【技术实现步骤摘要】
半导体装置及其制造方法
[0001]本专利技术涉及半导体装置及其制造方法。
技术介绍
[0002]以往的半导体装置例如具有专利文献1所公开的形状的引线框。
[0003]专利文献1:日本特开2004
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63688号公报
[0004]传递模塑成型之前即通过绝缘性的封装树脂将引线框的一部分覆盖之前的半导体装置呈引线框及金属导线等各结构要素露出的状态。因此,以往的半导体装置存在如下问题,即,在制造工序中的处理时产生引线框变形、金属导线变形或由振动造成的金属导线接合部的断裂等。如果发生这样的变形或断裂,则有时不同电极间短路,存在半导体装置的品质保证方面的课题。
[0005]另外,通常在传递模塑成型时使用的模塑树脂以环氧树脂为主要成分,为了耐热性及减小内部应力,该模塑树脂是黑色的不透明的树脂。因此,在传递模塑成型之后难以确认上述的变形或断裂,不合格品及劣质品的甄别需要大量的验证时间。
[0006]这样,以往的半导体装置在品质的提高方面存在改善的余地。
技术实现思路
[00 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体装置,其具有:引线框,其具有彼此电气独立的多个管芯焊盘部;半导体元件,其设置于各所述管芯焊盘部之上;导线,其将所述半导体元件与所述引线框电连接;环氧类树脂,其至少设置于所述引线框的一部分;以及封装树脂,其至少将各所述管芯焊盘部、所述半导体元件、所述导线及所述环氧类树脂覆盖。2.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,所述环氧类树脂设置于所述引线框的端部上表面及侧面中的至少一者。3.根据权利要求1或2所述的半导体装置,其中,所述环氧类树脂设置于所述管芯焊盘部的下表面,并且所述环氧类树脂的至少一部分从所述封装树脂露出。4.根据权利要求3所述的半导体装置,其中,所述环氧类树脂的导热率大于或等于7W/m
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K。5.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体装置,其中,所述环氧类树脂设置于所述导线的表面。6.根据权利要求1至5中任一项所述的半导体装置,其中,所述环氧类树脂设置于所述导线与所述引线框之间的接合部及所述导线与所述半导体元件之间的接合部。7.一种半导体装置的制造方法,其具有以下工序:第1工序,准备引线框,该引线框具有彼此电气独立的多个管芯焊盘部;第2工序,在各所述管芯焊盘部之上设置半导体元件;第3工序,至少...
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