一种类脑晶体管存储器及其制备方法技术

本申请公开了一种类脑晶体管存储器及其制备方法，该晶体管为有机场效应晶体管，包括栅极、介电层、半导体层和电极，其中该介电层包含多重刺激响应型材料供体

【技术实现步骤摘要】
一种类脑晶体管存储器及其制备方法


[0001]本申请涉及一种类脑晶体管存储器及其制备方法，属于有机场效应晶体管领域。

技术介绍

[0002]人类的大脑同时拥有感知存储、短期存储和长期存储的功能。感知存储以化学和物理刺激的形式检测来自外部世界的信息，并将其用于不同层次的目的。短期存储可以使人类在短时间内回忆起任何事物的特定信息。长期存储使人类能够长时间储存信息，这些信息可能被有意识地存储(直接存储)或无意识地存储(间接存储)。以上存储行为使人类能按需存储、回忆和处理信息，保证人类不仅能解决最复杂的任务，而且能对外界环境变化迅速做出反应。开发具有多种数据存储模式的智能“类脑”存储设备在机器学习、人工神经网络等现代信息技术中扮演着越来越重要的角色。这使得外界的信息能够以化学和物理刺激的方式被获取，并且实现高效的信息存储、交换和处理。如前所述，这种智能记忆行为保证人类不仅可以解决最复杂的任务，还能够对外部环境的变化迅速做出反应。因此，开发具有多种数据存储方式的“类脑”存储器在现代信息技术发展中无疑将起到举足轻重的作用。然而，迄今为止，大多数传统的存储设本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种类脑晶体管存储器，其特征在于，所述晶体管为有机场效应晶体管，包括：栅极、介电层、半导体层和电极，其中，所述介电层包含多重刺激响应型材料供体
‑
受体Stenhouse加合物DASA和聚合物，所述半导体层包含有机半导体材料。2.根据权利要求1所述的类脑晶体管存储器，其特征在于，所述电极包括源电极和漏电极；优选地，所述DASA选自以下化合物中的至少一种：3.根据权利要求1所述的类脑晶体管存储器，其特征在于，所述介电层中，所述聚合物和所述DASA共混存在；优选地，所述聚合物选自聚甲基丙烯酸甲酯、聚苯乙烯、聚乙烯醇、聚五氟苯酚中的至少一种；优选地，所述DASA的质量百分含量为1
‑
50wt％，基于所述DASA和所述聚合物的总质量计；更优选地，所述DASA的质量百分含量为25
‑
30wt％，基于所述DASA和所述聚合物的总质量计。4.根据权利要求1所述的类脑晶体管存储器，其特征在于，所述栅极包括硅片；优选地，所述有机半导体材料选自并五苯、2,7
‑
二癸基[1]苯并噻吩并[3,2
‑
B][1]苯并噻吩、2,7
‑
二辛基苯并[LMN][3,8]菲咯啉
‑
1,3,6,8
‑
(2H,7H)
‑
四酮、6,13
‑
双(三异丙硅基乙炔基)并五苯、聚(3
‑
己基噻吩
‑
2,5
‑
二基)、N,N'
‑
二(4
‑
庚基)
‑
3,4,9,10
‑
苝二甲酰亚胺、聚(2,5
‑
双(3
‑
十四烷基噻吩
‑2‑
基)噻吩并[3,2
‑
B]噻吩)、聚[[1,2,3,6,7,8
‑
六氢
‑
2,7
‑
双(2
‑
辛基十二烷基)
‑
1,3,6,8
‑
二氧代苯并[LMN][3,8]菲咯啉
‑
4,9
‑
二基][2,2'
‑
联噻吩]
‑
5,5'
‑<...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄伟国，陈晓伟，冯诗语，
申请(专利权)人：中国科学院福建物质结构研究所，
类型：发明
国别省市：