一种半导体结构及半导体结构的制备方法技术

本公开实施例涉及半导体领域，提供一种半导体结构及半导体结构的制备方法，半导体结构包括：基底，基底内设有间隔分布的焊盘；相连通的第一凹槽以及第二凹槽，第一凹槽与第二凹槽位于基底内，第一凹槽位于第二凹槽远离焊盘的一侧，第二凹槽底部露出焊盘，第二凹槽在基底的正投影位于第一凹槽在基底的正投影内；重布线层，重布线层位于焊盘表面，且还位于第一凹槽的内壁以及第二凹槽的内壁和底部。本公开实施例可以改善测试探针污染甚至损坏的问题。施例可以改善测试探针污染甚至损坏的问题。施例可以改善测试探针污染甚至损坏的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体结构及半导体结构的制备方法


[0001]本公开实施例涉及半导体领域，特别涉及一种半导体结构及半导体结构的制备方法。

技术介绍

[0002]随着各种电子器件(例如，晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的快速发展，构成电子器件的半导体行业也快速发展。半导体的生产流程一般包括晶圆制造、晶圆验收测试、芯片封装和封装后测试等流程。
[0003]在芯片封装流程中，可以通过金属布线制程或凸块制程改变芯片的焊点(I/O pad)位置，一般可以通过形成重布线层(Re
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distribution Layer，RDL)改变芯片的焊点位置，使芯片可以与不同的封装基板或者其他芯片进行电连接。

技术实现思路

[0004]本公开实施例提供一种半导体结构及半导体结构的制备方法。
[0005]根据本公开一些实施例，本公开实施例一方面提供一种半导体结构，包括：基底，基底内设有间隔分布的焊盘；相连通的第一凹槽以及第二凹槽，第一凹槽与第二凹槽位于基底内，第一凹槽位于第二凹槽远离焊盘的一侧，第二凹槽底部露出焊盘，第二凹槽在基底的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：基底，所述基底内设有间隔分布的焊盘；相连通的第一凹槽以及第二凹槽，所述第一凹槽与所述第二凹槽位于所述基底内，所述第一凹槽位于所述第二凹槽远离所述焊盘的一侧，所述第二凹槽底部露出所述焊盘，所述第二凹槽在所述基底的正投影位于所述第一凹槽在所述基底的正投影内；重布线层，所述重布线层位于所述焊盘表面，且还位于所述第一凹槽的内壁以及所述第二凹槽的内壁和底部。2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，在垂直于所述基底表面方向的剖面上，所述第一凹槽的剖面图形和/或所述第二凹槽的剖面图形为圆形，正方形，矩形，梯形等形状中的一者。3.根据权利要求1或2所述的半导体结构，其特征在于，所述第一凹槽的中心轴线与所述第二凹槽的中心轴线、所述焊盘的中心轴线重合。4.根据权利要求1或2所述的半导体结构，其特征在于，在所述第一凹槽指向所述第二凹槽的方向上，所述第一凹槽的深度大于等于所述第二凹槽的深度。5.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，所述第一凹槽的深度等于所述第二凹槽的深度，沿所述焊盘的排布方向上，所述第一凹槽的宽度d1＝d0+2*h/tan(a)+2x，其中，d0为所述第二凹槽的最小宽度，h为所述第二凹槽的深度，a为所述第二凹槽的内壁面与所述第二凹槽的底部形成的最小夹角，x为所述第一凹槽与所述第二凹槽之间形成的阶梯的宽度。6.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，包括：沿垂直于所述基底表面方向排布的至少两个所述第一凹槽；且沿所述第一凹槽指向所述第二凹槽的排布方向上，任一所述第一凹槽在所述基底上的正投影位于相邻且远离所述第二凹槽的所述第一凹槽在所述基底上的正投影内。7.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，在垂直于所述基底表面的方向上，所述重布线层围成的开口的剖面图形为梯形。8.根据权利要求7所述的半导体结构，其特征在于，沿所述焊盘的排布方向上，所述开口的顶部的宽度与所述焊盘的宽度的比值范围为1.5～1。9.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，位于所述第二凹槽底部的所述重布线层的厚度大于1um。10.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述重布线层的材料为铝、钛或者氮化钛。11.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述基底包括依次层叠的初始基底、第一钝化层、介质层以及第二钝化层，所述焊盘位于所述初始基底上，所述第一钝化层覆盖所述焊盘表面，且所述第一钝化层顶面高于所述焊盘顶面。12.一种半导体结构的制备方法，...

【专利技术属性】
技术研发人员：王亮，许杞安，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：