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一种基于氟化聚合物电介质的有机场效应晶体管制备方法技术
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下载一种基于氟化聚合物电介质的有机场效应晶体管制备方法的技术资料
文档序号:37803509
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本发明公开了一种基于氟化聚合物电介质的有机场效应晶体管制备方法,属于微电子材料及器件技术领域,所述制备方法包括:首先在衬底上方蒸镀形成源漏电极,继而通过旋涂的方式在其上方形成半导体层和介电层,然后通过蒸镀的方式在介电层上方形成栅极,本发明选...
该专利属于南京邮电大学所有,仅供学习研究参考,未经过南京邮电大学授权不得商用。
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