一种热固性树脂组合物在封装第三代半导体材料中的应用制造技术

本发明专利技术公开了一种热固性树脂组合物在封装第三代半导体材料中的应用，所述第三代半导体材料包含但不限于碳化硅、氮化镓、氧化锌、金刚石以及氮化铝，属于半导体材料封装技术领域。包括：预聚物I，由双马来酰亚胺树脂和烯丙基环氧树脂组成，两者质量比为：4∶1～1∶2；预聚物II，由酚醛树脂和固化促进剂组成，两者质量比为30∶1～5∶1，酚醛树脂的用量相对于所述双马来酰亚胺树脂、烯丙基环氧树脂和酚醛树脂的合计100质量份为10～25质量份；偶联剂等。各组分及其配比所形成的热固性树脂组合物，具有良好的韧性，且耐高温(Tg＞260℃)，能够实现既在170～180℃的温度条件下，又在180～300s较短的时间内成型。的时间内成型。

【技术实现步骤摘要】
一种热固性树脂组合物在封装第三代半导体材料中的应用


[0001]本专利技术涉及半导体材料封装
，尤其是涉及一种热固性树脂组合物在封装第三代半导体材料中的应用。

技术介绍

[0002]随着5G、AI、物联网、大数据市场的提速，新能源汽车、PD快充和新型显示时代的来临，应用市场对第三代半导体的需求已经开始呈现出前所未有的增长趋势。在国家政策和市场的双重夹持下，国产器件，获得了试用、改进的机会，推动第三代半导体产业链布局加快。第三代半导体材料和器件应用于清洁能源领域如光伏、风电等，以及提升能源使用效率领域如直流特高压输电、新能源汽车、轨道交通等，将对实现“碳达峰、碳中和”起到至关重要的作用。
[0003]第三代半导体材料主要是以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氧化锌(ZnO)、金刚石、氮化铝(AlN)为代表的宽禁带(禁带宽度Eg＞2.3eV)的半导体材料。对于第三代半导体而言，其使用时的结温温度可达250℃；而传统的环氧环氧模塑料使用温度一般不高于200℃，当环境温度高于200℃时，传统的电子封装材料性能会大幅下降，进而失去对电子元本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种热固性树脂组合物在封装第三代半导体材料中的应用，所述第三代半导体材料包含但不限于碳化硅、氮化镓、氧化锌、金刚石以及氮化铝，其特征在于，所述热固性树脂组合物作为基体树脂用在第三代半导体材料的电子封装材料中，所述热固性树脂组合物包含：(a)预聚物I，由(a
‑
1)双马来酰亚胺树脂、(a
‑
2)烯丙基环氧树脂组成，所述(a
‑
1)双马来酰亚胺树脂和(a
‑
2)烯丙基环氧树脂的质量比为4∶1～1∶2；(b)预聚物II，由(b
‑
1)酚醛树脂、(b
‑
2)固化促进剂组成，所述(b
‑
1)酚醛树脂和(b
‑
2)固化促进剂的质量比为30∶1～5∶1，所述(b
‑
1)酚醛树脂的用量相对于所述(a
‑
1)组分、(a
‑
2)组分和(b
‑
1)组分的合计100质量份为10～25质量份；(c)偶联剂，所述偶联剂用量相对于(a
‑
1)组分、(a
‑
2)组分和(b
‑
1)组分的合计100质量份为0.5～2质量份；(d)脱模剂，所述脱模剂用量相对于(a
‑
1)组分、(a
‑
2)组分和(b
‑
1)组分的合计100质量份为1～2质量份；(e)无机填料硅微粉，所述无机填料硅微粉用量相对于(a
‑
1)组分、(a
‑
2)组分和(b
‑
1)组分的合计100质量份为500～600质量份；(f)改性炭黑，所述改性炭黑用量相对于(a
‑
1)组分、(a
‑
2)组分和(b
‑
1)组分的合计100质量份为1～2质量份。2.根据权利要求1所述的热固性树脂组合物在封装第三代半导体材料中的应用，其特征在于，所述(a
‑
1)组分和(a
‑
2)组分的质量比为3∶1～1∶1；所述(b
‑
1)组分和(b
‑
2)组分的质量比为20∶1～10∶1，所述(b
‑
1)组分用量相当于所述(a
‑
1)组分、(a
...

【专利技术属性】
技术研发人员：费小马，陈子栋，徐善坤，翁根元，
申请(专利权)人：无锡创达新材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：