一种硫化铋薄膜及其光电二极管的制备方法和应用技术

本发明专利技术公开了一种硫化铋薄膜及其光电二极管的制备方法和应用，该硫化铋薄膜的制备方法，包括：提供Bi2S3前驱溶液；将Bi2S3前驱溶液涂布在基底上；将涂有Bi2S3前驱溶液的基底置于氮气氛围中，先低温退火至溶剂挥发完全，再于280

【技术实现步骤摘要】
一种硫化铋薄膜及其光电二极管的制备方法和应用


[0001]本专利技术涉及光电器件制造
，尤其涉及一种硫化铋薄膜及其光电二极管的制备方法和应用。

技术介绍

[0002]硫化物以其优异的光吸收系数、可调的带隙和吸收范围、较强的稳定性(包括空气稳定性、温度稳定性和湿度稳定性等)、较低的成本和较多的制备途径，在光伏、光催化以及光电探测领域受到学术界和产业界广泛的关注。
[0003]其中，硫化铋(Bi2S3)是一种新兴的半导体材料，常温下制备的硫化铋材料通常具有1.3～1.7eV的带隙和高吸收系数(≈105cm
‑1,在可见光波段)，非常接近于由精细平衡极限所得到的材料最佳能隙宽度，非常适合于单结太阳能电池的应用。同时，由于其较高的迁移率、载流子寿命，使得其在光电探测的领域也可以有着非常大的应用前景。此外，硫化铋的组成元素丰富且无毒，这些特性的综合使得硫化铋成为了一种非常具有发展前景的半导体材料。
[0004]目前，硫化铋薄膜大多采用化学浴沉积(CBD)、热蒸发以及水热法等方法制备，其好处主要在于有较高的成膜质量。然而，这些本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种硫化铋薄膜的制备方法，其特征在于，包括：提供Bi2S3前驱溶液；将Bi2S3前驱溶液涂布在基底上；将涂有Bi2S3前驱溶液的基底置于氮气氛围中，先低温退火至溶剂挥发完全，再于280
±
5℃退火至硫化铋薄膜表面缺陷消除。2.根据权利要求1所述的硫化铋薄膜的制备方法，其特征在于：所述提供Bi2S3前驱溶液包括：按铋和硫的摩尔比为1：1.3～1：3将铋盐和硫脲溶于有机溶剂中，制成Bi2S3前驱溶液。3.根据权利要求2所述的硫化铋薄膜的制备方法，其特征在于：所述Bi2S3前驱溶液中还添加有Zn
2+
。4.根据权利要求1所述的硫化铋薄膜的制备方法，其特征在于：所述先低温退火至溶剂挥发完全，再于280
±
5℃退火至硫化铋薄膜表面缺陷消除包括：先于100
±
5℃退火10～20min，再于280
±

【专利技术属性】
技术研发人员：林乾乾，贾正林，
申请(专利权)人：武汉大学，
类型：发明
国别省市：