一种半导体器件连线结构及其制备方法、半导体器件技术

本申请公开了一种半导体器件连线结构及其制备方法、半导体器件，涉及半导体器件技术领域，本申请的半导体器件连线结构，包括同层设置且一侧贴合的第一金属层和有机材料层，第一金属层上还设置有第二金属层，第二金属层延伸至有机材料层上，第二金属层和有机材料层上沉积有钝化层，其中，第二金属层靠近有机材料层的侧壁包括靠近有机材料层的第一侧面、远离有机材料层的第二侧面以及连接在第一侧面和第二侧面之间的至少一个第三侧面，其中，θ1、θ2和θ3均小于90

【技术实现步骤摘要】
一种半导体器件连线结构及其制备方法、半导体器件


[0001]本申请涉及半导体器件
，具体而言，涉及一种半导体器件连线结构及其制备方法、半导体器件。

技术介绍

[0002]半导体功率器件作为电力电子电路中的核心器件,用来实现电能的高效传输、转换及其过程中的有效精确控制，实现对电能的优质、高效的利用。正是由于功率半导体器件的研究和发展，才使得电力电子技术朝小型化、大容量、高频化、高效节能、高可靠性和低成本的方向发展。半导体功率器件包括元胞区和与元胞区连接的终端区，其中，外界的水汽与可移动离子(例如钠)容易由终端区侵入器件内部，侵入的湿气和可移动离子会对元胞区造成损害，另外，还会造成金属离子的迁移，进而降低半导体功率器件的可靠性，尤其是在恶劣环境下的可靠性。
[0003]对于上述问题，通常会在功率半导体器件的终端区域覆盖一直延伸至正面电极表面的钝化层，以阻挡外界水汽与可移动离子侵入，降低水汽和可移动离子对元胞区的损害，以及降低金属离子发生迁移的风险，确保功率半导体器件在各种恶劣环境下能正常工作，提高功率半导体器件的可靠性。其中，钝化层常本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件连线结构，其特征在于，包括同层设置且一侧贴合的第一金属层和有机材料层，所述第一金属层上还设置有第二金属层，所述第二金属层延伸至所述有机材料层上，所述第二金属层和所述有机材料层上沉积有钝化层，所述钝化层覆盖所述第二金属层的侧壁，其中，所述第二金属层靠近所述有机材料层的侧壁包括靠近所述有机材料层的第一侧面、远离所述有机材料层的第二侧面以及连接在所述第一侧面和所述第二侧面之间的至少一个第三侧面，所述第一侧面、所述第二侧面以及所述第三侧面与所述有机材料层分别具有第一夹角θ1、第二夹角θ2和第三夹角θ3，其中，θ1、θ2和θ3均小于90
°
，且θ2>θ1>θ3。2.根据权利要求1所述的半导体器件连线结构，其特征在于，所述第二金属层靠近所述有机材料层的侧壁具有一个所述第三侧面，所述第三侧面的相对两边分别与所述第一侧面和第二侧面连接。3.根据权利要求2所述的半导体器件连线结构，其特征在于，所述第一侧面和所述第二侧面在层级方向上的高度之比在1:10
‑
1:20之间。4.根据权利要求2所述的半导体器件连线结构，其特征在于，所述第一侧面和所述第三侧面在层级方向上的高度和小于2.5um。5.根据权利要求3所述的半导体器件连线结构，其特征在于，所述第一侧面和所述第三侧面在所述有机材料层上的投影的宽度大于0.5um，其中，所述宽度的方向为所述第一金属层与所述有机材料层的排列方向。6.根据权利要求1所述的半导体器件连线结构，其特征在于，所述有机材料层的厚度大于所述第一金属层的厚度，以使所...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑坤，郭佳衢，吴伟鑫，
申请(专利权)人：厦门市三安集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：