包括其中电介质包括阳极多孔氧化物的电容器的电气器件和相应的制造方法技术

一种包括电容器的电气器件，包括：基板(100)；在基板上方的阳极多孔氧化物区域(105)；第一电容器电极区域(111A)，其布置在阳极多孔氧化物区域中，在阳极多孔氧化物区域中延伸，第一电容器电极区域具有垂直于顶表面的第一壁(108A)；第二电容器电极区域(111A)，其布置在阳极多孔氧化物区域中，在阳极多孔氧化物区域中延伸，第二电容器电极区域具有垂直于顶表面且面对第一电容器电极区域的第一壁的第二壁(108B,202B)，第一电容器电极区域的第一壁和第二电容器电极区域的第二壁由包括阳极多孔氧化物区域的一部分的电介质部分(112)分隔开。分隔开。分隔开。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】包括其中电介质包括阳极多孔氧化物的电容器的电气器件和相应的制造方法


[0001]本专利技术涉及集成领域，并且更具体地，涉及电气器件、相关半导体产品及其制造方法。

技术介绍

[0002]诸如电容器的电子部件可以以各种形式集成到半导体产品中。例如，可以通过形成由电介质层分隔开的两个平面电极而在半导体基板上方形成平面电容器。然而，平面电容器提供低电容密度，这意味着高值电容将消耗硅的显著的面积。
[0003]为了克服该问题，已经提出形成三维结构来增加电容器的电容。使用三维(3D)电容器已经实现了每m2一法拉数量级的电容密度。
[0004]3D电容器包括呈现浮雕的功能电极(例如，功能电极包括呈现浮雕的表面或者功能电极形成在诸如孔、洞、沟槽或柱的浮雕上)。通常，可以通过使用深反应离子蚀刻来形成导电3D结构，然后进行电介质和导电材料的后续沉积步骤以形成电容器。文献WO 2007125510公开了用于形成这样的3D电容器的方法。
[0005]还已经提出了在通过对导电层进行阳极氧化形成的多孔绝缘结构的内部形成电容器，这样的结构在文献WO 本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种包括电容器的电气器件，包括：基板(100)；在所述基板上方的阳极多孔氧化物区域(105)，所述阳极多孔氧化物区域具有顶表面；第一电容器电极区域(111A,201A)，其布置在所述阳极多孔氧化物区域中，在所述阳极多孔氧化物区域中从其顶表面(F)延伸，所述第一电容器电极区域具有垂直于所述顶表面的第一壁(108A,202A)；第二电容器电极区域(111A,201B)，其布置在所述阳极多孔氧化物区域中，在所述阳极多孔氧化物区域中从其顶表面(F)延伸，所述第二电容器电极区域具有垂直于所述顶表面且面对所述第一电容器电极区域的所述第一壁的第二壁(108B,202B)，所述第一电容器电极区域的所述第一壁和所述第二电容器电极区域的所述第二壁由包括所述阳极多孔氧化物区域的一部分的电介质部分(112)分隔开，使得由所述第一电容器电极区域、所述第二电容器电极区域和所述电介质部分形成电容器(CAP,CAP
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)。2.根据权利要求1所述的电气器件，其中，所述第一电容器电极区域包括分别面对所述第二电容器电极区域的两个基本上平行的第二壁(108B)的两个基本上平行的第一壁(108A)，并且其中，所述电介质部分(112)在面对的所述第一电容器电极区域的每个第一壁与所述第二电容器电极区域的每个第二壁之间延伸。3.根据权利要求2所述的电气器件，其中，所述第一电容器电极区域(202A)和所述第二电容器电极区域(202B)被布置成互锁梳状结构或互锁螺旋结构。4.根据权利要求1至3中任一项所述的电气器件，其中，所述电介质部分还包括在所述电介质部分中包括的所述阳极多孔氧化物区域的一部分的至少一组孔(106)的内部的填充材料(109)。5.根据权利要求4所述的电气器件，其中，所述填充材料布置在所述电介质部分中包括的所述阳极多孔氧化物区域的一部分的所有孔中。6.根据权利要求4所述的电气器件，其中，在所述电介质部分中包括的所述阳极多孔氧化物区域的一部分的至少一个孔未填充有所述填充材料。7.根据权利要求4或5所述的电气器件，其中，所述填充材料是电介质材料，或者所述填充材料是高K电介质，或者所述填充材料是低K电介质。8.根据权利要求1至7中任一项所述的电气器件，还包括导电图案(104)，所述导电图案布置在所述基板与所述阳极多孔区域之间以及/或者所述基板与所述第一电容器电极区域或所述第二电容器电极区域之间。9.根据权利要求8所述的电气器件，其中，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：拉里，
申请(专利权)人：株式会社村田制作所，
类型：发明
国别省市：