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本发明公开了一种在Hastelloy合金基带上制备CeO2薄膜的方法，其在氧氛围下，对Hastelloy合金基带进行退火处理，退火处理条件为：升温速率为0.7
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该专利属于南宁师范大学所有，仅供学习研究参考，未经过南宁师范大学授权不得商用。

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