半导体器件制造技术

一种半导体器件包括：第一电压生成电路，被配置为基于温度输出第一电压；模数转换器，被配置为将第一电压转换为温度码；码转换逻辑，被配置为基于温度码输出温度段中的该温度所属的温度段的偏移码和电平码；偏移电压生成电路，被配置为基于偏移码输出偏移电压；第二电压生成电路，被配置为基于电平码输出在温度段内具有恒定值的第二电压；以及温度补偿电压生成电路，被配置为接收第一电压、第二电压、偏移电压和反馈电压并输出温度补偿电压，反馈电压基于第一电压、第二电压和偏移电压。第二电压和偏移电压。第二电压和偏移电压。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2021年12月23日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10
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2021
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0185671以及于2022年3月22日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10
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2022
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0035211的优先权，其公开内容通过引用整体并入本文。


[0003]本公开的示例实施例涉及半导体器件。

技术介绍

[0004]存储数据的半导体器件可以作为数据存储空间应用于包括计算机、智能电话和平板PC在内的各种电子设备。半导体器件可以包括用于存储数据的存储单元，并且可以通过控制向存储单元提供的电压的电平来执行诸如编程操作、读取操作和擦除操作之类的操作。为了提高半导体器件的性能，可能需要考虑到可能影响存储单元的特性的各种因素来控制存储单元。

技术实现思路

[0005]本公开的一些示例实施例是提供一种包括温度补偿电路的半导体器件，该温度补偿电路可以通过数字地转换由温度传感器输出的电压并将该电压划分为多个段，并在该多个段中的每个段中以模拟方式计算温度补偿电压来快速并准确地感测温度。
[0006]根据本公开的一些示例实施例，一种半导体器件包括：第一电压生成电路，被配置为基于温度输出第一电压；模数转换器，被配置为将第一电压转换为温度码；码转换逻辑，被配置为基于温度码输出多个温度段中的该温度所属的温度段的偏移码和电平码；偏移电压生成电路，被配置为基于偏移码输出偏移电压；第二电压生成电路，被配置为基于电平码输出在多个温度段中的该温度所属的温度段内具有恒定值的第二电压；以及温度补偿电压生成电路，被配置为接收第一电压、第二电压、偏移电压和反馈电压并输出温度补偿电压，反馈电压基于第一电压、第二电压和偏移电压。
[0007]根据本公开的一些示例实施例，一种半导体器件包括：单元区，包括多个存储单元；以及外围电路区，包括驱动单元区的外围电路，外围电路区包括：第一电压生成电路，被配置为基于温度输出第一电压；模数转换器，被配置为将第一电压转换为温度码；偏移电压生成电路，被配置为基于温度码输出多个温度段中的该温度所属的温度段的偏移电压；第二电压生成电路，被配置为基于温度码输出在多个温度段中的该温度所属的温度段内具有恒定值的第二电压；以及温度补偿电压生成电路，被配置为接收第一电压、第二电压、偏移电压和反馈电压并输出温度补偿电压，反馈电压基于第一电压、第二电压和偏移电压。
[0008]根据本公开的一些示例实施例，一种半导体器件包括：电压生成电路，被配置为基于第一电压输出与多个温度段中的一个温度段相对应的偏移电压，第一电压基于集成电路的温度，并且电压生成电路被配置为基于第一电压输出在多个温度段中的一个温度段中的
恒定的第二电压；以及温度补偿电压生成电路，被配置为接收第一电压、第二电压、偏移电压和反馈电压并输出温度补偿电压，反馈电压基于第一电压、第二电压和偏移电压。
附图说明
[0009]根据结合附图的以下详细描述，将更清楚地理解本公开的上述和其他方面、特征和优点，其中：
[0010]图1至图3是示出了根据本公开的一些示例实施例的半导体器件的框图；
[0011]图4是示出了根据本公开的一些示例实施例的半导体器件的操作的图：
[0012]图5是示出了根据本公开的一些示例实施例的半导体器件的操作的图；
[0013]图6A和图6B是示出了根据本公开的一些示例实施例的半导体器件中包括的温度补偿电路的配置的一部分的图；
[0014]图7是示出了根据本公开的一些示例实施例的半导体器件中包括的温度补偿电路的配置的一部分的图；
[0015]图8是示出了根据本公开的一些示例实施例的半导体器件中包括的温度补偿电路的配置的一部分的图；
[0016]图9是示出了根据本公开的一些示例实施例的半导体器件中包括的温度补偿电路的配置的一部分的图；
[0017]图10是示出了根据本公开的一些示例实施例的半导体器件中包括的温度补偿电路的配置的一部分的图；
[0018]图11是示出了根据本公开的一些示例实施例的半导体器件的操作的图；
[0019]图12A和图12B是示出了根据本公开的一些示例实施例的半导体器件的操作的图；
[0020]图13是示出了根据本公开的一些示例实施例的半导体器件的框图；
[0021]图14是示出了根据本公开的一些示例实施例的半导体器件的单元区中包括的块的电路图；以及
[0022]图15是示出了根据本公开的一些示例实施例的半导体器件的操作的图。
具体实施方式
[0023]在下文中，将参照附图如下描述本公开的示例实施例。
[0024]图1至图3是示出了根据一些示例实施例的半导体器件的框图。
[0025]首先，参照图1，在一些示例实施例中的半导体器件10可以包括被配置为输出第一电压VNTC、第二电压VZTC和偏移电压Voff的电压生成电路11和温度补偿电压生成电路12。温度补偿电压生成电路12可以从电压生成电路11接收第一电压VNTC、第二电压VZTC和偏移电压Voff，可以生成反馈电压Vfb并可以再次接收反馈电压，并且可以输出温度补偿电压Vout2。例如，由温度补偿电压生成电路12输出的反馈电压Vfb的电平可以由第一电压VNTC、第二电压VZTC和偏移电压Voff确定。第一电压VNTC可以根据温度而改变。第二电压VZTC可以在不同的温度段中具有不同的电平，并且可以在单个温度段中具有恒定的电平。
[0026]当半导体器件10被实现为存储数据的存储器件时，存储单元的阈值电压可以根据温度而改变。温度补偿电压Vout2可以用于在编程、读取和擦除操作期间响应于根据温度变化而发生的阈值电压改变来不同地施加输入到存储单元的电压。因此，可以使用温度补偿
电压Vout2来实现存储器件的准确操作。
[0027]在下文的描述中，参照图2，一些示例实施例中的半导体器件100可以包括电压生成电路110和温度补偿电压生成电路120。电压生成电路110可以包括第一电压生成电路111、模数转换器ADC 112、第一码转换逻辑113、第二码转换逻辑114、偏移电压生成电路115和第二电压生成电路116。
[0028]一些示例实施例中的半导体器件100可以包括作为温度传感器操作的第一电压生成电路111。第一电压生成电路111可以输出可以根据温度而改变的第一电压VNTC。例如，随着温度降低，第一电压VNTC的电平可以增加。
[0029]模数转换器112可以接收由第一电压生成电路111输出的第一电压VNTC，并且可以输出温度码THC。温度码THC可以成为用于生成偏移电压Voff的第一码转换逻辑113和用于生成第二电压VZTC的第二码转换逻辑114的输入值。
[0030]在一些示例实施例中，可以根据模数转换器112的分辨率将整个温度段划分为多个温度段。可以根据第一电压本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，包括：第一电压生成电路，被配置为基于温度输出第一电压；模数转换器，被配置为将所述第一电压转换为温度码；码转换逻辑，被配置为基于所述温度码输出多个温度段中的所述温度所属的温度段的偏移码和电平码；偏移电压生成电路，被配置为基于所述偏移码输出偏移电压；第二电压生成电路，被配置为基于所述电平码输出在所述多个温度段中的所述温度所属的温度段内具有恒定值的第二电压；以及温度补偿电压生成电路，被配置为：接收所述第一电压、所述第二电压、所述偏移电压和反馈电压，所述反馈电压基于所述第一电压、所述第二电压和所述偏移电压，以及输出温度补偿电压。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述多个温度段的数量基于所述模数转换器的分辨率。3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述偏移码的比特数基于所述偏移电压生成电路的分辨率，并且所述电平码的比特数基于所述第二电压生成电路的分辨率。4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述温度补偿电压生成电路被配置为：接收所述第一电压、所述第二电压、所述偏移电压、所述反馈电压和调整码，以及基于所述调整码输出所述温度补偿电压。5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二电压等于在所述多个温度段中的所述温度所属的温度段内的起点处的第一电压。6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述偏移电压生成电路被配置为基于通过将参考码和所述偏移码相加而获得的值输出所述偏移电压，并且所述参考码与在所述多个温度段中的最高温度处的所述温度补偿电压相对应。7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二电压生成电路包括可变电阻器件，所述可变电阻器件被配置为具有基于所述电平码的电阻值。8.根据权利要求7所述的半导体器件，其中，所述第二电压生成电路包括：解码器，被配置为接收所述电平码，多个电阻器，彼此串联连接，以及多个晶体管，被配置为接收所述解码器的输出值。9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述温度补偿电压生成电路包括：第一NMOS器件，被配置为接收所述第一电压，第二NMOS器件，被配置为接收所述第二电压，第三NMOS器件，被配置为接收所述偏移电压，第四NMOS器件，被配置为接收所述反馈电压，第一电流源，被配置为输出恒定的参考电流，以及第二电流源，被配置为通过接收调整码输出补偿电流。
10.根据权利要求9所述的半导体器件，其中，所述第一NMOS器件和所述第三NMOS器件彼此并联连接，并且所述第二NMOS器件和所述第四NMOS器件彼此并联连接。11.根据权利要求9所述的半导体器件，其中，流过所述第一NMOS器件和所述第二NMOS器件的电流与流过所述第三NMOS器件和所述第四NMOS器件的电流之间的强度比率基于所述调整码。12.根据权利要求9所述的半导体器件，其中，所述第一NMOS器件和所述第二NMOS器件中的每一个具有第一宽度，并且所述第三NMOS器件和所述第四NMOS...

【专利技术属性】
技术研发人员：李道田，朴俊泓，张基昌，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：