用于微光机电结构元件的制造方法和相应的微光机电结构元件技术

本发明专利技术提出一种用于微光机电结构元件的制造方法和一种相应的微光机电结构元件。微光机电结构元件配备有基底衬底(1a)，所述基底衬底具有构造在所述基底衬底中的空穴(5)，所述空穴被覆盖衬底(1b)封闭，配备有在所述空穴(5)上方的覆盖衬底(1b)上的光波导(50)，所述光波导具有被包覆的波导芯(50c)，配备有在环绕的覆盖衬底(1b)的区域中的电接触元件(20)，其中，在所述电接触元件(20)下方布置有由能导电的多晶硅层形成的接触垫(10a

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于微光机电结构元件的制造方法和相应的微光机电结构元件


[0001]本专利技术涉及一种用于微光机电结构元件的制造方法和一种相应的微光机电结构元件。

技术介绍

[0002]集成在微机电元件(MEMS)中的光子设备属于下一代通信系统和传感器系统。由于MEMs工艺和绝缘体上硅(Silicon
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On
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Insulator，SOI)技术，例如许多元件的小型化成为可能，如透镜、反射镜、分束器、光栅、滤波器、低损耗波导、多路复用器和光开关。这些元件属于微光机电系统(MOEMS)和可重构光分插复用器(ROADM)的范畴。
[0003]目前开发借助与半导体工艺兼容的MEMs技术制造的光学光开关，例如，作为5G网络的光学收发器。
[0004]这些光学光开关需要三个相关的部件：
[0005]光波导，所述光波导典型地由三个沉积层制成。上层和下层，也称为底包层和顶包层，由折射率约为1.45的氧化硅组成。中间层，称为芯，由折射率高于底包层和顶包层的材料组成，该材料典型地是氮化硅。通过光刻将所述层结构化，使得芯完本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种用于微光机电结构元件的制造方法，所述制造方法具有下述步骤：提供基底衬底(1a)，所述基底衬底具有构造在所述基底衬底中的空穴(5)，所述空穴被覆盖衬底(1b)封闭；在所述空穴(5)上方的覆盖衬底(1b)上构造光波导(50)，所述光波导具有被包覆的波导芯(50c)；在所述光波导(50)和环绕的覆盖衬底(1b)上方施加能导电的第一硬掩膜层(10a)；在所述环绕的覆盖衬底(1b)的区域中在所述第一硬掩膜层(10a)上构造电接触元件(20)；在所述第一硬掩膜层(10a)和所述电接触元件(20)上方施加第二硬掩膜层(10b)；在所述第一硬掩膜层和所述第二硬掩膜层(10a，10b)中形成蚀刻开口(11)，用以局部地暴露所述光波导(50)的上侧；对所述光波导(50)和位于所述光波导下方的覆盖衬底(1b)进行沟槽蚀刻，用以将所述光波导(50)和位于所述光波导下方的覆盖衬底(1b)划分为固定的子区域(S)和能够偏移的子区域(B)，所述能够偏移的子区域能够通过覆盖晶片(1b)的相应的子区域的电偏移对接到所述固定的子区域(S)上；移除裸露的所述第一硬掩膜层和所述第二硬掩膜层(10a，10b)，其中，在所述电接触元件(20)下方保留由能导电的第一硬掩膜层(10a)形成的接触垫(10a
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)。2.根据权利要求1所述的制造方法，其中，在所述基底衬底(1a)上施加绝缘层(1c)，所述绝缘层延伸到所述空穴(5)中。3.根据权利要求1或2所述的制造方法，其中，所述基底衬底(1a)和所述覆盖衬底(1b)是硅衬底。4.根据上述权利要求中任一项所述的制造方法，其中，所述第一硬掩膜层(10a)是掺杂的多晶硅层，所述第二硬掩膜层(10b)是氧化硅层。5.根据上述权利要求中任一项所述的制造方法，其中，在使用抗蚀剂掩模的情况下执行所述蚀刻开口(11)的形成。6.根据上述权利要求中任一项所述的制造方法，其中，所述光波导芯(50c)由氮化硅形成，并且被由氧化硅构成的下覆盖层(50a)和上覆...

【专利技术属性】
技术研发人员：R，
申请(专利权)人：罗伯特，
类型：发明
国别省市：