一种具有高温特性的大氧化孔径垂直腔面发射激光器制造技术

本申请提供了一种具有高温特性的大氧化孔径垂直腔面发射激光器，其采用金属有机化学气相外延沉积方法在GaAs衬底上生长而成，自下至上依次包括GaAs缓冲层、第一N型DBR反射层、第二N型DBR反射层、第三N型DBR反射层、谐振腔层、P型DBR反射层、欧姆接触层；其中，位于谐振腔上方的第一对P型DBR内为氧化层，且处在光场谐振波的波节位置。本发明专利技术通过在传统单结1

【技术实现步骤摘要】
一种具有高温特性的大氧化孔径垂直腔面发射激光器


[0001]本申请涉及垂直腔面发射激光器VCSEL
，尤其涉及一种具有高温特性的大氧化孔径垂直腔面发射激光器。

技术介绍

[0002]垂直腔面发射激光器是一种半导体微腔激光器，相较于传统的边发射激光器，垂直腔面发射激光器由于具有低阈值电流、体积小、圆对称光斑易于光纤耦合、高光束质量、单纵模、面发射易于集成等优势，使其在近年来得到了迅猛的发展，广泛应用于人脸识别等三维传感、光通信、激光雷达、无人驾驶等领域中。
[0003]目前光通信InP基边发射激光器通过优化外延结构，可以将远场快轴和慢轴发散角控制在20
°
以下，而大多数单结VCSEL远场发散角在25
°
左右。小的发散角有利于减小能量损耗和提高工作精度，因此，小发散角VCSEL相较于传统的VCSEL在很多应用领域具有一定的优势。
[0004]GaAs基VCSEL结构多采用高Al组分的AlxGa1
‑
xAs作为氧化孔对电流和光场进行限制。氧化孔径的大小对激光器性能影响很大。采本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种具有高温特性的大氧化孔径垂直腔面发射激光器，其特征在于，其采用MOCVD方法在GaAs衬底上生长而成，自下至上依次包括GaAs缓冲层、第一N型DBR反射层、N型低折射率差DBR反射层、谐振腔层、P型DBR反射层、欧姆接触层；其中，位于谐振腔上方的第一对P型DBR内为氧化层，且处在光场谐振波的波节位置。2.根据权利要求1所述的一种具有高温特性的大氧化孔径垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述的N型低折射率差DBR反射层由第二N型DBR反射层、第三N型DBR反射层组成高阶模式抑制腔。3.根据权利要求2所述的一种具有高温特性的大氧化孔径垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述的DBR反射层均为两层不同折射率材料交替生长而成，且每种光学厚度等于1/4λ。4.根据权利要求2所述的一种具有高温特性的大氧化孔径垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述的第二N型DBR反射层由n对AlAs和Al
80
GaAs loop构成。5.根据权利要求2所述的一种具有高温特性的大氧化孔径垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述的第三N型DBR反射层由m对Al
20
GaAs和GaAs loop构成。6.根据权利要求4所述的一种具有高温特性的大氧化孔径垂直腔面发射激光...

【专利技术属性】
技术研发人员：王玉，叶培飞，丁杰，李成，张银桥，叶伟民，
申请(专利权)人：厦门银科启瑞半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：