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本发明公开了一种钙钛矿垂直场效应晶体管及其制备方法，本发明的钙钛矿垂直场效应晶体管其特征在于，包括栅电极、衬底、介电层、源电极、半导体层、漏电极，所述栅电极与所述源电极位于半导体层同侧，所述源电极为有多孔结构的连续MXene薄膜，所述半导体...
该专利属于湖南大学深圳研究院所有，仅供学习研究参考，未经过湖南大学深圳研究院授权不得商用。

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