掩模缺陷检测系统技术方案

本发明专利技术提供一种掩模缺陷检测系统，包括：光源，所述光源用于发射入射光场；聚焦组件，所述聚焦组件用于所述入射光场聚焦；掩膜，所述掩膜的检测面位于所述入射光场的焦点上，所述检测面设有缺陷，所述入射光场经所述检测面反射并形成反射光场，所述入射光场经所述缺陷反射并形成散射光场；明场成像波带片、暗场成像波带片，所述明场成像波带片和所述暗场成像波带片中的其中一者设于所述反射光场和所述散射光场的照射路径上，以用于使所述反射光场和所述散射光场照射于所述明场成像波带片和所述暗场成像波带片中的其中一者。根据本发明专利技术提供的掩模缺陷检测系统，很好地解决了现有掩模缺陷检测系统无法兼顾快速扫描和精确扫描的问题。问题。问题。

【技术实现步骤摘要】
掩模缺陷检测系统


[0001]本专利技术涉及成像检测
，尤其涉及一种掩模缺陷检测系统。

技术介绍

[0002]本部分提供的仅仅是与本公开相关的背景信息，其并不必然是现有技术。
[0003]在半导体制造过程中，极紫外掩模技术被认为是EUV光刻技术是否能够成功实现及发展的最关键的技术之一。由于极紫外光被大多数材料强烈吸收，光路中必须采用反射式的光学元件，包括掩模在内；EUV掩模制备工艺非常复杂，每一个工艺步骤都会不可避免的引入缺陷，而EUV掩模上的可光刻缺陷直接影响到光刻工艺的良率，必须严格控制。如今，EUV掩模缺陷检测是与EUV掩模制备相关的最主要的挑战之一。
[0004]现有掩模缺陷检测系统通过掩模位移台的运动，可以快速对全掩模进行扫描，从而快速定位全掩模上缺陷，但是这种模式的放大倍率较低，虽然能够扫描确认缺陷位置，但无法精确定位，并且也不能确认缺陷的类型、形状等信息；因此，在完成扫描缺陷定位后，还需要更换另一套掩模缺陷检测系统，对扫描模式定位的缺陷进行单独的放大倍率审查，从而可以准确的判断缺陷的具体信息。
[00本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种掩模缺陷检测系统，其特征在于，包括：光源，所述光源用于发射入射光场；聚焦组件，所述聚焦组件用于所述入射光场聚焦；掩膜，所述掩膜的检测面位于所述入射光场的焦点上，所述检测面设有缺陷，所述入射光场经所述检测面反射并形成反射光场，所述入射光场经所述缺陷反射并形成散射光场；明场成像波带片、暗场成像波带片，所述明场成像波带片和所述暗场成像波带片中的其中一者设于所述反射光场和所述散射光场的照射路径上，以用于使所述反射光场和所述散射光场照射于所述明场成像波带片和所述暗场成像波带片中的其中一者。2.根据权利要求1所述的掩模缺陷检测系统，其特征在于，所述聚焦组件包括反射镜和聚焦镜，所述反射镜设有第一抛物面，所述聚焦镜设有第二抛物面，所述第一抛物面和所述第二抛物面相对设置。3.根据权利要求1所述的掩模缺陷检测系统，其特征在于，所述暗场成像波带片包括波带片主体，所述波带片主体上设有吸光层，且所述吸光层设于所述反射光场的照射路径上。4.根据权利要求1所述的掩模缺陷检测系统，其特征在于，所述掩模缺陷检测系统还包括波带片位移台，所述波带片位移台上设有所述明场成像波带片和所述暗场成像波带片，所述波...

【专利技术属性】
技术研发人员：沙鹏飞，吴晓斌，王魁波，谢婉露，户权，韩晓泉，李慧，罗艳，马赫，谭芳蕊，尹皓玉，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：