基于OTFT电路驱动Micro-LED显示的集成结构制造技术

本发明专利技术涉及一种基于OTFT电路驱动Micro

【技术实现步骤摘要】
基于OTFT电路驱动Micro
‑
LED显示的集成结构


[0001]本专利技术涉及集成电路
，尤其涉及一种基于OTFT电路驱动Micro
‑
LED显示的集成结构。

技术介绍

[0002]Micro
‑
LED技术是指将LED芯片尺寸进一步微型化，使单颗LED芯片尺寸<50μm以内的新型显示技术。相比传统的液晶显示(LCD)技术以及有机发光二极管(OLED)显示技术，Micro
‑
LED具有更高的亮度、对比度、发光效率，更快的响应速度，更低的功耗以及更长的显示寿命，有望应用到高性能显示领域。
[0003]有源矩阵驱动相比无源矩阵驱动，能够显著降低显示的功耗，并提高显示的亮度、分辨率及集成度，是目前所有显示领域主流的驱动方式。
[0004]与传统AMOLED以及AMLCD显示不同，Micro
‑
LED独特的外延生长方式以及较高的生长温度，使得难以通过单片集成的方式在TFT背板上直接生长GaN薄膜；此外，在Micro
‑本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于OTFT电路驱动Micro
‑
LED显示的集成结构，其特征在于，包括：衬底；Micro
‑
LED芯片，位于所述衬底上，包括沿垂直于所述衬底的方向依次叠置的缓冲层、N
‑
GaN层、多量子阱层、P
‑
GaN层和芯片阳极；第一封装层，覆盖所述衬底并包覆所述Micro
‑
LED芯片；OTFT显示驱动电路，位于所述第一封装层上，用于驱动所述Micro
‑
LED芯片显示成像，所述OTFT显示驱动电路与所述Micro
‑
LED芯片错开设置或者所述OTFT显示驱动电路与所述Micro
‑
LED芯片对准设置，且所述OTFT显示驱动电路的制程温度低于200℃；第二封装层，至少包覆所述OTFT显示驱动电路；所述OTFT显示驱动电路的全部工艺采用单片集成的方式直接制备于所述第一封装层之上。2.根据权利要求1所述的基于OTFT电路驱动Micro
‑
LED显示的集成结构，其特征在于，所述OTFT显示驱动电路为2T1C型结构、3T1C型结构、6T1C型结构、7T1C型结构中的任一种。3.根据权利要求1所述的基于OTFT电路驱动Micro
‑
LED显示的集成结构，其特征在于，所述OTFT显示驱动电路包括：驱动晶体管，用于向所述Micro
‑
LED芯片提供驱动电流；开关晶体管，用于实现对所述Micro
‑
LED芯片的有源寻址；存储电容，用于存储数据电压。4.根据权利要求1所述的基于OTFT电路驱动Micro
‑
LED显示的集成结构，其特征在于，包括多个像素，且每个像素中包括单颗或者多颗Micro
‑
LED芯片，且多颗Micro
‑
LED芯片的连接方式为串联连接或者并联连接。5.根据权利要求3所述的基于OTFT电路驱动Micro
‑
LED显示的集成结构，其特征在于，所述驱动晶体管的第一源漏极连接所述Micro
‑
LED芯片的所述芯片阳极，所述驱动晶体管的第二源漏极与所述存储电容的第一极板电连接；所述开关晶体管的第一源漏极与所述驱动晶体管的栅极和所述存储电容的第二极板电连接。6.根据权利要求5所述的基于OTFT电路驱动Micro
‑
LED显示的集成结构，其特征在于，所述驱动晶体管和所述开关晶体管的结构均独立的为底栅底接触型结构、底栅顶接触型结构、顶栅底接触型结构、顶栅顶接触型结构、或者双栅型结构。7.根据权利要求6所...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭小军，韩磊，李骏，
申请(专利权)人：上海交通大学，
类型：发明
国别省市：