半导体器件制造技术

一种半导体器件包括：第一电压生成电路，被配置为基于温度输出第一电压；模数转换器，被配置为将第一电压转换为温度码；码转换逻辑，被配置为基于温度码输出温度段中的该温度所属的温度段的偏移码和电平码；偏移电压生成电路，被配置为基于偏移码输出偏移电压；第二电压生成电路，被配置为基于电平码输出在温度段内具有恒定值的第二电压；以及温度补偿电压生成电路，被配置为接收第一电压、第二电压、偏移电压和反馈电压并输出温度补偿电压，反馈电压基于第一电压、第二电压和偏移电压。第二电压和偏移电压。第二电压和偏移电压。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2021年12月23日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10
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2021
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0185671以及于2022年3月22日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10
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2022
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0035211的优先权，其公开内容通过引用整体并入本文。


[0003]本公开的示例实施例涉及半导体器件。

技术介绍

[0004]存储数据的半导体器件可以作为数据存储空间应用于包括计算机、智能电话和平板PC在内的各种电子设备。半导体器件可以包括用于存储数据的存储单元，并且可以通过控制向存储单元提供的电压的电平来执行诸如编程操作、读取操作和擦除操作之类的操作。为了提高半导体器件的性能，可能需要考虑到可能影响存储单元的特性的各种因素来控制存储单元。

技术实现思路

[0005]本公开的一些示例实施例是提供一种包括温度补偿电路的半导体器件，该温度补偿电路可以通过数字地转换由温度传感器输出的电压并将该电压划分本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，包括：第一电压生成电路，被配置为基于温度输出第一电压；模数转换器，被配置为将所述第一电压转换为温度码；码转换逻辑，被配置为基于所述温度码输出多个温度段中的所述温度所属的温度段的偏移码和电平码；偏移电压生成电路，被配置为基于所述偏移码输出偏移电压；第二电压生成电路，被配置为基于所述电平码输出在所述多个温度段中的所述温度所属的温度段内具有恒定值的第二电压；以及温度补偿电压生成电路，被配置为：接收所述第一电压、所述第二电压、所述偏移电压和反馈电压，所述反馈电压基于所述第一电压、所述第二电压和所述偏移电压，以及输出温度补偿电压。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述多个温度段的数量基于所述模数转换器的分辨率。3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述偏移码的比特数基于所述偏移电压生成电路的分辨率，并且所述电平码的比特数基于所述第二电压生成电路的分辨率。4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述温度补偿电压生成电路被配置为：接收所述第一电压、所述第二电压、所述偏移电压、所述反馈电压和调整码，以及基于所述调整码输出所述温度补偿电压。5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二电压等于在所述多个温度段中的所述温度所属的温度段内的起点处的第一电压。6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述偏移电压生成电路被配置为基于通过将参考码和所述偏移码相加而获得的值输出所述偏移电压，并且所述参考码与在所述多个温度段中的最高温度处的所述温度补偿电压相对应。7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二电压生成电路包括可变电阻器件，所述可变电阻器件被配置为具有基于所述电平码的电阻值。8.根据权利要求7所述的半导体器件，其中，所述第二电压生成电路包括：解码器，被配置为接收所述电平码，多个电阻器，彼此串联连接，以及多个晶体管，被配置为接收所述解码器的输出值。9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述温度补偿电压生成电路包括：第一NMOS器件，被配置为接收所述第一电压，第二NMOS器件，被配置为接收所述第二电压，第三NMOS器件，被配置为接收所述偏移电压，第四NMOS器件，被配置为接收所述反馈电压，第一电流源，被配置为输出恒定的参考电流，以及第二电流源，被配置为通过接收调整码输出补偿电流。
10.根据权利要求9所述的半导体器件，其中，所述第一NMOS器件和所述第三NMOS器件彼此并联连接，并且所述第二NMOS器件和所述第四NMOS器件彼此并联连接。11.根据权利要求9所述的半导体器件，其中，流过所述第一NMOS器件和所述第二NMOS器件的电流与流过所述第三NMOS器件和所述第四NMOS器件的电流之间的强度比率基于所述调整码。12.根据权利要求9所述的半导体器件，其中，所述第一NMOS器件和所述第二NMOS器件中的每一个具有第一宽度，并且所述第三NMOS器件和所述第四NMOS...

【专利技术属性】
技术研发人员：李道田，朴俊泓，张基昌，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：