一种铌酸锂薄膜光波导及其制备方法技术

本发明专利技术涉及集成光电子学领域，具体是一种铌酸锂薄膜光波导及其制备方法，方法包括：S1、模板的加工及待加工样品的匀胶；S2、图案转移；S3、脱模；S4、第一次去胶；S5、刻蚀，第二次去胶；S6、抛光。本发明专利技术的铌酸锂薄膜光波导具有低损耗、高性能的优点；本发明专利技术通过光刻胶或热压印用紫外胶辅助，将模板上的微纳结构转移到待加工材料上，能达到2nm的分辨率，有效地提高光波导的侧壁陡直度；通过本发明专利技术铌酸锂薄膜光波导的制备方法制备得到脊型铌酸锂薄膜光波导和加载条型铌酸锂薄膜光波导，制备方法更简单，成本更低，能够大大地提高加工效率。能够大大地提高加工效率。能够大大地提高加工效率。

【技术实现步骤摘要】
一种铌酸锂薄膜光波导及其制备方法


[0001]本专利技术涉及集成光电子学领域，具体是一种铌酸锂薄膜光波导及其制备方法。

技术介绍

[0002]铌酸锂晶体是一种集电光、声光、压电、光弹、非线性、光折变及激光活性等效应于一身的人工合成晶体，加上自身机械性能稳定、易加工、耐高温、抗腐蚀、原材料来源丰富、价格低廉、易生长成大晶体的优点，尤其是实施不同掺杂后能呈现出各种各样的特殊性能，是至今人们所发现的光子学性能最多、综合指标最好的晶体，有望成为类似于集成光子学中的“硅”材料，具有十分广阔的市场应用前景。
[0003]传统的铌酸锂光波导使用钛扩散或质子交换工艺制备，导致光波导的芯层和包层之间的折射率对比度(约0.02)较低，对光的约束较弱，这就使得金属电极与光波导之间的距离很远(约10μm)，降低了电光效率。因此，现有体材料铌酸锂光波导器件的尺寸要大得多，并且所需的驱动电压要比该材料所能支持的高得多。
[0004]目前，已报道的铌酸锂薄膜光波导主要有加载条型和脊型两种类型，这两种类型的波导都需要用到光刻和刻蚀工艺，由于铌酸锂薄膜具有较高的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种铌酸锂薄膜光波导的制备方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：S1、模板的加工及待加工样品的匀胶：采用电子束刻蚀技术，在二氧化硅或铌酸锂衬底上加工出所需要的结构作为模板；使用匀胶设备在待加工样品的表面均匀地涂覆纳米压印用光刻胶或热压印用紫外胶；S2、图案转移：将模板压在涂覆有胶水的待加工样品的表面，采用加压方式使图案转移到胶水上，得到图案转移后的样品；S3、脱模：再使用紫外光照射或加热图案转移后的样品，待胶水固化后移开模板；S4、第一次去胶：采用刻蚀工艺将图案以外的胶水去掉，露出待加工样品的部分表面；S5、刻蚀，第二次去胶：采用湿法腐蚀或干法刻蚀工艺进行刻蚀，将刻蚀后的样品浸泡在丙酮中，85℃处理15min，然后用去离子水冲洗吹干，将图案部分的胶水去除，制作出图案型的铌酸锂薄膜光波导；S6、：抛光：对光波导端面进行抛光处理。2.根据权利要求1所述的一种铌酸锂薄膜光波导的制备方法，其特征在于，所述S1中待加工样品为铌酸锂薄膜，其基本结构从下至上依次为硅衬底、二氧化硅缓冲层、铌酸锂薄膜层；光刻胶的涂覆厚度为0.5
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1.6um。3.根据权利要求1所述的一种铌酸锂薄膜光波导的制备方法，其特征在于，所述S1中待加工样品为具有加载材料层的铌酸锂薄膜，其基本结构从下至上依次为硅衬底、二氧化硅缓冲层、铌酸锂薄膜层、加载材料层；光刻胶的涂覆厚度为0.5
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1.6um。4.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：向美华，尹承静，黄星武，
申请(专利权)人：江苏浦丹光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：