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本申请公开了一种类脑晶体管存储器及其制备方法，该晶体管为有机场效应晶体管，包括栅极、介电层、半导体层和电极，其中该介电层包含多重刺激响应型材料供体
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该专利属于中国科学院福建物质结构研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院福建物质结构研究所授权不得商用。

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