【技术实现步骤摘要】
一种闪存的擦写掉电数据保护方法及装置
[0001]本专利技术涉及存储芯片
，尤其涉及一种闪存的擦写掉电数据保护方法及装置。
技术介绍
[0002]目前，闪存芯片主要分为NOR闪存和NAND闪存，而由于NOR闪存支持芯片内执行功能，也即代码可以直接在NOR闪存上执行，无需拷贝到内存中执行，因此，NOR闪存被广泛搭载于嵌入式设备中，但是，实际应用中，在对NOR闪存进行擦写操作的过程中发生异常掉电时，闪存中的非目标擦写区域中存储的数据存在被篡改的风险。
[0003]目前，针对上述问题的解决方案主要是通过使用闪存自带的写保护功能，将闪存中用于存储固件代码的区域设置为保护区域来实现，这种方法的通用性较低，且需要依赖于闪存的写保护功能，适用范围较小。因此，提出一种能够不依赖于闪存的写保护功能，且在闪存芯片掉电时，有效保护闪存芯片中存储的数据的方法显得尤为重要。
技术实现思路
[0004]本专利技术提供了一种闪存的擦写掉电数据保护方法及装置，能够有利于降低对闪存自身的写保护功能的要求，可兼容更多型号的闪存，提...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种闪存的擦写掉电数据保护方法，其特征在于，所述方法应用于闪存的擦写掉电数据保护装置中，所述数据保护装置包括电压监测模块和主控模块，所述方法包括：所述电压监测模块监测闪存的第一电压，并确定所述第一电压是否小于预设电压阈值，所述预设电压阈值大于或等于最低电压，所述最低电压为保证所述闪存正常工作所需要的电压；当所述第一电压小于所述预设电压阈值时，所述电压监测模块将第一中断信号发送到所述主控模块；所述主控模块响应于所述第一中断信号，对所述闪存执行数据保护操作。2.根据权利要求1所述的闪存的擦写掉电数据保护方法，其特征在于，在所述电压监测模块监测所述闪存的第一电压之后，所述方法还包括：所述电压监测模块将监测得到的所有所述第一电压进行存储；所述主控模块响应于所述第一中断信号，对所述闪存执行数据保护操作，包括：所述主控模块响应于所述第一中断信号，读取所述电压监测模块存储的所有所述第一电压，并对所有所述第一电压进行过滤处理，得到所有所述第一电压对应的第一过滤电压；当所述第一过滤电压小于所述预设电压阈值时，所述主控模块执行所述的对所述闪存执行数据保护操作。3.根据权利要求1或2所述的闪存的擦写掉电数据保护方法，其特征在于，所述主控模块对所述闪存执行数据保护操作，包括：所述主控模块判断所述闪存的HOLD引脚是否被复用；当所述主控模块判断出所述闪存的HOLD引脚被复用时，所述主控模块将所述闪存的CS片选引脚和HOLD引脚拉低，以将所述闪存的状态设置为暂停状态；当所述主控模块判断出所述闪存的HOLD引脚没有被复用时，所述主控模块将所述闪存的CS片选引脚拉高，停止对所述闪存的擦/写操作。4.根据权利要1或2所述的闪存的擦写掉电数据保护方法，其特征在于，所述闪存为nor闪存，在所述主控模块对所述闪存执行数据保护操作之后，所述方法还包括：所述主控模块检测是否使用所述闪存的芯片内执行功能，得到检测结果；当所述检测结果表示所述主控模块没有使用所述闪存的芯片内执行功能时，所述主控模块配置所述电压监测模块为高阈值中断模式，其中，所述高阈值中断模式用于指示所述电压监测模块监测所述闪存的电压是否大于所述预设电压阈值；所述电压监测模块在监测到所述闪存的电压大于所述预设电压阈值时向所述主控模块发送第二中断信号；所述主控模块响应于所述第二中断信号，控制所述闪存恢复正常工作。5.根据权利要求1或2所述的闪存的擦写掉电数据保护方法，其特征在于，所述闪存为nor闪存，在所述主控模块对所述闪存执行数据保护操作之后，所述方法还包括：所述主控模块检测是否使用所述闪存的芯片内执行功能，得到检测结果；当所述检测结果表示所述主控模块使用所述闪存的芯片内执行功能时，所述主控模块采用轮询读取的方式读取所述电压监测模块的所有FIFO中存储的第二电压，所述第二电压是在所述主控模块对所述闪存执行数据保护操作之后监测到的电压；当所述主控模块读取完毕所述电压监测模块的所有FIFO中存储的第二电压时，所述主
控模块对所有所述第二电压进行过滤处理，得到所有所述第二电压对应的第二过滤电压；当所述第二过滤电压大于所述预设电压阈值时，所述主控模块将所述闪...
【专利技术属性】
技术研发人员：吴奔雷，梁毅宏，夏锋，
申请(专利权)人：广州芯之联科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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