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本发明提供了一种碳化硅外延生长室，属于半导体领域，包括上室体及下室体，上室体具有上空腔，所述上室体内设有上支撑板；下室体固设于上室体的下方，下室体具有下空腔，下室体内设有下支撑板，上支撑板与下支撑板之间构成生长室，下支撑板内部设有储气腔，下...
该专利属于中国电子科技集团公司第十三研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国电子科技集团公司第十三研究所授权不得商用。

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