磁传感器、电控制装置、校正方法及磁传感器的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种磁传感器、电控制装置、校正方法及磁传感器的制造方法。不管施加的外部磁场的方向，输出信号的线形性均良好的磁传感器包括通过磁场的施加而输出信号的磁检测部和校正从磁检测部输出的信号的信号校正部，磁检测部包含具有规定的灵敏度轴的磁阻效应元件，信号校正部使用在与灵敏度轴交叉的交叉方向的磁场被施加于磁阻效应元件时能够降低信号所含的失真误差的校正值，来校正信号，生成校正信号。校正信号。校正信号。

【技术实现步骤摘要】
磁传感器、电控制装置、校正方法及磁传感器的制造方法


[0001]本专利技术涉及磁传感器及使用其的电控制装置、以及磁传感器的输出信号的校正方法及磁传感器的制造方法。

技术介绍

[0002]近年来，用于检测移动体的直线移动所产生的位置、移动量(变化量)、方位等的位置检测装置被用于各种用途中。作为位置检测装置，已知有一种包括通过施加磁场而输出信号的磁传感器部的装置。作为磁传感器部，例如，可举出具有自由层和磁化固定层的层叠体，其具有电阻随着与外部磁场对应的自由层的易磁化轴方向的变化而变化的磁阻效应元件(MR元件)。
[0003]上述磁传感器部所具有的磁阻效应元件具有与磁化固定层的磁化方向平行的方向的灵敏度轴，通过对磁阻效应元件施加沿着该灵敏度轴的方向的外部磁场，而输出与该外部磁场的磁场强度对应的信号。
[0004]现有技术文献
[0005]专利文献
[0006]专利文献1：日本特开2019
‑
117184号公报。

技术实现思路

[0007]专利技术所要解决的问题
[0008]根据所述位置检测装置的使用环境不同，有时对磁阻效应元件施加相对于所述灵敏度轴倾斜地交叉的外部磁场(以下有时称为“倾斜磁场”。)。此时，从磁传感器部输出的信号中所含的三次谐波成分等的高次谐波成分所产生的失真会变大。由此，存在如下问题，对磁阻效应元件施加倾斜磁场时的来自磁传感器部的输出信号的线形性会恶化。
[0009]鉴于上述问题，本专利技术的目的在于，提供不管施加的外部磁场的方向、输出信号的线形性均良好的磁传感器及使用了该磁传感器的电控制装置、以及磁传感器的输出信号的校正方法及磁传感器的制造方法。
[0010]用于解决问题的技术手段
[0011]为了解决上述问题，本专利技术提供一种磁传感器，其特征在于，包括：磁检测部，其通过磁场的施加而输出信号；和信号校正部，其校正从所述磁检测部输出的所述信号，所述磁检测部包含具有规定的灵敏度轴的磁阻效应元件，所述信号校正部，使用在相对于所述灵敏度轴倾斜地交叉的交叉方向的所述磁场被施加于所述磁阻效应元件时可降低从所述磁检测部输出的信号所含的失真误差的校正值，来校正所述信号，生成校正信号。
[0012]所述磁传感器中，所述磁检测部也可以包含在第一轴上具有所述灵敏度轴的所述磁阻效应元件。另外，所述磁阻效应元件包含第一磁阻效应元件和第二磁阻效应元件，所述第一磁阻效应元件的所述灵敏度轴与第一轴平行，所述第二磁阻效应元件的所述灵敏度轴与第二轴平行，所述第一轴和所述第二轴彼此正交，所述交叉方向只要是相对于所述第一
轴和所述第二轴双方倾斜地交叉的方向即可。
[0013]所述磁传感器中，所述信号校正部可以对将作为所述校正值的所述失真误差的反失真与所述信号相加，也可以通过下述数学式(1)校正所述信号，生成所述校正信号。
[0014]V
’
＝V+V3×
a
…
(1)
[0015]所述数学式(1)中，V表示“从所述磁检测部输出的所述信号”，V
’
表示“所述校正信号”，a表示“校正系数”。
[0016]本专利技术提供一种电控制装置，其特征在于，包括所述磁传感器。
[0017]本专利技术提供一种校正方法，在包括磁检测部的磁传感器中校正从所述磁检测部输出的信号，其中，所述磁检测部包含具有规定的灵敏度轴的磁阻效应元件，通过所述磁阻效应元件被施加磁场而输出信号，该校正方法的特征在于，包含：获取从所述磁检测部输出的所述信号的工序；和校正所述工序中所获取的所述信号，以使得在相对于所述灵敏度轴倾斜地交叉的交叉方向的所述磁场被施加于所述磁阻效应元件时降低所述信号所含的失真误差的工序。
[0018]本专利技术提供一种磁传感器的制造方法，该磁传感器包括磁检测部和信号校正部，所述磁检测部包含具有规定的灵敏度轴的磁阻效应元件，通过所述磁阻效应元件被施加磁场而输出信号，所述信号校正部校正从所述磁检测部输出的所述信号，该制造方法的特征在于，包含：对所述磁检测部施加与所述磁阻效应元件的所述灵敏度轴交叉的方向的试验用磁场的工序；和基于与所述试验用磁场的施加对应地从所述磁检测部输出的试验用信号，求取可降低所述试验用信号所含的失真误差的校正值的工序。
[0019]专利技术效果
[0020]根据本专利技术，能够提供不管施加的外部磁场的方向，输出信号的线形性均良好的磁传感器及使用了该磁传感器的电控制装置、以及磁传感器的输出信号的校正方法及磁传感器的制造方法。
附图说明
[0021]图1是表示本专利技术一实施方式的磁传感器的概略结构的框图。
[0022]图2A是表示本专利技术一实施方式的磁检测部的概略结构的电路图。
[0023]图2B是表示本专利技术一实施方式的磁检测部的另一方式的概略结构的电路图。
[0024]图3是表示本专利技术一实施方式的磁阻效应元件的概略结构的立体图。
[0025]图4是表示本专利技术一实施方式的磁传感器的另一方式的概略结构的框图。
[0026]图5是表示试验例1的结果的图表。
[0027]图6是表示试验例2的结果的图表。
[0028]图7是表示试验例3的结果的图表。
[0029]图8是表示试验例3的结果的图表。
具体实施方式
[0030]参照附图对本专利技术实施方式的磁传感器进行说明。此外，本实施方式中，举例说明作为磁传感器的电流传感器，但本实施方式的磁传感器不限定于电流传感器。
[0031]在说明本实施方式时，根据需要，在几个附图中，规定“第一轴和第二轴”。在此，第
一轴与磁阻效应元件的灵敏度轴平行。第二轴与第一轴正交。此外，在本说明书及附图中，有时将第一轴称为“X轴”，将第二轴称为“Y轴”。在本说明书中，“正交”是如下概念，除了包含成为对象的两个线段、轴、方向等完全以90
°
交叉的情况之外，还包含大致正交即稍微偏离90
°
进行交叉(交叉角度为90
°±5°
的范围内)的情况，另外，“平行”是如下概念，除了包含成为对象的两个线段、轴、方向等为完全的平行状态的情况之外，还包含大致平行(交叉角度为5
°
以下的范围)的情况。
[0032]如图1所示，本实施方式的磁传感器1包括：通过磁场的施加而输出信号S的磁检测部2；和对从磁检测部2输出的信号S进行处理的信号处理部3。本实施方式的磁传感器1可以是将磁检测部2和信号处理部3一体地(整体地)形成并单片化而成的磁传感器，或将磁检测部2和信号处理部3进行树脂密封并单片化而成的磁传感器，也可以是将磁检测部2和信号处理部3分别独立地进行树脂密封而成的磁传感器。
[0033]如图2A及图2B所示，磁检测部2例如只要包含多个元件部20(例如第一～第四元件部21～24)即可，但也可以包含一个元件部20。在包含多个元件部20的情况下，磁检测部2也可以通过由多个元件部20形成的惠斯登电桥电路C(由第本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种磁传感器，其特征在于，包括：磁检测部，其通过磁场的施加而输出信号；和信号校正部，其校正从所述磁检测部输出的所述信号，所述磁检测部包含具有规定的灵敏度轴的磁阻效应元件，所述信号校正部，使用在相对于所述灵敏度轴倾斜地交叉的交叉方向的所述磁场被施加于所述磁阻效应元件时可降低从所述磁检测部输出的信号所含的失真误差的校正值，来校正所述信号，生成校正信号。2.根据权利要求1所述的磁传感器，其特征在于，所述磁检测部包含在第一轴上具有所述灵敏度轴的所述磁阻效应元件。3.根据权利要求1所述的磁传感器，其特征在于，所述磁阻效应元件包含第一磁阻效应元件和第二磁阻效应元件，所述第一磁阻效应元件的所述灵敏度轴与第一轴平行，所述第二磁阻效应元件的所述灵敏度轴与第二轴平行，所述第一轴和所述第二轴彼此正交，所述交叉方向是相对于所述第一轴和所述第二轴双方倾斜地交叉的方向。4.根据权利要求1～3中任一项所述的磁传感器，其特征在于，所述信号校正部将作为所述校正值的所述失真误差的反失真与所述信号相加。5.根据权利要求1～3中任一项所述的磁传感器，其特征在于，所述信号校正部通过下述的数学式(1)校正所述信号，生成所述校正信号，V
’
＝V十V3×
a

【专利技术属性】
技术研发人员：渡部司也，
申请(专利权)人：TDK株式会社，
类型：发明
国别省市：