；*是与芳香族环体系Q的环碳的连接点，其中所述芳香族环体系Q是Ar1或Ar2‑
T
‑
Ar3，其中Ar1、Ar2和Ar3独立地包含具有4至14个环碳的取代或未取代的芳香族基团，以及T是不存在的、
‑
O
‑
、
‑
S
‑
、
‑
C(O)
‑
、任选取代的C1‑4亚烷基、或
‑
NR2，其中R2是氢、任选取代的C1‑4烷基、或任选取代的C6‑
12
芳基；以及a是1至8，c是1、2、或3，并且b+c是2或3。2.如权利要求1所述的方法，其中，式1的所述环A由式1A或式1B表示
其中，在式1A和式1B中：A是CR
C
或N，其中R
C
是氢、羟基、任选取代的C1‑6烷基、任选取代的C1‑6烷氧基、或任选取代的C6‑
12
芳基；环B表示具有1至4个芳香族环的稠合芳香族基团；L是二价基团，其独立地包括1至3个任选取代的C1‑4亚烷基、1至3个
‑
O
‑
、任选取代的具有一个或两个芳香族环的亚芳基、或其组合；每个Z独立地是取代基，其中在式1A中，a是0或1，并且在式1B中，b是从0至10的整数；i是2或3；j是0、1、或2；并且k是从0至6的整数，其中j+k是2或更大。3.如权利要求1或2所述的方法，其中，Ar1、Ar2和Ar3独立地是取代或未取代的苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的蒽基、取代或未取代的芘基、取代或未取代的吡啶基、取代或未取代的喹啉基、取代或未取代的亚联苯基、取代或未取代的苯并菲基、取代或未取代的芴基、或取代或未取代的咔唑基，并且其各自任选被缩水甘油基取代。4.如权利要求1或2所述的方法，其中，Q是Ar1，并且Ar1是苯基，R是CH2，a是1或2，并且c是2；Q是Ar1，并且Ar1是被缩水甘油基取代的苯基，R是CH2，a是1或2，并且c是2；Q是Ar2‑
T
‑
Ar3，并且Ar2和Ar3是苯基，并且T是不存在的、
‑
O
‑
、
‑
C(O)
‑
、或
‑
CR
B
R
C
，并且对于Ar2和Ar3中的每一个，a是1或2，并且c是2；或者Q是Ar2‑
T
‑
Ar3，并且Ar2或Ar3是被缩水甘油基取代的苯基，并且T是不存在的、
‑
O
‑
、
‑
C(O)
‑
、或
‑
CR
D
R
E
，并且对于Ar2和Ar3中的每一个，a是1或2，并且c是2；其中R
D
和R
E
独立地是氢、任选取代的C1‑4烷基、或任选取代的苯基。5.如权利要求1至4中任一项所述的方法，其中，所述包含由式1表示的重复单元的聚合物包含由式3A或式3B表示的重复单元；
其中，在式3A和3B中：W和W1独立地是任选取代的C
1.4
亚烷基、
‑
O
‑
、或其组合；Ar4和Ar5独立地是任选取代的C6‑
14
亚芳基、或任选取代的C3‑
14
亚杂芳基；Z是不存在的、O、
‑
S
‑
、
‑
C(O)
‑
、任选取代的C1‑4亚烷基；m是0、1、或2，n是0或1，并且m+n是1、2、或3；以及q是2或3；以及r和s独立地是0、1、或2，其中r+s是2或更大。6.如权利要求5所述的方法，其中，如果n是0，并且m是1或2，则W和W1独立地是
‑
CR
F
R
G
‑
；以及Ar4是取代或未取代的苯基、取代或未取代的吡啶基、取代或未取代的联苯基、或取代或未取代的萘基，其中R
F
和R
G
独立地是氢、羟基、任选取代的C1‑
18
烷基、任选取代...

【专利技术属性】
技术研发人员：LS，
申请(专利权)人：罗门哈斯电子材料有限责任公司，
类型：发明
国别省市：