微电子器件的真空腔内部气密性监测结构的制造方法技术

本发明专利技术提供一种用于微电子器件的真空腔内部气密性监测结构的制造方法，所述制造方法包括：1)提供第一基板，所述第一基板的第一主面上形成有用于容纳微电子器件的空腔；2)提供第二基板，所述第二基板包括相对的第一主面和第二主面，于所述第二基板上形成膜层：3)使所述第二基板的第一主面与所述第一基板的第一主面键合，以使所述空腔与所述第二基板形成气密性空腔同时形成密封室，所述密封室由所述膜层与周围环境气密性阻隔，所述膜层配置为根据密封室与周围环境的气压差发生凸起或凹陷变形。通过本发明专利技术的所述制造方法，可以对微电子器件进行封装的同时形成该气密性监测结构，所述制造方法具有制作简单，成本低等优势。成本低等优势。成本低等优势。

【技术实现步骤摘要】
微电子器件的真空腔内部气密性监测结构的制造方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，尤其是涉及一种用于微电子器件的真空腔内部的气压监测结构的制造方法。

技术介绍

[0002]在微电子技术的基础上发展而来的微机电系统(Micro Electro Mechanical Systems；MEMS)技术是一个新兴的多学科交叉的高科技领域。出于保护内部的MEMS器件的目的，一般要求MEMS封装是气密性的，特别是诸如MEMS陀螺仪、压力计之类的微机电系统器件在真空环境下工作才能获得期望的工作性能，需要对这些MEMS器件进行真空封装，而诸如红外传感器的MEMS器件，也需要把敏感器件封装在比较稳定的真空中。
[0003]MEMS器件对封装的环境极为敏感，一些关键指标会造成MEMS器件失效。然而，MEMS器件的应用要求长期保持气密性，但实际中封装MEMS器件所形成的微小空间的内部真空度常随着时间而降低，这往往会造成这些器件的性能劣化，也就是随着用于封装MEMS器件的微小空间的内部真空度的变化，这些器件的输出值会发生变化，使得量测结果不能真实地反映所本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于微电子器件的真空腔内部气密性监测结构的制造方法，其特征在于，包括：1)提供第一基板，所述第一基板的第一主面上形成有用于容纳微电子器件的空腔，所述第一基板的第一主面上还形成有第一凹部；2)提供第二基板，所述第二基板包括相对的第一主面和第二主面，于所述第二基板的第一主面上形成膜层：3)使所述第二基板的第一主面与所述第一基板的第一主面键合，以使所述空腔与所述第二基板形成气密性空腔，同时使所述第一凹部由所述膜层与周围环境气密性阻隔，所述膜层配置为根据密封室与周围环境的气压差发生凸起或凹陷变形。2.根据权利要求1所述的气密性监测结构的制造方法，其特征在于，步骤2)包括：2
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1)通过光刻工艺和刻蚀工艺于所述第二基板上形成贯穿孔，所述贯穿孔与所述第一凹部中心对准且所述膜层悬空于所述贯穿孔与所述密封室之间。3.根据权利要求1所述的气密性监测结构的制造方法，其特征在于：于步骤2)中，所述膜层与所述第二基板一体化形成，并且步骤2)包括：2
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1)通过光刻工艺和刻蚀工艺于所述第二基板的第二主面上形成第二凹部，所述第二凹部与所述第一凹部中心对准。4.根据权利要求1所述的气密性监测结构的制造方法，其特征在于，步骤2)还包括：2
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2)在所述膜层上形成第一材料层；2
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3)通过光刻工艺和刻蚀工艺使所述第一材料层形成为第一图形化层，所述第一图形化层显露出位于所述凹部上的膜层。5.一种用于微电子器件的真空腔内部气密性监测结构的制造方法，其特征在于，包括：1)提供第一基板，所述第一基板的第一主面上形成有用于容纳微电子器件的空腔；2)提供第二基板，所述第二基板包括相对的第一主面和第二主面，于所述第二基板的第二...

【专利技术属性】
技术研发人员：王诗男，
申请(专利权)人：上海新微技术研发中心有限公司，
类型：发明
国别省市：