颜色转换结构、显示装置以及制造它们的方法制造方法及图纸

提供了颜色转换结构、显示装置以及制造它们的方法。颜色转换结构包括：堤结构，包括凹槽；颜色转换层，容纳在凹槽中；以及覆盖层，提供在颜色转换层上。供在颜色转换层上。供在颜色转换层上。

【技术实现步骤摘要】
颜色转换结构、显示装置以及制造它们的方法


[0001]本公开涉及一种配置为可转移到显示基板的颜色转换结构、显示装置以及制造颜色转换结构的方法。

技术介绍

[0002]液晶显示器(LCD)和有机发光二极管(OLED)显示器被广泛地用作显示装置。最近，通过使用微型发光二极管制造高分辨率显示装置的技术已经成为公众关注的焦点。
[0003]为了使用微型发光器件制造显示器，可能需要许多不同的方法，诸如将微型发光器件移动到期望的显示像素位置的方法、修复方法以及实现期望颜色的方法。

技术实现思路

[0004]提供一种配置为可转移到显示基板的颜色转换结构。
[0005]提供一种显示装置，该显示装置包括配置为可转移到显示基板的颜色转换结构。
[0006]提供一种制造颜色转换结构的方法，该颜色转换结构配置为可转移到显示基板。
[0007]附加的方面将在以下描述中被部分地阐述，并且部分地将从该描述变得明显，或者可以通过对所呈现的示例实施方式的实践而获知。
[0008]根据本公开的一方面，提供一种颜色转换结构，该本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种颜色转换结构，包括：堤结构，包括具有底表面和上部开口的凹槽；颜色转换层，提供在所述凹槽中并接触所述凹槽的所述底表面；以及覆盖层，提供在所述颜色转换层上。2.根据权利要求1所述的颜色转换结构，还包括提供在所述堤结构的侧壁上的反射层。3.根据权利要求1所述的颜色转换结构，其中所述覆盖层包括分布式布拉格反射层。4.根据权利要求1所述的颜色转换结构，其中所述堤结构包括底层和侧壁，所述底层包括分布式布拉格反射层。5.根据权利要求1所述的颜色转换结构，其中所述凹槽包括弯曲表面。6.根据权利要求1所述的颜色转换结构，其中所述覆盖层包括凸起的弯曲表面。7.根据权利要求1所述的颜色转换结构，其中所述颜色转换层包括配置为将入射光转换成第一颜色光的第一颜色转换层以及配置为将所述入射光转换成第二颜色光的第二颜色转换层。8.根据权利要求1所述的颜色转换结构，其中所述覆盖层的上表面包括不平坦结构。9.根据权利要求1所述的颜色转换结构，其中所述颜色转换层的厚度小于所述凹槽的深度。10.根据权利要求1所述的颜色转换结构，其中所述颜色转换层的厚度在从10μm至15μm的范围内。11.根据权利要求1所述的颜色转换结构，其中所述颜色转换层具有其中量子点嵌入在多孔层中的结构。12.根据权利要求11所述的颜色转换结构，其中所述多孔层包括n
‑
GaN。13.一种显示装置，包括：显示基板；多个微型半导体芯片，提供在所述显示基板上以彼此间隔开；以及颜色转换结构，提供在所述多个微型半导体芯片中的每个上，其中所述颜色转换结构包括：堤结构，包括具有底表面和上部开口的凹槽，颜色转换层，填充在所述凹槽中并接触所述凹槽的所述底表面，以及覆盖层，提供在所述颜色转换层上。14.根据权利要求13所述的显示装置，其中所述覆盖层与相应的微型半导体芯片相邻地定位以面对所述相应的微型半导体芯片。15.根据权利要求13所述的显示装置，其中所述颜色转换结构还包括提供在所述堤结构的侧壁上的反射层。16.根据权利要求13所述的显示装置，其中所述覆盖层是分布式布拉格反射层。17.根据权利要求13所述的显示装置，其中所述堤结构包括底层和侧壁，所述底层是分布式布拉格反射层。18.根据权利要求13所述的显示装置，其中所述凹槽包括弯曲表面。19.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄京旭，金铉埈，朴俊勇，洪硕佑，黄俊式，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：