一种锡终端半导体材料及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种锡终端半导体材料及其制备方法，该制备方法首先进行氢化处理，使得半导体材料表面形成氢终端，此时半导体材料和氢原子形成了碳氢键，半导体表面多为氢原子；然后通过高压电解含锡的水溶液对半导体表面进行锡化处理，锡化处理过程中，足够的锡原子替换大量的氢原子，使得在半导体表面能够形成碳锡键，进而在半导体材料锡终端；本发明专利技术的制备方法借助于氢原子作为中间介质，使得锡原子能够复合在半导体材料的表面。方法首次实现了半导体锡终端表面的制备，并且是一种高效、清洁且安全的表面锡化方法，获得的锡终端半导体表面锡化程度高，同时具有良好的稳定性。同时具有良好的稳定性。同时具有良好的稳定性。

【技术实现步骤摘要】
一种锡终端半导体材料及其制备方法


[0001]本专利技术属于微电子信息
，涉及一种锡终端半导体材料及其制备方法。

技术介绍

[0002]半导体行业是现代电子信息社会高速发展的重要支撑，也是新一轮科技和产业革命的重要基石之一。当今世界处于百年未有之大变局，高科技领域的竞争愈发白热化，全球半导体业“卡脖子”状况愈加错综复杂。半导体材料的表面处理在半导体行业中有着基础而重要的地位，特别是半导体表面通过结合其它原子或基团而形成特定终端结构的表面，引起表面导电性、亲和势、功函数等性质的改变，从而显著影响电子器件的性能。
[0003]锡终端表面在微电子
应用潜力巨大。半导体表面的通常为氧终端、氢终端、氟终端、氯终端、氮终端、硫终端和羟基终端等非金属性原子或基团所构成的终端。锡作为一种金属材料，其结合至半导体表面形成锡终端后呈现独特的表面亲合势和功函数，锡终端半导体表面在高性能肖特基二极管制备有重要的应用前景。传统的化学处理方法难以将锡原子结合至半导体表面，而等离子方法又难以寻找到合适的气源，导致锡终端半导体表面制备极其困难。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种锡终端半导体材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1，对半导体材料表面进行等离子体氢化处理，获得氢终端半导体材料；步骤2，将氢终端半导体材料固定在金属电极上，置于电解液中，所述电解液中含有锡离子，电解进行锡化处理，获得锡终端半导体材料。2.根据权利要求1所述的一种锡终端半导体材料的制备方法，其特征在于，步骤1中，所述等离子体氢化处理的方法为射频与微波等离子体氢化、射流等离子体氢化、高压脉冲等离子体氢化或辉光放电等离子体氢化。3.根据权利要求1所述的一种锡终端半导体材料的制备方法，其特征在于，步骤2中，电解液为锡的可溶性离子化合物。4.根据权利要求3所述的一种锡终端半导体材料的制备方法，其特征在于，所述锡的可溶性离子化合物为氯化锡、氯化亚锡、溴化锡、溴化亚锡、氢氧化锡、硝酸亚锡或硫酸亚锡。5.根据权利要求3所述的一种锡终端半...

【专利技术属性】
技术研发人员：李奉南，王宏兴，马飞，何适，
申请(专利权)人：西安交通大学，
类型：发明
国别省市：