一种钙钛矿垂直场效应晶体管及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种钙钛矿垂直场效应晶体管及其制备方法，本发明专利技术的钙钛矿垂直场效应晶体管其特征在于，包括栅电极、衬底、介电层、源电极、半导体层、漏电极，所述栅电极与所述源电极位于半导体层同侧，所述源电极为有多孔结构的连续MXene薄膜，所述半导体层为钙钛矿层；本发明专利技术使用MXene这种极薄的导电片状材料作为电极，保证了钙钛矿的成膜质量，制备出来的钙钛矿垂直晶体管能达到6mAcm

【技术实现步骤摘要】
一种钙钛矿垂直场效应晶体管及其制备方法


[0001]本专利技术属于电子器件领域,具体涉及一种基于钙钛矿的垂直结构场效应晶体管及其制备方法。

技术介绍

[0002]近年来，有机
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无机杂化钙钛由于其优异的光电性能(高载流子迁移率、弱激子结合能、高缺陷容忍性和低缺陷态密度等)以及可溶液处理低成本制备薄膜的特点，在光电器件中得到了广泛的应用，如太阳能电池、光电探测器、发光二极管等。然而与钙钛矿太阳能电池、发光二极管相比，钙钛矿场效应晶体管的发展却远远落后。尽管钙钛矿场效应晶体管的性能不断提高，但大多数报道的在室温下工作的钙钛矿晶体管都是基于传统的平行结构，这不仅需要高精准的光刻和掩膜技术，制备繁琐，而且制备出来的器件迁移率通常低于10cm2V
‑1s
‑1。这就导致钙钛矿场效应晶体管的电流密度较低，无法正常驱动发光二极管，从而限制其广泛应用。
[0003]与平行晶体管不同，垂直场效应晶体管的源漏电极分布在垂直方向上，其沟道长度由半导体层的厚度决定，这种短沟道的器件可以减少载流子的渡越时间，有利于提高载流子被源本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种钙钛矿垂直场效应晶体管，其特征在于：包括栅电极、衬底、介电层、源电极、半导体层、漏电极，所述栅电极与所述源电极位于半导体层同侧，所述源电极为有多孔结构的连续MXene薄膜，所述半导体层为钙钛矿层。2.根据权利要求1所述的一种钙钛矿垂直场效应晶体管，其特征在于：所述有多孔结构的连续MXene薄膜为Ti3C2T
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薄膜。3.一种钙钛矿垂直场效应晶体管制备方法，其特征在于：包括以下步骤：(1)制备钙钛矿半导体前驱液、以及源电极所需的MXene悬浮液...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡袁源，谢海洪，
申请(专利权)人：湖南大学深圳研究院，
类型：发明
国别省市：