磁阻传感器及其制备方法、磁传感装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种磁阻传感器及其制备方法、磁传感装置，属于磁传感器技术领域。该磁阻传感器包括第一磁阻传感器元件和第二磁阻传感器元件，第一磁阻传感器元件和第二磁阻传感器元件中的每个磁阻传感器元件包括感测层和偏置磁场层；该感测层具有第一灵敏方向；该偏置磁场层用于对感测层产生第一磁场，使感测层具有单涡旋磁化图案；该第一磁场的磁场方向垂直于该第一灵敏方向。该磁阻传感器通过偏置磁场层对其感测层施加第一磁场，使其感测层具有单涡旋磁化图案，应用于磁场感测可降低磁滞的影响，具有较宽线性范围，较低测量误差的技术效果。效果。效果。

【技术实现步骤摘要】
磁阻传感器及其制备方法、磁传感装置


[0001]本专利技术涉及磁传感器
，尤其涉及一种磁阻传感器及其制备方法、磁传感装置。

技术介绍

[0002]磁阻传感器，由于其材料具有响应于外部施加的磁场而改变其电阻值的趋势，因此，被广泛应用于测量磁场实现速度和方向感测、旋转角度感测、电流感测、接近感测等。
[0003]TMR（Tunnel Magneto Resistance，隧道磁阻）传感技术是新型磁传感技术的典型代表，具有高灵敏度、低功耗、宽频带、微型化等诸多优势。TMR传感器一般采用CoFeB/MgO/CoFeB材料体系，由于CoFeB材料剩磁较高，使得TMR传感器存在磁滞，会在测量过程中产生噪声，在精度要求较高的测量环境中容易造成极大的误差。
[0004]目前的市场上的TMR芯片一般采用诸如调整退火工艺等方式尽可能地减小芯片的磁滞，只能将磁滞问题抑制在了一个较小的范围内。然而受结构所限，传统的TMR芯片无论采用何种工艺均无法完全消除磁滞。

技术实现思路

[0005]本专利技术的主要目的在于提供一种磁阻传感器及本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种磁阻传感器，其特征在于，所述磁阻传感器包括：第一磁阻传感器元件，其被配置成响应于外部磁场而产生第一输出信号；第二磁阻传感器元件，其被配置成响应于外部磁场而产生第二输出信号；处理电路，其电耦接到所述第一磁阻传感器元件和所述第二磁阻传感器元件，其被配置成产生所述第一输出信号与所述第二输出信号之间差值的差分输出信号；所述第一磁阻传感器元件和所述第二磁阻传感器元件中的每个磁阻传感器元件包括：感测层，具有第一灵敏方向；偏置磁场层，用于对所述感测层产生第一磁场，使所述感测层具有单涡旋磁化图案，所述第一磁场的磁场方向垂直于所述第一灵敏方向。2.根据权利要求1所述的磁阻传感器，其特征在于，所述感测层呈圆盘或椭圆盘形状，其长轴与短轴的比值为1~2，其厚度为30~500 nm；所述第一磁场的大小为10~500 Oe。3.根据权利要求1所述的磁阻传感器，其特征在于，所述磁阻传感器元件还包括底电极层、参考层、绝缘层以及顶电极层，所述底电极层、所述参考层、所述绝缘层、所述感测层、所述偏置磁场层以及所述顶电极层依次设置；所述偏置磁场层包括：第一反铁磁层，其位于所述偏置磁场层中远离所述感测层的一侧，为所述感测层提供所述第一磁场；第一非磁层，其位于所述感测层与所述第一反铁磁层之间。4.根据权利要求1所述的磁阻传感器，其特征在于，所述磁阻传感器包括磁堆叠体以及所述偏置磁场层；所述磁堆叠体包括依次设置的底电极层、参考层、绝缘层、所述感测层以及顶电极层；所述偏置磁场层包括至少一层，位于所述磁堆叠体的上方、一侧面或两侧面。5.根据权利要求4所述的磁阻传感器，其特征在于，所述偏置磁场层位于所述磁堆叠体的上方时，所述偏置磁场层与所述感测层的距离为0.5~1.2cm；所述偏置磁场层位于所述磁堆叠体的一侧面时，所述偏置磁场层与所述感测层的距离为0.5~1.2cm；所述偏置磁场层位于所述磁堆叠体的两侧面时，所述偏置磁场层中第一偏置磁场层与第二偏置磁场层对称设置在所述磁堆叠体的两...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡忠强，关蒙萌，刘明，龚云翔，苏玮，刘佳明，
申请(专利权)人：珠海多创科技有限公司，
类型：发明
国别省市：