一种爪式坩埚安装装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种爪式坩埚安装装置，包括提拉件、勾爪部件和盖体。盖体用于可拆卸式安装在坩埚的上端开口位置，以使坩埚内形成密封腔体。盖体的边缘位置设有挂接部。勾爪部件具有勾爪，勾爪与挂接部挂接相连，以通过勾爪提升坩埚和盖体。提拉件与勾爪部件相连，以通过提拉件提升勾爪部件。相比于现有技术，本发明专利技术的爪式坩埚安装装置能够减弱坩埚上端、下端中心区域的温度突变，保证坩埚内长晶界面温度梯度平滑，为保证晶体生长界面处有稳定的生长驱动力提供条件。动力提供条件。动力提供条件。

【技术实现步骤摘要】
一种爪式坩埚安装装置


[0001]本专利技术涉及碳化硅
，特别是涉及一种爪式坩埚安装装置。

技术介绍

[0002]碳化硅晶体生长主要使用PVT(物理气相传输)方法在高于2000℃的高温下进行。在晶体生长过程中，坩埚内径向温度梯度对于生长晶体的品质尤为重要，均匀的温度梯度更利于提高晶体的品质。
[0003]目前，碳化硅单晶炉坩埚的通用固定方式有两种。一种是在坩埚底部中心位置设置一根支撑轴，轴上端安装托盘，坩埚直接放在托盘上。另一种是在坩埚上方设置提拉轴，提拉轴下端为圆形连接法兰，连接法兰使用螺钉与坩埚顶部连接固定。
[0004]上述固定方式存在如下缺点：相对于坩埚的直径，坩埚底部的支撑轴和坩埚顶部的提拉轴都是很细的，且与坩埚的接触面很小，并且接触面都位于坩埚中心区域，这会导致坩埚顶部或者底部中心区域出现局部低温区，影响坩埚内径向温度梯度，改变晶体生长界面处的生长驱动力，促使长晶界面畸变，导致生长的晶体产生缺陷。

技术实现思路

[0005]本专利技术的目的是提供一种爪式坩埚安装装置，减弱坩埚上端、下端中心区域的温度突变，保证坩埚内长晶界面温度梯度平滑，为保证晶体生长界面处有稳定的生长驱动力提供条件。
[0006]为实现上述目的，本专利技术提供了如下方案：
[0007]本专利技术公开了一种爪式坩埚安装装置，包括提拉件、勾爪部件和盖体；所述盖体用于可拆卸式安装在坩埚的上端开口位置，以使所述坩埚内形成密封腔体；所述盖体的边缘位置设有挂接部；所述勾爪部件具有勾爪，所述勾爪与所述挂接部挂接相连，以通过所述勾爪提升所述坩埚和所述盖体；所述提拉件与所述勾爪部件相连，以通过所述提拉件提升所述勾爪部件。
[0008]优选地，所述盖体包括连接环和封堵件；所述封堵件安装于所述连接环上，用以封堵所述连接环内侧的通孔；所述挂接部位于所述连接环上；所述连接环用于安装在所述坩埚的上端开口位置。
[0009]优选地，所述连接环用于与所述坩埚的上端螺纹连接。
[0010]优选地，所述挂接部和所述勾爪均包括多个，多个所述挂接部沿所述盖体的边缘间隔分布，每个所述挂接部均对应一个所述勾爪。
[0011]优选地，所述挂接部的下端具有开口，所述勾爪向上插入所述开口；相邻两个所述挂接部之间形成向所述盖体的中部内凹的缺口，所述缺口用于在所述勾爪部件与所述盖体在上下方向相对运动时避让所述勾爪。
[0012]优选地，所述挂接部上设有多个限位结构，多个所述限位结构分别位于所述勾爪的两侧，从而在所述勾爪与所述挂接部在挂接状态下相对旋转时，分别从两侧对所述勾爪
进行限位。
[0013]优选地，所述提拉件沿上下方向穿过所述勾爪部件，所述提拉件的下端具有用于承托所述勾爪部件的承托部。
[0014]优选地，所述承托部上安装有用以限制所述提拉件与所述勾爪部件相对旋转的限位件，所述限位件穿过所述勾爪部件。
[0015]优选地，所述限位件为连接螺钉，所述承托部上设有与所述连接螺钉匹配的螺纹孔，所述勾爪部件上设有供所述连接螺钉穿过的竖向通孔。
[0016]优选地，所述提拉件的上端设有用于连接提拉机构的内螺纹或外螺纹。
[0017]本专利技术相对于现有技术取得了以下技术效果：
[0018]本专利技术的安装装置中，盖体被提升时，盖体通过热传导的方式将热量传递给勾爪部件，从而在挂接部形成局部低温区。由于挂接部设置于盖体的边缘位置，而非盖体的中心位置，减弱了坩埚上端、下端中心区域的温度突变，保证坩埚内长晶界面温度梯度平滑，为保证晶体生长界面处有稳定的生长驱动力提供条件。另外，由于勾爪与挂接部的挂接相连和分离操作较为便捷，便于实现勾爪部件与盖体的快速装拆。
附图说明
[0019]为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0020]图1为本实施例爪式坩埚安装装置的剖视图；
[0021]图2为本实施例爪式坩埚安装装置的示意图；
[0022]附图标记说明：1
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提拉件；2
‑
连接螺钉；3
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勾爪部件；4
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连接环。
具体实施方式
[0023]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0024]本专利技术的目的是提供一种爪式坩埚安装装置，减弱坩埚上下表面中心区域的温度突变，保证坩埚内长晶界面温度梯度平滑，为保证晶体生长界面处有稳定的生长驱动力提供条件。
[0025]为使本专利技术的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实施方式对本专利技术作进一步详细的说明。
[0026]参照图1、图2，本实施例提供一种爪式坩埚安装装置(以下简称为安装装置)，包括提拉件1、勾爪部件3和盖体。盖体用于可拆卸式安装在坩埚的上端开口位置，以使坩埚内形成密封腔体。盖体的边缘位置设有挂接部。勾爪部件3具有勾爪，勾爪与挂接部挂接相连，以通过勾爪提升坩埚和盖体。提拉件1与勾爪部件3相连，以通过提拉件1提升勾爪部件3。
[0027]本实施例的安装装置中，盖体被提升时，盖体通过热传导的方式将热量传递给勾
爪部件3，从而在挂接部形成局部低温区。由于挂接部设置于盖体的边缘位置，而非盖体的中心位置，减弱了坩埚上端、下端中心区域的温度突变，保证坩埚内长晶界面温度梯度平滑，为保证晶体生长界面处有稳定的生长驱动力提供条件。
[0028]作为一种可能的示例，本实施例中，盖体包括连接环4和封堵件。封堵件安装于连接环4上，用以封堵连接环4内侧的通孔。挂接部位于连接环4上，连接环4用于安装在坩埚的上端开口位置。由于盖体与坩埚、勾爪部件3的连接均通过连接环4实现，减小了连接环4与封堵件之间的相互作用力，从而提高了连接环4和封堵件连接位置的密封性。然而，实际实施方式不限于此。例如，连接环4和封堵件可以是一体式结构。
[0029]作为一种可能的示例，本实施例中，连接环4用于与坩埚的上端螺纹连接。具体的，连接环4的下端具有外螺纹，坩埚的上端开口位置具有与该外螺纹匹配的内螺纹。然而，实际实施方式不限于此。例如，连接环4的下端具有内螺纹，坩埚的上端开口位置具有与该内螺纹匹配的外螺纹。又例如，坩埚与连接环4通过螺钉相连。
[0030]作为一种可能的示例，本实施例中，挂接部和勾爪均包括多个，多个挂接部沿盖体的边缘间隔分布，每个挂接部均对应一个勾爪。具体的，挂接部和勾爪均为六个。六个挂接部以盖体的轴线为中心，沿盖体的圆周方向间隔分布(优选为均布)。六个勾爪以勾爪部件3的轴线为中本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种爪式坩埚安装装置，其特征在于，包括提拉件、勾爪部件和盖体；所述盖体用于可拆卸式安装在坩埚的上端开口位置，以使所述坩埚内形成密封腔体；所述盖体的边缘位置设有挂接部；所述勾爪部件具有勾爪，所述勾爪与所述挂接部挂接相连，以通过所述勾爪提升所述坩埚和所述盖体；所述提拉件与所述勾爪部件相连，以通过所述提拉件提升所述勾爪部件。2.根据权利要求1所述的爪式坩埚安装装置，其特征在于，所述盖体包括连接环和封堵件；所述封堵件安装于所述连接环上，用以封堵所述连接环内侧的通孔；所述挂接部位于所述连接环上；所述连接环用于安装在所述坩埚的上端开口位置。3.根据权利要求2所述的爪式坩埚安装装置，其特征在于，所述连接环用于与所述坩埚的上端螺纹连接。4.根据权利要求1所述的爪式坩埚安装装置，其特征在于，所述挂接部和所述勾爪均包括多个，多个所述挂接部沿所述盖体的边缘间隔分布，每个所述挂接部均对应一个所述勾爪。5.根据权利要求4所述的爪式坩埚安装装置，其特征在于，所述挂接部的下端具有开口，所述勾爪向上插入所述开口；相邻两...

【专利技术属性】
技术研发人员：李辉，毛瑞川，杨茜，丁柏松，汪能超，
申请(专利权)人：南京晶升装备股份有限公司，
类型：发明
国别省市：