一种聚合物晶态膜晶体管及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种聚合物晶态膜晶体管及其制备方法，所述晶体管包括：衬底、栅电极、绝缘层、活性层和源漏电极；栅电极位于衬底上；活性层位于绝缘层上；源漏电极位于活性层之上，且源漏电极的面积小于活性层的面积。本发明专利技术通过采用聚合物共混辅助溶液剪切策略，得到了大面积、高质量的聚合物晶态膜。薄膜表现出优异的结晶性，并且具有平整的表面。基于该薄膜制备的器件，具有高的载流子迁移率和稳定性，并且对近红外光表现出了优异的光响应性能，光响应度可达757A/W，是目前红外光晶体管最高的水平之一；该制备工艺简单且成本低；可以在常温下实现大面积的制备，易于集成；可以适用于所有衬底，易于制备柔性器件。易于制备柔性器件。易于制备柔性器件。

【技术实现步骤摘要】
一种聚合物晶态膜晶体管及其制备方法


[0001]本专利技术涉及聚合物的溶液加工及薄膜晶体管
，具体涉及一种聚合物晶态膜晶体管及其制备方法。

技术介绍

[0002]聚合物由于其较高的粘度和优异的成膜性，被认为是半导体溶液处理方法的一种良好材料；同时，聚合物具有良好的柔性，因此被认为是最有潜力实现大面积柔性器件的材料。目前，聚合物的溶液加工方法主要有旋涂法、喷墨打印法、弯月面引导涂布法等。然而，由于聚合物不确定的分子量和长链结构，其薄膜往往是多晶薄膜，表现出弱的结晶性、大的粗糙度以及差的稳定性，从而导致较差的器件性能。随着聚合物的分子设计以及加工方式的不断发展，已经在制备高性能的聚合物晶态膜上取得了很大进展。值得一提的是，在聚合物薄膜中引入分子添加剂后，薄膜晶体管的操作稳定性和环境稳定性得到了显著的提升。尽管有少数聚合物晶态膜的报道，制备大面积高稳定性的聚合物晶态膜仍然是一个挑战，需要发展精细的策略来实现。

技术实现思路

[0003]针对现有技术的不足，本专利技术提出一种聚合物晶态膜晶体管及其制备方法，该制备工艺简单且成本低；本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种聚合物晶态膜晶体管，其特征在于，包括：衬底、栅电极、绝缘层、活性层和源漏电极；所述栅电极位于所述衬底上；所述活性层位于所述绝缘层上；所述源漏电极位于所述活性层之上，且所述源漏电极的面积小于所述活性层的面积。2.根据权利要求1所述的聚合物晶态膜晶体管，其特征在于，所述源漏电极包括一个源电极和一个漏电极，且所述源电极和所述漏电极均位于所述活性层之上，所述源电极和所述漏电极的面积均小于所述活性层的面积，且所述源电极和所述漏电极之间均不接触；所述源电极和所述漏电极的材料选自金属和导电聚合物中的任意一种；其中，所述金属为金、银、铝或铜；所述导电聚合物为聚苯胺、聚吡咯或聚噻吩类。3.根据权利要求1所述的聚合物晶态膜晶体管，其特征在于，所述衬底选自玻璃和柔性衬底的至少一种。4.根据权利要求1所述的聚合物晶态膜晶体管，其特征在于，所述绝缘层的材料选自无机物和聚合物中的一种；其中，所述无机物为SiO2、Al2O3或Si3N4；所述聚合物为聚甲基丙烯酸甲酯、聚苯乙烯或聚乙烯苯酚中的任意一种。5.根据权利要求1所述的聚合物晶态膜晶体管，其特征在于，所述活性层的材料包括具有传导空穴能力的p型聚合物半导体和绝缘聚...

【专利技术属性】
技术研发人员：焦飞，刘杨，公文源，杨方旭，胡文平，
申请(专利权)人：天津大学，
类型：发明
国别省市：