一种低热膨胀系数高温共烧陶瓷（HTCC）材料及其制备方法技术

本发明专利技术涉及电子材料技术领域，且公开了一种低热膨胀系数高温共烧陶瓷(HTCC)材料，包括以下重量份原料：微米级氧化铝：70％～90％、亚微米级氧化铝：1％～20％、堇青石：3％～5％、β

【技术实现步骤摘要】
一种低热膨胀系数高温共烧陶瓷（HTCC）材料及其制备方法


[0001]本专利技术涉及电子材料
，尤其涉及一种低热膨胀系数高温共烧陶瓷(HTCC)材料及其制备方法。

技术介绍

[0002]HTCC陶瓷材料中应用最广泛的是氧化铝体系陶瓷生胚料带，该材料具有热稳定性、化学稳定性、压电性、耐腐蚀性、电绝缘性、化学吸附性、生物适应性和透光性等多种有实用价值的性能和功能。
[0003]氧化铝陶瓷技术是一种比较成熟的微电子封装技术，它由92～96％氧化铝，外加4～8％的烧结助剂在1500
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1700℃下烧结而成，其导体材料为钨、钼、钼
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锰等难熔金属。基于氧化铝材料体系的HTCC技术成熟、介质材料成本低、热导率和抗弯强度较高，广泛应用于对可靠性要求较高的芯片封装、光学、光通信、光电子、红外器件的封装外壳。
[0004]氧化铝体系HTCC材料有下列缺点：介电常数高，影响信号传输速度的提高、导体电阻率高，信号传输损耗较大、热膨胀系数与硅相差较大，从而限制了它在芯片封装领域的大规模应用。
[0005本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种低热膨胀系数高温共烧陶瓷(HTCC)材料，其特征在于：包括以下重量份原料：微米级氧化铝：70％～90％、亚微米级氧化铝：1％～20％、堇青石：3％～5％、β
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锂霞石：3％～5％、三氧化二铬1％～3％、三氧化钼1％～3％、氧化钇0.1％～1％，流延助剂若干。2.一种低热膨胀系数高温共烧陶瓷(HTCC)材料的制备方法，其特征在于：包括以下工作步骤：S1：原料获取；S2：原料混合；S3：烧结成密。3.根据权利要求2所述的一种低热膨胀系数高温共烧陶瓷(HTCC)材料的制备方法，其特征在于：所述S1，堇青石采用天然矿物高温固相反应法、高纯氧化物高温固相反应合成法、工业或农业废料合成法和溶胶凝胶法和低温燃烧合成法制备而成。4.根据权利要求2所述的一种低热膨胀系数高温共烧陶瓷(HTCC)材料的制备方法，其特征在于：所述S1，用Al3+取代石英中一半的Si4+，并加入Li+进行电荷补偿，可以得到类石英结构的β
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【专利技术属性】
技术研发人员：纪健超，成淑敏，张月月，路景琦，刘爱茹，白幸幸，庞超，
申请(专利权)人：西安航科创星电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：