一种PVD工艺腔体及其应用制造技术

本发明专利技术公开了一种PVD工艺腔体及其应用，其中PVD工艺腔体包括：腔体组件，内部设有用于硅片加工的加工区域，腔体组件上设有用于与抽真空件相连通的若干抽真空口；均匀加热组件，设置于腔体组件内，用于均匀加热加工区域；第一匀气组件，设置于腔体组件内，与若干抽真空口相连通，朝向加工区域内硅片的表面设置，能够均匀气流；第二匀气组件，设置于腔体组件内，位于第一匀气组件下方，与若干抽真空口相连通，朝向加工区域设置，能够均匀气流；第一匀气组件、第二匀气组件相对设置，且二者之间为加工区域和均匀加热组件。实现抽气功能与烘干功能二合一，并能提高硅片的良品率和生产效率。本发明专利技术应用于硅片处理设备领域。本发明专利技术应用于硅片处理设备领域。本发明专利技术应用于硅片处理设备领域。

【技术实现步骤摘要】
一种PVD工艺腔体及其应用


[0001]本专利技术涉及硅片处理设备领域，特别涉及一种PVD工艺腔体及其应用。

技术介绍

[0002]PVD(物理沉积)真空镀膜相关技术一般为PVD前清洗—抽真空—烘干—镀膜沉积—冷却出炉—抛光。先进行硅片的预清洗，再进行抽真空，将相关杂质去除和挥发性物质去除；再将硅片加热到一定的温度，然后再进行PVD工艺镀膜。
[0003]一般的PVD镀膜设备单独设置清洁腔体、抽真空腔体、烘干腔体，利用加热器或者卤素灯进行烘干去除气体或杂质，以及将硅片加热到所需温度，然后运输至镀膜腔体采用离子轰击方式轰击靶材，在硅片上进行膜层沉积，沉积结束后，运输至冷却腔体中，待冷却后取出。上述过程中需要避免气流不均导致硅片碎片，温度不均匀导致硅片存在杂质，在后续镀膜工序中，所制得硅片的镀膜效果差等质量问题，因这些质量问题的存在，导致相关技术中PVD镀膜设备的整体产能不高，生产效率低。

技术实现思路

[0004]本专利技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本专利技术提出一种PVD工艺腔体，实现抽气功能与烘干功能二合一，并能提高硅片的良品率和生产效率。
[0005]还提出两种具有上述PVD工艺腔体的镀膜设备。
[0006]还提出一种使用上述镀膜设备的镀膜工艺。
[0007]根据本专利技术第一方面实施例的PVD工艺腔体，包括：
[0008]腔体组件，内部设有用于硅片加工的加工区域，所述腔体组件上设有用于与抽真空件相连通的若干抽真空口；
[0009]均匀加热组件，设置于所述腔体组件内，用于均匀加热所述加工区域；
[0010]第一匀气组件，设置于所述腔体组件内，与若干所述抽真空口相连通，朝向所述加工区域内硅片的表面设置，能够均匀气流；
[0011]第二匀气组件，设置于所述腔体组件内，位于所述第一匀气组件下方，与若干所述抽真空口相连通，朝向所述加工区域设置，能够均匀气流；
[0012]所述第一匀气组件、所述第二匀气组件相对设置，且二者之间为所述加工区域和所述均匀加热组件。
[0013]根据本专利技术第一方面实施例的PVD工艺腔体，至少具有如下有益效果：
[0014]1.送入装有硅片的载盘至腔体组件内的加工区域，抽真空件通过第一匀气组件和第二匀气组件将对加工区域内的硅片进行抽真空，第一匀气组件和第二匀气组件能够同时对腔体组件内的空气进行吸收，硅片上表面所承受的压力仅为单向抽气压力的一半，且抽气效率不变，有效减小硅片因气压破碎的可能性，提高良品率；
[0015]2.在均匀加热组件设置于第一匀气组件和第二匀气组件之间时，因抽气压力的降低，均匀加热组件散发的热量被气体带走的可能性降低，使得均匀加热组件对加工区域内
硅片的加热效率更高；并且，热量同时受到向第一匀气组件吸附力和第二匀气组件吸附力的影响，二者吸附力的方向相反，其受整体气流的影响程度降低，均匀加热组件对硅片的加热效率更高；
[0016]3.硅片被送入腔体组件内的加工区域后，通过均匀加热组件和抽真空件对硅片进行处理，同时对硅片进行加热与抽真空，镀膜节拍不会发生较大变化，单轮工艺制作完成所花时间更少，硅片的生产效率更高。
[0017]4.在加热过程中往往会有杂质或水分被蒸发，且随着腔体组件内的真空环境进一步提高，硅片内杂质的蒸发沸点越低，更易被均匀加热组件所蒸发，并且，在蒸发后，气态杂质直接被抽真空件所抽离，且均匀加热组件所产生的部分热量被气流所带走，使得气流中的气态杂质能够维持其气态，不易发生冷凝，使得硅片的除杂更加彻底，并且能被及时带走，且硅片加工效率更高；
[0018]5.在加热过程中，抽真空件的抽气能够抽出均匀加热组件残余的热量，避免残余热量形成新的热源造成硅片加热不均，避免了硅片因局部受热不均导致杂质挥发不完全，或因局部严重受热导致破碎，提高了硅片的良品率。
[0019]根据本专利技术的一些实施例，所述第一匀气组件包括第一匀气板和第一集气板，所述第一匀气板上设有均匀分布的多个第一匀气小孔，多个所述第一匀气小孔呈线性排列，所述第一匀气小孔与所述加工区域相连通，所述第一集气板位于所述第一匀气板远离所述加工区域的一侧，所述第一集气板上设有若干第一集气大孔，所述第一集气大孔连通所述第一匀气小孔与所述抽真空口。
[0020]根据本专利技术的一些实施例，所述第二匀气组件包括第二匀气板，所述第二匀气板上设有均匀分布的多个第二匀气小孔，所述第二匀气小孔连通所述加工区域与所述抽真空口。
[0021]根据本专利技术的一些实施例，所述第二匀气组件还包括第二集气板，所述第二集气板位于所述第二匀气板远离所述加工区域的一侧，所述第二集气板上设有若干第二集气大孔，所述第二集气大孔连通所述第二匀气小孔与所述抽真空口。
[0022]根据本专利技术的一些实施例，所述均匀加热组件通过高度调节组件与所述腔体组件直接相连。
[0023]根据本专利技术的一些实施例，所述均匀加热组件包括相对间隔设置的第一加热板和第二加热板，所述第一加热板朝向所述加工区域内硅片的表面设置，所述第一加热板与所述第二加热板之间为所述加工区域，且二者之间形成加热区域，所述加热区域空间包覆所述加工区域设置，所述第一匀气组件和所述第二匀气组件之间形成匀气区域，所述匀气区域空间包覆所述加热区域设置。
[0024]根据本专利技术的一些实施例，所述第一加热板位于所述第一匀气组件与所述加工区域之间，所述第一加热板上均设有均匀分布的多个第一均气孔，所述第一均气孔连通所述加工区域与所述第一匀气组件。
[0025]根据本专利技术的一些实施例，每一所述第一均气孔均存在一所述第一匀气小孔与之对应。
[0026]根据本专利技术的一些实施例，所述第一加热板和所述第二加热板呈波形，其波峰形状可以为弧线或三角形或其他多边形。
[0027]根据本专利技术的一些实施例，所述均匀加热组件还包括第一加热灯管和第二加热管，所述第一加热灯管设置于所述第一加热板远离所述加工区域的一侧，所述第二加热管设置于所述第二加热板远离所述加工区域的一侧。
[0028]根据本专利技术的一些实施例，所述腔体组件包括合围的上盖板、下盖板和多个侧板，两相对所述侧板上均设有一进出口，两所述进出口之间形成经过所述加工区域的传输通道，所述第一匀气组件与所述上盖板相连，所述第二匀气组件与所述下盖板相连，所述上盖板能够相对所述侧板开合。
[0029]根据本专利技术的一些实施例，远离所述第二匀气组件的所述加热板也与所述上盖板相连，远离所述第一匀气组件的所述加热板也与所述下盖板相连。
[0030]根据本专利技术的一些实施例，所述侧板上设有两相对的搁置块，所述上盖板能够搁置于所述搁置块上。
[0031]根据本专利技术的一些实施例，所述上盖板外表面设有上盖联轴器，用于与驱动件相连，以打开所述上盖板。
[0032]根据本专利技术的一些实施例，所述上盖板外表面设有若干加强板。
[0033]根据本专利技术的一些实施例，还包括冷却组件，所述冷却组件用于收集并排除冷本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种PVD工艺腔体，其特征在于，包括：腔体组件，内部设有用于硅片加工的加工区域，所述腔体组件上设有用于与抽真空件相连通的若干抽真空口；均匀加热组件，设置于所述腔体组件内，用于均匀加热所述加工区域；第一匀气组件，设置于所述腔体组件内，与若干所述抽真空口相连通，朝向所述加工区域内硅片的表面设置，能够均匀气流；第二匀气组件，设置于所述腔体组件内，位于所述第一匀气组件下方，与若干所述抽真空口相连通，朝向所述加工区域设置，能够均匀气流；所述第一匀气组件、所述第二匀气组件相对设置，且二者之间为所述加工区域和所述均匀加热组件。2.根据权利要求1所述的PVD工艺腔体，其特征在于：所述第一匀气组件包括第一匀气板和第一集气板，所述第一匀气板上设有均匀分布的多个第一匀气小孔，多个所述第一匀气小孔呈线性排列，所述第一匀气小孔与所述加工区域相连通，所述第一集气板位于所述第一匀气板远离所述加工区域的一侧，所述第一集气板上设有若干第一集气大孔，所述第一集气大孔连通所述第一匀气小孔与所述抽真空口。3.根据权利要求1所述的PVD工艺腔体，其特征在于：所述第二匀气组件包括第二匀气板，所述第二匀气板上设有均匀分布的多个第二匀气小孔，所述第二匀气小孔连通所述加工区域与所述抽真空口。4.根据权利要求3所述的PVD工艺腔体，其特征在于：所述第二匀气组件还包括第二集气板，所述第二集气板位于所述第二匀气板远离所述加工区域的一侧，所述第二集气板上设有若干第二集气大孔，所述第二集气大孔连通所述第二匀气小孔与所述抽真空口。5.根据权利要求1所述的PVD工艺腔体，其特征在于：所述均匀加热组件通过高度调节组件与所述腔体组件直接相连。6.根据权利要求1至5任一项所述的PVD工艺腔体，其特征在于：所述均匀加热组件包括相对间隔设置的第一加热板和第二加热板，所述第一加热板朝向所述加工区域内硅片的表面设置，二者...

【专利技术属性】
技术研发人员：周剑波，余越华，朱争强，钟小兰，
申请(专利权)人：广东利元亨智能装备股份有限公司，
类型：发明
国别省市：