半导体装置制造方法及图纸

本公开涉及一种半导体装置。包括：恒定电流生成电路单元；第一电流镜像电路单元，以恒定电流作为输入电流并且生成第一镜像电流作为镜像电流；电平移位电路单元，包括箝位晶体管以及串联连接到箝位晶体管并且其中流经第一镜像电流的晶体管，第一镜像电流在箝位晶体管的漏极与源极之间流动，恒定电流生成电路单元的电源电压被施加到箝位晶体管的基极；第二电流镜像电路单元，具有作为输入级的晶体管以及其中流经复制第一镜像电流的第二镜像电流的作为输出级的晶体管；以及误差吸收电路单元，连接到第二电流镜像电路单元中的输出级晶体管的用于输出第二镜像电流的端子。体管的用于输出第二镜像电流的端子。体管的用于输出第二镜像电流的端子。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2021年12月22日提交的日本专利申请号2021
‑
207824的优先权，其内容通过引用并入本申请。


[0003]本专利技术涉及一种半导体装置，例如，一种适用于轻度混合系统中高压侧的半导体装置的有效技术。

技术介绍

[0004]功率转换器(诸如用于轻度混合系统的反相器)在高压侧使用栅极驱动器。栅极驱动器包括保护电路，该保护电路检测诸如IGBT(绝缘栅双极晶体管)等功率半导体装置中的短路/过电流，并且在短路故障发生时保护功率半导体装置。
[0005]公开了如下技术。
[0006][专利文献1]日本未审查专利申请公开号2020
‑
5422

技术实现思路

[0007]例如，专利文献1(日本专利申请公开No.2020
‑
5422)公开了在高压侧作为用于驱动电机的功率半导体装置的IGBT和驱动IGBT的栅极驱动器。此外，通常，用于检测流过电机的电流的电流检测电路设置在高压侧。此外，为了本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，包括：恒定电流生成电路单元；第一电流镜像电路单元，以由所述恒定电流生成电路单元输出的恒定电流作为输入电流，并且生成第一镜像电流作为镜像电流；电平移位电流单元，包括箝位晶体管和晶体管，所述第一镜像电流在所述箝位晶体管的漏极与源极之间流动，所述恒定电流生成电路单元的电源电压被施加到所述箝位晶体管的基极，所述晶体管串联连接到所述箝位晶体管，并且所述第一镜像电流流过所述晶体管；第二电流镜像电路单元，以所述晶体管作为输入级并且以通过复制所述第一镜像电流而获取的第二镜像电流流过的晶体管作为输出级；以及误差吸收电路单元，具有与所述钳位晶体管的寄生电容相对应的电容，所述误差吸收电路单元连接到所述第二电流镜像电路单元中的所述输出级晶体管的用于输出所述第二镜像电流的端子。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第二电流镜像电路单元中的所述输入级晶体管和所述输出级晶体管通过串联电连接具有不同耐受电压的多个晶体管来配置，并且其中所述输入级晶体管中的多个晶体管和所述输出级晶体管中多个晶体管被配置为使得具有相同电特性的多个晶体管彼此相对。3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述误差吸收电路单元是复制所述箝位晶体管的伪晶体管的寄生电容，并且栅极和源极短路的所述伪晶体管形成作为误差吸收电路单元。4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中...

【专利技术属性】
技术研发人员：田岛英幸，
申请(专利权)人：瑞萨电子株式会社，
类型：发明
国别省市：