在Hastelloy合金基带上制备CeO2薄膜的方法技术

本发明专利技术公开了一种在Hastelloy合金基带上制备CeO2薄膜的方法，其在氧氛围下，对Hastelloy合金基带进行退火处理，退火处理条件为：升温速率为0.7

【技术实现步骤摘要】
在Hastelloy合金基带上制备CeO2薄膜的方法


[0001]本专利技术属于薄膜材料和高温超导材料领域。更具体地说，本专利技术涉及一种在Hastelloy合金基带上制备CeO2薄膜的方法。

技术介绍

[0002]Hastelloy合金(哈氏合金)是美国Haynes International公司所生产的一系列耐腐蚀合金的统称，组成该合金的化学成分主要有Ni、Cr、Mo、W、Co、Fe、P、S等。作为一种Ni基合金，Hastelloy合金拥有优异的物理和化学特性，被广泛应用于航空、化工等领域。
[0003]随着材料科学的不断发展，各种类型的高温超导材料被发现，其中最具代表性的是Tl系高温超导材料。高温超导材料可工作于液氮温区，相较于低温超导材料极大减少了应用成本。高温超导材料所表现出的超导特性，在电子、电力
能够得到广泛的应用，且发展潜力巨大。若需要使用高温超导材料制做电子器件，其中关键的一步是制备高温超导薄膜，而该薄膜的生长需要依附于一定的衬底材料。Hastelloy合金优异的物理和化学特性使其能够作为一种较好的衬底材料。Ha本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.在Hastelloy合金基带上制备CeO2薄膜的方法，其特征在于，在氧氛围下，对Hastelloy合金基带进行退火处理；然后在经退火处理的Hastelloy合金基带表面制备CeO2薄膜。2.根据权利要求1所述的在Hastelloy合金基带上制备CeO2薄膜的方法，其特征在于，将裁剪和清洗后的Hastelloy合金基带置于加热装置中，在加热装置内灌入O2，在氧氛围下进行退火处理。3.根据权利要求2所述的在Hastelloy合金基带上制备CeO2薄膜的方法，其特征在于，在加热装置内灌入1atm高纯O2。4.根据权利要求1所述的在Hastelloy合金基带上制备CeO2薄膜的方法，其特征在于，退火处理的条件为：升温速率为0.7
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55℃/s，升温至850
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900℃，恒温5
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30min，然后自然冷却至室温。5.根据权利要求1所述的在Hastelloy合金基带上制备CeO2薄膜的方法，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：谢清连，韩徐，金艳营，赵新霞，吴振宇，苏玲玲，魏晋忠，
申请(专利权)人：南宁师范大学，
类型：发明
国别省市：