磁传感器、电控制装置、校正方法及磁传感器的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种磁传感器、电控制装置、校正方法及磁传感器的制造方法。不管施加的外部磁场的方向，输出信号的线形性均良好的磁传感器包括通过磁场的施加而输出信号的磁检测部和校正从磁检测部输出的信号的信号校正部，磁检测部包含具有规定的灵敏度轴的磁阻效应元件，信号校正部使用在与灵敏度轴交叉的交叉方向的磁场被施加于磁阻效应元件时能够降低信号所含的失真误差的校正值，来校正信号，生成校正信号。校正信号。校正信号。

【技术实现步骤摘要】
磁传感器、电控制装置、校正方法及磁传感器的制造方法


[0001]本专利技术涉及磁传感器及使用其的电控制装置、以及磁传感器的输出信号的校正方法及磁传感器的制造方法。

技术介绍

[0002]近年来，用于检测移动体的直线移动所产生的位置、移动量(变化量)、方位等的位置检测装置被用于各种用途中。作为位置检测装置，已知有一种包括通过施加磁场而输出信号的磁传感器部的装置。作为磁传感器部，例如，可举出具有自由层和磁化固定层的层叠体，其具有电阻随着与外部磁场对应的自由层的易磁化轴方向的变化而变化的磁阻效应元件(MR元件)。
[0003]上述磁传感器部所具有的磁阻效应元件具有与磁化固定层的磁化方向平行的方向的灵敏度轴，通过对磁阻效应元件施加沿着该灵敏度轴的方向的外部磁场，而输出与该外部磁场的磁场强度对应的信号。
[0004]现有技术文献
[0005]专利文献
[0006]专利文献1：日本特开2019
‑
117184号公报。

技术实现思路

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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种磁传感器，其特征在于，包括：磁检测部，其通过磁场的施加而输出信号；和信号校正部，其校正从所述磁检测部输出的所述信号，所述磁检测部包含具有规定的灵敏度轴的磁阻效应元件，所述信号校正部，使用在相对于所述灵敏度轴倾斜地交叉的交叉方向的所述磁场被施加于所述磁阻效应元件时可降低从所述磁检测部输出的信号所含的失真误差的校正值，来校正所述信号，生成校正信号。2.根据权利要求1所述的磁传感器，其特征在于，所述磁检测部包含在第一轴上具有所述灵敏度轴的所述磁阻效应元件。3.根据权利要求1所述的磁传感器，其特征在于，所述磁阻效应元件包含第一磁阻效应元件和第二磁阻效应元件，所述第一磁阻效应元件的所述灵敏度轴与第一轴平行，所述第二磁阻效应元件的所述灵敏度轴与第二轴平行，所述第一轴和所述第二轴彼此正交，所述交叉方向是相对于所述第一轴和所述第二轴双方倾斜地交叉的方向。4.根据权利要求1～3中任一项所述的磁传感器，其特征在于，所述信号校正部将作为所述校正值的所述失真误差的反失真与所述信号相加。5.根据权利要求1～3中任一项所述的磁传感器，其特征在于，所述信号校正部通过下述的数学式(1)校正所述信号，生成所述校正信号，V
’
＝V十V3×
a

【专利技术属性】
技术研发人员：渡部司也，
申请(专利权)人：TDK株式会社，
类型：发明
国别省市：