一种基于氟化聚合物电介质的有机场效应晶体管制备方法技术

本发明专利技术公开了一种基于氟化聚合物电介质的有机场效应晶体管制备方法，属于微电子材料及器件技术领域，所述制备方法包括：首先在衬底上方蒸镀形成源漏电极，继而通过旋涂的方式在其上方形成半导体层和介电层，然后通过蒸镀的方式在介电层上方形成栅极，本发明专利技术选用DPPT

【技术实现步骤摘要】
一种基于氟化聚合物电介质的有机场效应晶体管制备方法


[0001]本专利技术涉及微电子材料及器件
，具体涉及一种基于氟化聚合物电介质的有机场效应晶体管制备方法。

技术介绍

[0002]随着半导体技术以及制备工艺的发展，半导体芯片的面积越来越小，市场对半导体器件的性能要求越来越高，如何提高器件的性能，减小器件的功耗成为了目前电子工艺界急需要解决的重要问题。
[0003]近年来，随着对输运机制的深入研究，发现场效应晶体管的性能和很多因素紧密相关，包括栅压、器件结构、温度、外界辐射等。迁移率是有机场效应晶体管的一个重要性能参数，其反映了电荷的输运能力，迁移率越高，电荷越容易在器件中传输，进而器件工作效率更高。有机场效应晶体管中影响迁移率的因素包括接触电阻、有机半导体/介电层界面处的粗糙度及偶极子、有机薄膜和栅电介质中的电荷俘获以及相关的库仑散射，其中对载流子的输运影响较大的当属半导体/电介质层界面的物理化学特性，这是因为在载流子在沟道输运的过程中，受介电/半导体层的界面处存在的大量陷阱、位错影响(载流子输运普遍分布在靠近界面的2
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于氟化聚合物电介质的有机场效应晶体管制备方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤S1：选择玻璃片作为衬底(1)并清洗；步骤S2：源漏电极(2)的制备：在清洗后的衬底(1)上真空蒸镀镍层和金层作为源漏电极(2)，镍层与衬底(1)直接接触，金层在镍层之上；步骤S3：半导体层(3)的制备：将CYTOP原液旋涂铺满在制备有源漏电极(2)的衬底(1)上，然后在200℃纯氮气环境下加热退火1h形成半导体层(3)；步骤S4：介电层(4)的制备：将介电层溶液旋涂铺满在步骤S3得到的半导体层(3)上方表面，在80
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200℃下加热退火处理，形成介电层(4)；步骤S5：栅极(5)的制备：利用不锈钢掩模版在步骤S4得到的介电层(4)上方蒸镀铝层作为栅极(5)。2.根据权利要求1所述的一种基于氟化聚合物电介质的有机场效应晶体管制备方法，其特征在于，步骤S2中所制备得到的镍层的厚度为5nm，金层的厚度为38nm。3.根据权利要求1所述的一种基于氟化聚合物电介质的有机场效应晶体管制备方法，其特征在于，所述步骤S3中，半导体...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐勇，窦存花，戴晓菡，严宇，孙华斌，于志浩，吴洁，朱力，杨光安，
申请(专利权)人：南京邮电大学，
类型：发明
国别省市：