一种电致变红外发射率薄膜及其制备方法技术

本发明专利技术公布了一种电致变红外发射率薄膜及其制备方法，包括红外高反射率基底层以及覆盖于所述红外高反射率基底层上的功能层，所述功能层为掺杂氧化锌纳米晶，所述掺杂氧化锌纳米晶中的掺杂离子为三价金属离子，所述三价金属离子的掺杂量为0.1～10％。本发明专利技术中通过调控掺杂氧化锌纳米晶中三价金属离子的掺杂量为0.1～10％，使得制备得到的电致变红外发射率薄膜利用局域表面等离子共振实现了通过电化学方法调控3～14μm的红外波段，使得电致变红外发射率薄膜对3～5μm的红外波段的调控量为0.1～0.6，对8～14μm的红外发射率调控量为0.1～0.6。0.1～0.6。0.1～0.6。

【技术实现步骤摘要】
一种电致变红外发射率薄膜及其制备方法


[0001]本专利技术属于红外隐身
，尤其涉及一种电致变红外发射率薄膜及其制备方法。

技术介绍

[0002]目标的红外辐射特性主要受温度和发射率影响，目标的温度或发射率越高，其红外辐射特性越强，因而调节目标发射率对红外特性进行调节已成为红外隐身技术的重要手段。电致变发射率器件具有发射率调节范围广、响应速度快、反应灵活等优点，在红外隐身
具有巨大的应用潜力。
[0003]局域表面等离子共振(LSPR：localized Surface Plasmon Resonance)是指当光线入射到由导电性良好的纳米颗粒上时，如果入射光子频率与纳米颗粒的振荡频率相匹配时，纳米颗粒会对光子能量产生很强的吸收作用，就会发生局域表面等离子体共振的现象，这时会在光谱上出现一个强的共振吸收峰。LSPR的研究最开始主要集中在金属纳米颗粒中，LSPR主要位于可见光波段。近年来，半导体氧化物的纳米晶的研究方兴未艾，LSPR主要位于近红外(800
‑
3000nm)波段，但是目前还没有关于电化学调控3～本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电致变红外发射率薄膜，其特征在于，包括红外高反射率基底层以及覆盖于所述红外高反射率基底层上的变红外发射率功能层，所述变红外发射率功能层为掺杂氧化锌纳米晶，所述掺杂氧化锌纳米晶中的掺杂离子为三价金属离子，所述三价金属离子的掺杂量为0.1～10％。2.根据权利要求1所述的电致变红外发射率薄膜，其特征在于，所述掺杂氧化锌纳米晶的直径为2～30nm，所述掺杂氧化锌纳米晶LSPR吸收峰位于3～14μm。3.根据权利要求1所述的电致变红外发射率薄膜，其特征在于，所述三价金属离子为铝离子、硼离子、镓离子或铟离子中的一种。4.根据权利要求1所述的电致变红外发射率薄膜，其特征在于，所述红外高反射率基底选自金属基底、ITO薄膜、AZO薄膜、FTO薄膜或Mxene薄膜中的一种。5.根据权利要求4所述的电致变红外发射率薄膜，其特征在于，当红外高反射率基底选自ITO薄膜、AZO薄膜、FTO薄膜中的一种时，所述电致变红外发射率薄膜对可见光的透射率大于50％。6.根据权利要求1所述的电致变红外发射率薄膜，其特征在于，所述电致变红外发射率薄膜对3～5μm的红外波段的调控量为0.1～0.6，对8～14μm的红外发射率调控量为0.1～0.6。7.根据权利要求1所述的电致变红外发射率薄膜，其特征在于，所述变红外发射率功能...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘东青，贾岩，程海峰，
申请(专利权)人：中国人民解放军国防科技大学，
类型：发明
国别省市：