碳化硅外延生长室制造技术

本发明专利技术提供了一种碳化硅外延生长室，属于半导体领域，包括上室体及下室体，上室体具有上空腔，所述上室体内设有上支撑板；下室体固设于上室体的下方，下室体具有下空腔，下室体内设有下支撑板，上支撑板与下支撑板之间构成生长室，下支撑板内部设有储气腔，下支撑板的下方还设有连通储气腔的气道；下支撑板上且位于储气腔的上方设有圆形凹槽，下支撑板上还设有连通储气腔与生长室的通气孔。本发明专利技术提供的碳化硅外延生长室，清理时将上室体取出即可对生长室内部进行清理，结构简单，方便拆卸清洁；上室体和下室体均设有中空腔，降低了生长室的重量，方便生长室的取出和安装。方便生长室的取出和安装。方便生长室的取出和安装。

【技术实现步骤摘要】
碳化硅外延生长室


[0001]本专利技术属于半导体
，具体涉及一种碳化硅外延生长室。

技术介绍

[0002]随着半导体材料及相应技术的蓬勃发展，碳化硅(SiC)成为研制高温、高频、大功率和抗辐射电子器件的新型半导体材料。作为第三代宽禁带半导体材料的代表，碳化硅材料具有禁带宽度大、击穿场强高、热导率大、电子饱和漂移速度高等优点，该材料的耐高压能力是硅的10倍，耐高温能力是硅的2倍，高频能力是硅的2倍，相同电气参数产品，采用碳化硅材料体积可以缩小50％，能量损耗降低80％，所以该材料在雷达与通信、新能源、航空、航天等领域具有广阔的应用前景。
[0003]SiC化学气相外延(SiC CVD)是半导体产业中制备SiC薄膜的一种重要技术，该技术是把含有外延材料成分的气体和载气通入到高温生长室中，气体分子在高温下热分解、扩散，最后发生化学反应沉积在衬底上形成薄膜材料。该技术具有使用范围广、生长速度高、生长易于控制、外延层均匀性良好等诸多优点。
[0004]采用SiC CVD技术所生长薄膜的厚度和组分的均匀性是判断薄膜质量的重要指标。微本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种碳化硅外延生长室，其特征在于，包括：上室体(1)，具有上空腔(22)，所述上室体(1)内设有上支撑板(23)；下室体(2)，固设于所述上室体(1)的下方，所述下室体(2)具有下空腔(20)，所述下室体(2)内设有下支撑板(24)，所述上支撑板(23)与所述下支撑板(24)之间构成生长室，所述下支撑板(24)内部设有储气腔(8)，所述下支撑板(24)的下方还设有连通所述储气腔(8)的气道(6)；所述下支撑板上且位于所述储气腔(8)的上方设有圆形凹槽(19)，所述下支撑板(24)上还设有连通所述储气腔(8)与生长室的通气孔(9)。2.如权利要求1所述的碳化硅外延生长室，其特征在于，还包括保护结构，所述保护结构包括第一保护板(4)和第二保护板(10)，所述第一保护板(4)和所述第二保护板(10)均覆盖于所述下支撑板(24)上，所述第一保护板(4)和所述第二保护板(10)相对的一侧均为弧形曲面，两个所述弧形曲面构成的限位圆孔与所述圆形凹槽(19)构成的圆形孔同心，且所述限位圆孔的直径小于所述圆形孔的直径。3.如权利要求2所述的碳化硅外延生长室，其特征在于，所述上室体(1)与所述下室体(2)的形状均为半圆柱体，所述上室体(1)和所述下室体(2)相接构成完整的圆柱体；其中，所述下支撑板(24)的左右两侧分别设有向上凸伸的支撑台阶(21)，所述第一保...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘炳义，秦天，赵英伟，路孟喜，马培圣，吴爱华，王秀海，郝晓亮，文黎波，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第十三研究所，
类型：发明
国别省市：