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本申请提供了一种具有高温特性的大氧化孔径垂直腔面发射激光器，其采用金属有机化学气相外延沉积方法在GaAs衬底上生长而成，自下至上依次包括GaAs缓冲层、第一N型DBR反射层、第二N型DBR反射层、第三N型DBR反射层、谐振腔层、P型DBR反...
该专利属于厦门银科启瑞半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过厦门银科启瑞半导体科技有限公司授权不得商用。

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